本發(fā)明提供了一種晶體硅體少子壽命的測(cè)試方法,包括以下步驟:S100:去除待測(cè)晶體硅表面的污垢和氧化層;將去除表面污垢和氧化層的待測(cè)晶體硅置于化學(xué)腐蝕液中浸泡30s~10min;將所述經(jīng)化學(xué)腐蝕液浸泡后的待測(cè)晶體硅進(jìn)行光照處理和/或熱處理;S200:對(duì)所述經(jīng)過(guò)步驟S100處理的待測(cè)晶體硅進(jìn)行厚度測(cè)量和表觀少子壽命測(cè)試;S300:將步驟S200得到的厚度和表觀少子壽命代入公式中,得到晶體硅的體少子壽命:其中,τeff代表表觀少子壽命;τbulk代表體少子壽命;Dn代表少子擴(kuò)散系數(shù);W代表待測(cè)晶體硅的厚度。利用本發(fā)明的方法大大提高了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確度,能夠準(zhǔn)確反映待測(cè)晶體硅的質(zhì)量,且該方法重復(fù)性好,具有很高的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“晶體硅體少子壽命的測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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