本發(fā)明公開(kāi)了一種一維排列雙面錯(cuò)嵌式三維探測(cè)器及其制備方法、陣列,包括第一溝槽電極和第二溝槽電極,第一溝槽電極刻蝕和第二溝槽電極分別刻蝕在第三半導(dǎo)體基體表面;第一溝槽電極內(nèi)嵌有第一中央電極,第一中央電極和第一溝槽電極間填充有第一半導(dǎo)體基體;第二溝槽電極內(nèi)嵌有第二中央電極,第二溝槽電極和第二中央電極間填充有第二半導(dǎo)體基體;第一溝槽電極和第二溝槽電極的外寬均為2R
X,第二溝槽電極位于第一溝槽電極下方,且兩者垂直相距d3、水平相距Rx。通過(guò)吸雜氧化工藝在
芯片表面生成二氧化硅層,然后經(jīng)標(biāo)記與光刻將探測(cè)器圖形轉(zhuǎn)移到二氧化硅層上,再進(jìn)行陰極電極和陽(yáng)極電極的刻蝕和化學(xué)沉積擴(kuò)散,最后進(jìn)行損傷修復(fù)及封裝。
聲明:
“一維排列雙面錯(cuò)嵌式三維探測(cè)器及其制備方法、陣列” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)