本發(fā)明提供了一種氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線,包括氧化鋅微米線芯材以及復(fù)合于所述氧化氧化鋅微米線芯材表面的銫鉛溴殼層。本發(fā)明以CsPbBr
3材料為基礎(chǔ),用結(jié)晶質(zhì)量好、光電導(dǎo)增益高,并比納米線更易操作的ZnO單晶微米線作為核層,通過化學(xué)氣相沉積方法,來制備ZnO/CsPbBr
3核殼微米線,并在此基礎(chǔ)上構(gòu)筑ZnO/CsPbBr
3結(jié)型自驅(qū)動光探測器。CVD法能促進
鈣鈦礦材料實現(xiàn)穩(wěn)定及規(guī)模化的生產(chǎn)及應(yīng)用。將ZnO材料作為電子傳輸層來構(gòu)筑ZnO/CsPbX
3基核殼微米線自驅(qū)動光探測器,可以得到比有機傳輸材料更好的穩(wěn)定性與更高的耐久度,是實現(xiàn)全天候、高性能、長壽命傳感器的有效途徑。
聲明:
“氧化鋅/銫鉛溴核殼微米線及其制備方法以及一種光探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)