本申請(qǐng)公開了一種新型的長(zhǎng)波紅外探測(cè)器,涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。本申請(qǐng)是一種基于平面結(jié)構(gòu)的pπMp型銻化物二類超晶格紅外探測(cè)器的新型結(jié)構(gòu),InAs/GaSb超晶格結(jié)構(gòu)作為接觸層和吸收層,InAs/GaSb/AlSb/GaSb超晶格結(jié)構(gòu)作為勢(shì)壘層,所述接觸層、所述吸收層和所述勢(shì)壘層均為p型區(qū)域。本申請(qǐng)對(duì)勢(shì)壘層材料進(jìn)行了篩選,并對(duì)器件各層進(jìn)行優(yōu)化,在保證量子效率的前提下有效抑制了暗電流水平,保證了器件的工作性能。本申請(qǐng)含有T2SL結(jié)構(gòu)體系可以采用分子束外延和金屬有機(jī)物化學(xué)沉積等外延生長(zhǎng)工具制備,制備工藝簡(jiǎn)單。
聲明:
“新型的長(zhǎng)波紅外探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)