本發(fā)明涉及一種高居里點低鉛壓電陶瓷材料及其制備方法,屬于功能陶瓷應用技術領域。用Bi對PZT陶瓷進行取代改性,采用模板晶粒生長法(TGG)制備出一種低鉛壓電陶瓷材料,并改善其居里溫度。其化學式為Bi(Zn1/2Ti1/2)O3-PbTiO3??梢詮V泛應用于航天、石化、冶金、地質勘探等眾多重要科研與工業(yè)部門,例如高溫加速度計、高溫傳感器、渦街流量計以及螺栓孔冷脹工藝中的壓電裝置等。本發(fā)明的效果是:在制備過程中用Bi來替代部分Pb,不僅可以有效減少陶瓷中Pb的含量,增加壓電陶瓷的環(huán)境協(xié)調性,而且還增加了材料的居里溫度,擴展了其使用范圍。
聲明:
“高居里點低鉛壓電陶瓷材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)