本發(fā)明公開了一種電子束過熱熔煉去除
多晶硅中金屬雜質的方法和裝置,屬于冶金領域。所述裝置包括水冷熔煉坩堝,所述水冷銅坩堝采用傾斜式側壁設計,所述水冷銅坩堝內側壁與水冷銅坩堝底夾角為105~120°,所述水冷銅坩堝內設有石墨襯套,所述石墨襯套外表面與水冷銅坩堝內表面貼合,緊配合設計,石墨襯套的底部與水冷銅坩堝底部水平,所述石墨襯套內表面?zhèn)缺谂c石墨襯套底夾角為95~100°。在本發(fā)明裝置中進行過熱熔煉去除金屬雜質,可減少后續(xù)定向凝固以及鑄錠的次數(shù),減少提純工藝,降低生產成本;多晶硅提純電子束過熱熔煉可降低后期定向凝固次數(shù)1次以上;多晶硅提純電子束過熱熔煉可降低多晶硅中金屬雜質30%以上。
聲明:
“電子束過熱熔煉去除多晶硅中金屬雜質的方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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