本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法。其中,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法,包括:提供基底;在基底內(nèi)形成多個(gè)間隔排布的接觸孔;在接觸孔內(nèi)形成接觸材料層;在接觸材料層和基底上形成位線材料層;去除部分位線材料層和部分接觸材料層,以形成位線結(jié)構(gòu),位線結(jié)構(gòu)包括剩余的位線材料層構(gòu)成的位線層以及剩余的接觸材料層構(gòu)成的接觸層,接觸層位于接觸孔內(nèi),位線層跨越接觸孔以及接觸孔外的基底。本發(fā)明可以有效降低位線結(jié)構(gòu)的高度,從而有效防止位線結(jié)構(gòu)在之后的制成過程中傾斜或倒塌。
聲明:
“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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