本發(fā)明提供一種納米線與
石墨烯的
復合材料及其制備方法,制備方法包括:1)提供SGOI襯底,SGOI襯底由下至上依次包括硅襯底、埋氧層及SiGe層;2)刻蝕SiGe層,形成預定尺寸的條狀SiGe陣列;3)將步驟2)得到的結(jié)構(gòu)進行鍺濃縮,得到表面被SiO2層包裹的Ge或SiGe納米線;4)去除包裹在Ge或SiGe納米線表面的SiO2層,得到Ge或SiGe納米線陣列;5)在Ge或SiGe納米線陣列上生長石墨烯。通過本發(fā)明的制備方法制得所述納米線與石墨烯的復合材料,具有高質(zhì)量、低缺陷、大小可控、均勻且筆直的優(yōu)點,且石墨烯薄膜也具有高質(zhì)量、低缺陷的特性;本發(fā)明的制備方法工藝簡單可控。
聲明:
“納米線與石墨烯的復合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)