3鈣鈦礦量子點(diǎn)的阻變存儲器及制備方法,通用技術(shù)"> 3鈣鈦礦量子點(diǎn)的阻變存儲器及制備方法,本發(fā)明公開了基于CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)的阻變存儲器及制備方法,其中,阻變存儲器從下至上依次包括:柔性基底、底電極、第一聚合物層、CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)層、第二聚合物層、頂電極,其中,X=Cl、Br或I,所述底電極和所述頂電極至少有一個為透明電極。本發(fā)明將CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)與聚合物采用三明治的結(jié)構(gòu)制成活性層,兩側(cè)的聚合物可以很好的將CsPbX3鈣鈦礦量子點(diǎn)保護(hù)起來,提高了器件的穩(wěn)定性,同時CsPbX3量子點(diǎn)的尺寸可以通過過濾篩選,進(jìn)一步提高存儲器的">
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