冷熱交換高效節(jié)能裝置 863     

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一種冷熱交換高效節(jié)能裝置,其特征在于:在殼體內(nèi)設(shè)有多個冷氣體或液體通道及熱氣體或液體通道,兩種通道間隔排列,即一種通道緊鄰另一種通道設(shè)置;在其一端設(shè)有新鮮空氣或液體進機口及廢氣或廢液出機口,在另一端設(shè)有廢氣或廢液進機口和新鮮空氣或液體出機口;本實用新型結(jié)構(gòu)簡單,使用方便,能很好的將能量回收利用,既凈化了環(huán)境,也節(jié)約了能源,因此提高了經(jīng)濟效益和社會效益;在應(yīng)用于室內(nèi)或車內(nèi)環(huán)境的氣體置換時,使室內(nèi)或車內(nèi)環(huán)境始終保持空氣新鮮、恒溫,有利于人體的健康。

鈦酸鋇基無鉛壓電發(fā)光材料及其制備方法 876     

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本發(fā)明提供了一種稀土鉺摻雜的鋯鈦酸鋇鈣無鉛壓電發(fā)光材料及其制備工藝，其分子式為ErxBa0.99-xCa0.01Ti0.98Zr0.02O3，其中x＝0～10.85%，本發(fā)明通過摻雜稀土鉺將準(zhǔn)同型相界向低溫移動，居里溫度峰向高溫移動，提高了鋯鈦酸鋇鈣無鉛壓電陶瓷壓電性能溫度穩(wěn)定性。本發(fā)明所述陶瓷材料具有高鐵電、壓電和介電性能，同時還具有較強光致發(fā)光特性，發(fā)光單色性好，屬于新型的多功能材料。所述鉺摻雜的鋯鈦酸鋇鈣材料具有優(yōu)良的壓電性能和光電性能，在微機電、光電集成、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

金剛石增強鋁基高導(dǎo)熱復(fù)合材料的制備方法 869     

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本發(fā)明公開了一種金剛石增強鋁基高導(dǎo)熱復(fù)合材料的制備方法，所述包括如下步驟：化學(xué)鍍金剛石單晶、用Si、Cu、Ti、Zr、Al配制合金粉、熔煉合金粉、混合、加熱、脫模等工序，得到金剛石增強鋁基高導(dǎo)熱復(fù)合材料。本發(fā)明制備的金剛石增強鋁基高導(dǎo)熱復(fù)合材料，兼具金屬的高熱導(dǎo)電率和金剛石的低熱膨脹系數(shù)，本發(fā)明開發(fā)的金剛石顆粒增強鋁基高導(dǎo)熱復(fù)合材料性能穩(wěn)定，可重復(fù)性操作強，將進一步擴大人造金剛石在電子封裝材料、大功率LED、大功率激光發(fā)射器等其他領(lǐng)域的應(yīng)用，將為人造金剛石材料在功能材料領(lǐng)域的應(yīng)用提供技術(shù)基礎(chǔ)。

可低溫?zé)Y(jié)的無鉛壓電發(fā)光陶瓷粉體、陶瓷及其制備方法 912     

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本發(fā)明屬于無鉛壓電材料和光電材料交叉領(lǐng)域，公開了一種Er摻雜的鈦錫酸鋇無鉛壓電發(fā)光陶瓷粉體及陶瓷，其化學(xué)通式為ErxBa1-xTi0.96Sn0.04O3，其中x＝0.1～1.2%。本發(fā)明無鉛壓電發(fā)光陶瓷采用壓電陶瓷制備技術(shù)和工業(yè)原料獲得，陶瓷燒結(jié)溫度降低至1200～1400℃，材料的壓電常數(shù)d33值可達400pC/N，同時還具有強光致發(fā)光特性，發(fā)光單色性好，屬于新型的多功能材料。所述Er摻雜的鈦錫酸鋇無鉛壓電發(fā)光材料具有優(yōu)良的壓電性能和光電性能，在微機電、光電集成、傳感器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

具有發(fā)光特性的BNT基無鉛電致伸縮材料及制備方法 1054     

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本發(fā)明屬于光電功能材料領(lǐng)域，提供一種具有發(fā)光特性的BNT基無鉛電致伸縮材料，其化學(xué)成分符合化學(xué)通式：(1-x)(Bi0.5Na0.5)TiO3-xM-yR，其中，M選自BaTiO3或(Ba0.90Ca0.10)(Ti0.92Sn0.08)O3中的一種，R選自Pr、Sm、Eu、Tb、Gd、Dy、Er、Ho或Tm中的一種，0.06≤?x?≤0.09，0.001≤?y?≤0.01。本發(fā)明還進一步提供了一種具有發(fā)光特性的BNT基無鉛電致伸縮材料的制備方法及應(yīng)用。該材料除具備光致發(fā)光特征之外，還具有優(yōu)良的無滯后電致伸縮性能，有望在光電集成、微機電、光電傳感以及LED的技術(shù)領(lǐng)域中得到應(yīng)用。

具有籽晶層的鋯鈦酸鋇鈣薄膜及其制備方法和應(yīng)用 754     

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本發(fā)明屬于功能材料與器件領(lǐng)域，具體涉及一種具有籽晶層的鋯鈦酸鋇鈣薄膜及其制備方法。所述鋯鈦酸鋇鈣薄膜包括基片層、籽晶層和薄膜層，所述籽晶層在所述基片層和薄膜層之間，所述籽晶層和薄膜層的化學(xué)通式為Ba(1?x)CaxTi(1?y)ZryO3，其中x=0.01～0.16，y=0.02～0.12。所述制備方法使用低濃度前驅(qū)體溶液制備籽晶層，然后再用高濃度前驅(qū)體溶液制備鋯鈦酸鋇鈣薄膜，解決了鋯鈦酸鋇鈣薄膜制備過程中開裂的問題，提高無鉛薄膜的壓電性和介電性，且低成本和可控，制得的具有籽晶層的鋯鈦酸鋇鈣薄膜平整度高，均勻性好，無裂紋，質(zhì)量高，使其在微機電系統(tǒng)、鐵電存儲系統(tǒng)或多功能集成器件中得到實際應(yīng)用。