本發(fā)明公開了一種聚吡咯納米線陣列/
石墨烯片/二氧化錫
復(fù)合材料的制備方法。以氧化石墨烯三維結(jié)構(gòu)為骨架,利用吡咯鏈段上帶正電的氮和氧化石墨烯表面上的環(huán)氧鍵之間的靜電張力在氧化石墨烯表面生長(zhǎng)聚吡咯納米線陣列;同時(shí),帶正電的Sn(Ⅱ)離子進(jìn)入到負(fù)電性的氧化石墨烯片層間,并與氧化石墨烯發(fā)生氧化還原反應(yīng)而生成Sn(Ⅳ)離子,同時(shí)將氧化石墨烯還原為石墨烯,然后加入氫氧化鈉溶液并在180℃下反應(yīng)生成納米二氧化錫顆粒沉積在還原后的石墨烯層之間,制得聚吡咯納米線陣列/石墨烯片/二氧化錫復(fù)合材料。本發(fā)明方法制備過(guò)程簡(jiǎn)單、可靠、綠色環(huán)保,且制得的復(fù)合材料具有規(guī)整的空間結(jié)構(gòu),高能量密度和功率密度,以及優(yōu)秀的循環(huán)性能。
聲明:
“聚吡咯納米線陣列/石墨烯片/二氧化錫復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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