本發(fā)明涉及一種多孔
石墨烯硅
負(fù)極材料的制備方法,針對(duì)目前硅負(fù)極材料體積膨脹嚴(yán)重導(dǎo)致結(jié)構(gòu)坍塌造成能量快速衰減的問題,本發(fā)明利用石墨插層法、液相剝離法和原位生長(zhǎng)法先制備出金屬氧化物?石墨烯
復(fù)合材料,將金屬氧化物?石墨烯復(fù)合材料包覆硅材料表面,再用酸溶液刻蝕掉金屬氧化物,利用碳熱反應(yīng)原理得到多孔石墨烯硅負(fù)極材料。其中,高品質(zhì)石墨烯的優(yōu)良導(dǎo)電性和多孔結(jié)構(gòu)有利于電子和鋰離子的快速傳輸,調(diào)控加熱處理時(shí)間和溫度可得到多種孔洞石墨烯結(jié)構(gòu),可根據(jù)實(shí)際負(fù)極材料所需條件靈活調(diào)整,而刻蝕掉的金屬氧化物留出緩沖空間,緩解硅材料體積膨脹造成的一系列負(fù)面影響。
聲明:
“多孔石墨烯硅負(fù)極材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)