本發(fā)明涉及一種硫化錫量子點(diǎn)負(fù)載的碳化鈦復(fù)合
納米材料,該材料是以碳化鈦納米片(Ti
3C
2)為基體材料,硫化錫量子點(diǎn)負(fù)載在該碳化鈦納米片上而形成的復(fù)合納米材料。本發(fā)明以熱解還原的碳化鈦、L?半胱氨酸和氯化亞錫為原料,N?甲基?2?吡咯烷酮和水為共溶劑,采用簡單的水熱合成方法,可得形貌均一的SnS
2量子點(diǎn)/碳化鈦復(fù)合納米材料。從電鏡結(jié)果來看,平均粒徑為3 nm的SnS
2量子點(diǎn)均勻負(fù)載在超薄的碳化鈦納米片上且高度分散。XRD譜圖顯示,所得材料結(jié)晶度良好,為典型的六方晶系的硫化錫。本發(fā)明合成工藝簡單易操作,重復(fù)性好,在鈉(鋰、鉀等)離子二次電池等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“硫化錫量子點(diǎn)負(fù)載的碳化鈦復(fù)合納米材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)