本發(fā)明涉及一種制備具有寬度為100nm或更小,特別是50nm或更小的硅納米線的方法,所述方法包括:在含硅層上沉積金屬膜,用濕方法處理所述金屬膜以產(chǎn)生在含硅層上具有間隙的相互連接的金屬網(wǎng)絡(luò),并用金屬輔助蝕刻方法蝕刻所述含硅層以形成具有寬度為100nm或更小,特別是50nm或更小的硅納米線。本發(fā)明還涉及含有硅納米線的鋰離子電池、熱電材料、
太陽能電池、化學(xué)和生物傳感器以及藥物遞送器件。
聲明:
“制造硅納米線的方法和包含硅納米線的器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)