本發(fā)明公開了一種LED
芯片光刻顯影方法,包括:對(duì)LED芯片做表面清洗;采用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法,在LED芯片上制備一層二氧化硅薄膜;在制備的二氧化硅薄膜上均勻涂布一層厚度為3μm的光刻膠;通過曝光機(jī)和光罩對(duì)LED芯片做圖形曝光處理;使用顯影液對(duì)光刻膠做顯影處理,顯影時(shí)間為60秒,顯影溫度為20℃~40℃,顯影液包括一種強(qiáng)堿、一種弱堿和純水,強(qiáng)堿質(zhì)量占比0.5%~5%,弱堿質(zhì)量占比1%~10%,純水質(zhì)量占比85%~98.5%,強(qiáng)堿為氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化銣、氫氧化銫中任意一種,所述弱堿為氨水或者
氫氧化鋁;刻蝕暴露的二氧化硅薄膜,將光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到LED芯片表面。
聲明:
“LED芯片光刻顯影方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)