提供一種適合于鋰離子二次電池等的,高容量且充放電循環(huán)特性 優(yōu)異、不可逆容量的發(fā)生少的二次電池用負極。設置在負極集電體上 的負極活性物質層中的硅具有局部有序性的程度低的非晶結構。在設 因橫波光學聲子產(chǎn)生的散射而出現(xiàn)在偏移位置480cm-1附近上的散射 峰的強度為TO、因縱波聲學聲子引起的散射而出現(xiàn)在偏移位置 300cm-1附近的散射峰的強度為LA、因縱波光學聲子產(chǎn)生的散射而出 現(xiàn)在偏移位置400cm-1附近的散射峰的強度為LO時,該非晶結構的 初次充放電后的拉曼光譜滿足以下的關系:0.25≤LA/TO和/或 0.45≤LO/TO。
聲明:
“二次電池用負極及其制造方法、以及二次電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)