x@C材料的方法及應(yīng)用,加工技術(shù)"> x@C材料的方法及應(yīng)用,本發(fā)明提供一種歸中反應(yīng)制備SiOx@C材料的方法及應(yīng)用,該方法采用二氧化硅與硅粉發(fā)生歸中反應(yīng),在高溫保護氣的幫助下,調(diào)節(jié)反應(yīng)溫度得到產(chǎn)物SiOx材料,通過噴霧干燥法進行碳包覆,得到高性能SiOx@C材料。該發(fā)明工藝不采用易燃易致爆的鎂熱還原法,直接采用市場上價格便宜的粗硅與低純度的二氧化硅粉末產(chǎn)生歸中反應(yīng),原料便宜易得,得到高質(zhì)量SiOx@C材料。該發(fā)明得到的SiOx@C材料顆粒具有多孔結(jié)構(gòu),碳包覆均勻,倍率性能良好,可以應(yīng)用到鋰電池負極材料領(lǐng)域。">
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