本發(fā)明屬無(wú)機(jī)非金屬粉體材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種碳化硅晶須的生產(chǎn)方法。為解決目前國(guó)內(nèi)外碳化硅晶須生產(chǎn)方法單產(chǎn)效率低,成本高,污染大,易團(tuán)聚,品質(zhì)低的問(wèn)題,提供一種新型高溫氣化物理生產(chǎn)方法。該方法選用高純碳化硅晶體為原料,經(jīng)激光氣化高溫生長(zhǎng)爐高溫分解氣化,再經(jīng)高溫合成生長(zhǎng),冷卻、收集,得到直徑為納米?亞微米?微米的碳化硅晶須。采用該工藝可生產(chǎn)出高純度,高品質(zhì)α?碳化硅晶須,粒徑2nm~1.5μm,可精準(zhǔn)控制,長(zhǎng)徑比40~200,本方法通過(guò)控制合成溫度和合成時(shí)間量程亦可得到納米碳化硅微粉和碳化硅納米線。生產(chǎn)過(guò)程少?gòu)U氣,無(wú)廢水、固體廢棄物排出,并且投資少,產(chǎn)量高,可用于規(guī)模化工業(yè)生產(chǎn)。
聲明:
“納-微米碳化硅晶須的生產(chǎn)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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