本發(fā)明涉及
光伏或半導(dǎo)體領(lǐng)域中的一種氮化硅的回收方法,特別是一種高純氮化硅的回收方法,回收得到的高純氮化硅可以再次應(yīng)用于
多晶硅生產(chǎn)用坩堝涂層的制備或其他領(lǐng)域;采用廢棄的石英坩堝表面的氮化硅涂層作為氮化硅原料,氮化硅原料含有二氧化硅、硅、金屬等雜質(zhì),其特征在于:將氮化硅原料經(jīng)過化學(xué)溶液處理后得到高純氮化硅;氮化硅原料的純度以重量計(jì)含有氮化硅50%-99.98%,二氧化硅、硅、金屬等雜質(zhì)0.02%-50%;不僅實(shí)現(xiàn)了高純氮化硅的回收,還解決了固體廢棄物的污染問題。
聲明:
“高純氮化硅的回收方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)