本發(fā)明屬于材料性能測(cè)試領(lǐng)域,涉及一種基于氧化鋅微米線的原位彎曲下力電性能測(cè)試方法。其特征是將單根氧化鋅微米線的一端用銀膠固定在表面有絕緣膜的單晶硅基底上,另一端用探針撥動(dòng)實(shí)現(xiàn)彎曲;在彎曲的同時(shí),通過(guò)在探針和銀膠間加掃描電壓信號(hào),實(shí)現(xiàn)對(duì)其電學(xué)性能的原位實(shí)時(shí)測(cè)量。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:將環(huán)境平臺(tái)與吉時(shí)利4200這兩種儀器有機(jī)結(jié)合,實(shí)現(xiàn)了對(duì)單根氧化鋅力電性能的檢測(cè),其操作簡(jiǎn)便,實(shí)時(shí)性強(qiáng),而且應(yīng)用范圍廣泛,便于多種一維結(jié)構(gòu)微納材料的力電性能檢測(cè)。
聲明:
“一種基于氧化鋅微米線的原位彎曲下力電性能測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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