本發(fā)明涉及一種直接轉(zhuǎn)換的X射線探測器的半導(dǎo)體元件的制造方法,其中在半導(dǎo)體層(HL)上將至少一個中間層(ZS1-ZS3)和至少一個接觸層(KS)以分別從溶液中無電流地化學(xué)沉積接觸材料的方式施加到暴露的中間層上。根據(jù)本發(fā)明這樣選擇用于各個層的材料,使得至少一個中間層(ZS1-ZS3)的材料的
電化學(xué)勢大于半導(dǎo)體層(HL)的至少一個元素的電化學(xué)勢,并且接觸層(KS)的接觸材料的電化學(xué)勢大于中間層(ZS1-ZS3)的材料的電化學(xué)勢。屬于本發(fā)明的范圍的還有:根據(jù)之前描繪的方法制造的用于直接轉(zhuǎn)換的X射線探測器的半導(dǎo)體元件、具有這種半導(dǎo)體元件的X射線探測器、具有這種X射線探測器的X射線系統(tǒng)以及具有這種X射線探測器的CT系統(tǒng)。
聲明:
“用于制造直接轉(zhuǎn)換的X射線探測器的半導(dǎo)體元件的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)