本發(fā)明公開了一種碲化銻光電探測(cè)器件及其制備方法,方法包括:在襯底上蒸鍍Sb
2Te
3薄膜生長(zhǎng)的催化層;在具有催化層的襯底上蒸鍍Sb
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3薄膜;對(duì)Sb
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3薄膜進(jìn)行退火處理;在完成退火處理的Sb
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3薄膜上蒸鍍第一有機(jī)材料形成增強(qiáng)吸收層,形成襯底材料/Sb
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3/第一有機(jī)材料異質(zhì)結(jié);在異質(zhì)結(jié)兩端制備電極得到碲化銻光電探測(cè)器件或線列,在可見光?近紅外波段的吸收明顯提高并擁有較高的電子遷移率。本方法相比于化學(xué)氣相沉積法(CVD)、分子束外延(MBE)、磁控濺射等鍍膜方法,制備周期短,操作簡(jiǎn)單且制備的探測(cè)器性能優(yōu)異,對(duì)新型低維材料、拓?fù)浣^緣體光電探測(cè)器的研究提供了參考和理論實(shí)踐依據(jù)。
聲明:
“碲化銻光電探測(cè)器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)