本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例涉及一種用于處理半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體處理設(shè)備,所述設(shè)備包括:多個(gè)拋光模塊,每個(gè)拋光模塊包括:接口,用于接收指定如何處理所述半導(dǎo)體晶片的至少一個(gè)參數(shù);內(nèi)建度量設(shè)備,被配置用于測(cè)量所述半導(dǎo)體晶片的至少一個(gè)性質(zhì);控制器,被配置用于:從所述內(nèi)建度量單元接收所述半導(dǎo)體晶片的所述至少一個(gè)性質(zhì);為每個(gè)拋光模塊生成指定如何處理所述半導(dǎo)體晶片的至少一個(gè)相應(yīng)參數(shù);并且向所述多個(gè)拋光模塊中的每個(gè)拋光模塊發(fā)送所述至少一個(gè)相應(yīng)參數(shù)。
聲明:
“用于處理半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體處理設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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