本發(fā)明公開(kāi)了一種大規(guī)模小像元銦鎵砷焦平面探測(cè)器制備方法,具體步驟如下:1)淀積氮化硅擴(kuò)散掩膜,2)開(kāi)擴(kuò)散窗口,3)閉管擴(kuò)散,4)生長(zhǎng)P電極,5)快速熱退火,6)開(kāi)N槽,7)淀積氮化硅鈍化膜,8)開(kāi)P、N電極孔,9)生長(zhǎng)加厚電極,10)金屬化,11)生長(zhǎng)銦柱。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:1、制備工藝更簡(jiǎn)單,首先生長(zhǎng)P區(qū)電極的工藝方法,降低光刻偏差和過(guò)刻蝕可能導(dǎo)致的P區(qū)電極與N區(qū)InP材料之間的導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn);2、引入感應(yīng)耦合等離子體化學(xué)氣相沉積(ICPCVD)技術(shù)生長(zhǎng)低溫氮化硅鈍化膜,
芯片的表面鈍化層結(jié)構(gòu)致密,降低工藝過(guò)程對(duì)材料表面造成的損傷,改善表面鈍化效果;3、金屬化區(qū)域和銦柱區(qū)域一體化光刻生長(zhǎng)技術(shù),降低器件的接觸電阻。
聲明:
“大規(guī)模小像元銦鎵砷焦平面探測(cè)器制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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