本發(fā)明公開了一種雷達(dá)電子控制元件用晶元的加工方法,步驟(1)所述的氮化硅膜沉積方法,該方法采用化學(xué)沉積技術(shù),快速簡便,所述微波功率設(shè)定為750W,該功率能夠保證氮化硅形成的膜厚度較為均勻合適,所述硅源氣體與氮化源氣體的流量比例為1:5,該比例下能夠在保證硅源完全反應(yīng)后,還能利用剩余的氮?dú)庑纬蔁o氧的環(huán)境,以保護(hù)氮化硅膜,所述步驟(7):所述電子束光刻膠的去除方法,該方法能夠徹底去除晶元表面多余的光刻膠,所述丙酮溶液和乙醇溶液分別為分析純級(jí)的丙酮溶液和無水乙醇溶液,該等級(jí)的有機(jī)溶劑,純度高,能夠防止晶元表面的污染。
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