本發(fā)明公開了一種生長在Si襯底上的GaN薄膜,其包括由下至上依次排列的Si襯底、AlN緩沖層、GaN形核層、GaN外延層;所述Si襯底的晶體取向?yàn)?11面偏100方向0.5-1°;通過襯底以及其晶向的選取、采用脈沖激光沉積工藝生長AlN緩沖層、采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長GaN形核層、采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝生長GaN外延層等步驟制備而成。本發(fā)明的GaN薄膜應(yīng)用于LED器件、光電探測器等器件中,具有密度低、結(jié)晶質(zhì)量好、成本低等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“生長在Si襯底上的GaN薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)