本發(fā)明公開了一種納米片狀氧化亞硅及其復合
負極材料。該納米片狀氧化亞硅的化學式為SiO
x,其中0.9<x<1.1;并且具有納米片狀顆粒形貌;其由激光粒度儀測試的中位粒徑(D50)為100?1000nm,由氮吸附測試的比表面積為50?150m
2/g。該納米片狀氧化亞硅顆粒平面方向的平均直徑為100?1000nm,厚度為10?50nm,且所述顆粒平面方向的平均直徑與顆粒厚度的比值大于5。所述復合負極材料包含所述納米片狀氧化亞硅及添加劑,其中納米片狀氧化亞硅在復合負極材料中的質量分數(shù)為5?50%。本發(fā)明的納米片狀氧化亞硅具有電子、離子傳輸距離短的優(yōu)勢,在電極充放電過程中能夠保持導電結構穩(wěn)定?;谠摷{米片狀氧化亞硅的復合負極材料,可以減少導電組分的用量,在提高導電性和改善循環(huán)性能的同時保持高容量。
聲明:
“納米片狀氧化亞硅及其復合負極材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)