本發(fā)明提供了一種自適應(yīng)的襯底切換電路結(jié)構(gòu)及電池保護(hù)
芯片,第一MOS管Q1的柵極作為GP引腳,第一MOS管Q1的漏極分別連接第三MOS管Q3的源極和第四MOS管Q4的柵極,第一MOS管Q1的源極分別連接第四MOS管Q4的源極和第三MOS管Q3的柵極,第一MOS管Q1的襯底連接第二MOS管Q2的漏極;第二MOS管Q2的柵極作為GB引腳,第二MOS管Q2的源極分別連接第二MOS管Q2的襯底、第三MOS管Q3的襯底、第三MOS管Q3的漏極、第四MOS管Q4的漏極以及第四MOS管Q4的襯底。本發(fā)明提出的自適應(yīng)襯底切換方案,使鋰電保護(hù)芯片可以單芯片集成,同時(shí)實(shí)現(xiàn)充、放電功能,縮減了芯片面積和成本。
聲明:
“自適應(yīng)的襯底切換電路結(jié)構(gòu)及電池保護(hù)芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)