本發(fā)明公開了一種近化學計量比鈮酸鋰晶體的生長方法,其經過步驟(1)~(5)后得到近化學計量比鈮酸鋰晶體,且在步驟(3)中加入摻入量為0.3~2.0mol.%的Nd2O3或Er2O3,在步驟(4)中對Pt坩堝進行密封Pt坩堝,在步驟(5)中用坩堝下降法生長晶體,生長晶體的參數為:爐體溫度為1250~1350℃,接種溫度為1100~1200℃,溫度梯度為80~120℃,下降速度為1~3mm/h,待晶體生長結束后,以20~80℃/h下降爐溫至室溫;這樣能得到較大和質量較高的晶體,鈮酸鋰晶體中-OH的量也較低,測定得到本發(fā)明得到的鈮酸鋰晶體中的
稀土金屬離子Nd和Er具有較長的熒光壽命,從具體實施結果比較,本發(fā)明得到的晶體,摻雜其中的稀土金屬離子Nd和Er的熒光壽命比現有生長方法得到的晶體摻雜其中的Nd和Er的熒光壽命長3倍多。
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我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)