本發(fā)明提供一種化學(xué)機(jī)械研磨方法,包括以下步驟:獲得形成所述溝槽所使用的光掩膜版的光刻透光率TR以得到所述介質(zhì)層的圖案密度PD;基于所述光掩膜版的光刻透光率TR獲得化學(xué)機(jī)械研磨的第一研磨階段的粗磨終點(diǎn)預(yù)測值K;根據(jù)所述終點(diǎn)預(yù)測值K,于化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺的菜單中設(shè)定第一研磨階段的粗磨終點(diǎn)值,并進(jìn)行研磨;粗磨至設(shè)定值,終止第一研磨階段,開始第二研磨階段。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨方法能夠簡化尋找試樣導(dǎo)電去除層的第一研磨階段的粗磨終點(diǎn)的步驟,縮短尋找時(shí)間,減少了試作風(fēng)險(xiǎn),改善了介質(zhì)層的圖案密度PD差異引起的良率問題。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械研磨方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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