具有良好非晶形成能力的GD-CO-AL-ZR大塊金屬玻璃及其制備方法 675     

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本發(fā)明提供一種具有良好非晶形成能力和熱穩(wěn)定性的稀土釓基GD-CO-AL-ZR大塊金屬玻璃及其制備方法,屬于金屬材料科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明釓基大塊金屬玻璃包含組分及其原子百分比為:52.5～53.8%釓、16.5～20.5%鈷、25.0～30.0%鋁、1.0～3.0%鋯。本發(fā)明還提供了GD-CO-AL-ZR大塊金屬玻璃的制備方法,具體為:將金屬釓、鈷、鋁、鋯按規(guī)定原子百分比配料,通過電弧熔煉的方法直至合金熔化均勻,獲得GD-CO-AL-ZR的母合金鑄錠,然后采用銅模吸鑄法獲得最大直徑為8毫米的大塊金屬玻璃。本發(fā)明提供的GD-CO-AL-ZR大塊金屬玻璃,具有很高的非晶形成能力和熱穩(wěn)定性,在磁致冷功能材料及結(jié)構(gòu)材料方面有廣闊的應(yīng)用前景。

二元梯度摻雜BST薄膜的制備方法 973     

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針對常規(guī)BST薄膜居里溫度(Tc)范圍窄導(dǎo)致鐵電相或順電相單相結(jié)構(gòu),從而導(dǎo)致BST薄膜綜合介電性能難以提高的技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種二元梯度摻雜BST薄膜的制備方法,屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域。通過對(Ba+Sr)/Ti摩爾比,摻雜元素、濃度、梯度與方向以及薄膜設(shè)計(jì)、預(yù)熱處理與膜厚(或?qū)訑?shù))的控制,制備Tc范圍拓寬的二元梯度摻雜BST薄膜,具有鐵電相和順電相復(fù)合結(jié)構(gòu),獲得介電常數(shù)小于240、調(diào)諧率大于25%、介電損耗小于0.63%及介溫系數(shù)小于0.0024/K的優(yōu)異綜合性能。該方法方便、快捷、廉價(jià)、高效,制備的二元梯度摻雜BST薄膜能實(shí)現(xiàn)在微波調(diào)諧器件中的應(yīng)用。

高抗電強(qiáng)度無鉛儲能介質(zhì)陶瓷材料及其制備方法 733     

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高抗電強(qiáng)度無鉛儲能介質(zhì)陶瓷材料及其制備方法，屬于電子信息功能材料與器件技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明的高抗電強(qiáng)度無鉛儲能介質(zhì)陶瓷材料，其特征在于，其組成通式為：(Sr_0.7Ba_0.3)_aR_6?aX_2+aY_8?aO₃₀，其中X為Nb⁵⁺或Ta⁵⁺，Y為Ti⁴⁺或Zr⁴⁺，R為3價(jià)稀土元素，a的值為4或5。本發(fā)明在達(dá)到高抗電強(qiáng)度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了較高的儲能效率，節(jié)約了能源成本，應(yīng)用前景廣泛。

利用高溫超高壓制備片狀二硒化鉑的方法 636     

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本發(fā)明公開了一種利用高溫超高壓制備片狀二硒化鉑的方法，屬于功能材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明直接以單質(zhì)鉑和硒粉為原料，無需任何反應(yīng)助劑，在高溫高壓下合成；本發(fā)明可通過控制合成溫度和壓力來調(diào)整產(chǎn)品的純度，并制備出純相、結(jié)晶性能良好、大晶粒尺寸的塊體狀二硒化鉑(PtSe2)；本發(fā)明主要包括樣品處理、樣品組裝、高溫高壓反應(yīng)和退火去硒這四個(gè)步驟，制備方法簡單、制備同期短，制得的二硒化鉑(PtSe2)結(jié)晶性好、晶粒大，適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)；本發(fā)明發(fā)展了新型的二維半導(dǎo)體制備方法，為二硒化鉑等過渡金屬硫族化合物的可控制備，以及相關(guān)二維材料在光電子器件和催化劑方面的潛在應(yīng)用提供了可靠的制備手段，具有廣闊的應(yīng)用前景。

OLED圖像源 619     

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本實(shí)用新型涉及一種OLED圖像源。所述OLED圖像源采用一個(gè)高亮度OLED顯示器件,所述高亮度OLED顯示器件不帶偏光片,包括玻璃基板、位于玻璃基板之上的透明陽極、位于透明陽極之上的至少一組有機(jī)功能材料層及發(fā)光層、位于有機(jī)功能材料層及發(fā)光層之上的金屬陰極。本實(shí)用新型的有益效果是:由于本實(shí)用新型的投影系統(tǒng)采用高亮度的OLED顯示器件,不需要額外的照明系統(tǒng),同時(shí)本實(shí)用新型采用的OLED顯示器件,也不必采用偏光片來消除環(huán)境光,這樣,不但簡化了投影系統(tǒng)簡單,而且提高了OLED的亮度,有效的降低了投影顯示產(chǎn)品的成本。

應(yīng)用于乙醇傳感器的VSe₂單晶薄膜的制備方法 796     

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本發(fā)明提供的一種應(yīng)用于乙醇傳感器的VSe2單晶薄膜的制備方法，屬于功能材料制備技術(shù)領(lǐng)域。首先將V和Se粉體放置于石英管底部，將石英管抽真空并進(jìn)行封管；然后將封裝好的石英管豎直放入立式爐中，通過設(shè)定立式爐的升降溫及保溫程序，精確控制爐內(nèi)溫度以滿足晶體的加熱、長晶過程，V和Se粉體在溫度與重力場的協(xié)同作用下，變成蒸汽并在臺階處的基片上生長得到VSe2單晶薄膜。本發(fā)明方法中，晶體的生長是在真空石英管中完成的，不涉及氣體的通入及廢氣的處理過程；且方法簡單，成本低廉，得到的單晶薄膜純度高，品質(zhì)好，可作為高純度本征單晶半導(dǎo)體材料，應(yīng)用于乙醇傳感器等氣體傳感器中。

鎢青銅結(jié)構(gòu)的無鉛儲能介質(zhì)陶瓷材料及其制備方法 796     

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一種鎢青銅結(jié)構(gòu)的無鉛儲能介質(zhì)陶瓷材料，屬于電子信息功能材料與器件技術(shù)領(lǐng)域。該陶瓷材料由(Sr_0.7Ba_0.3)₅RX₇Y₃O₃₀相和(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃相構(gòu)成，(Sr_0.7Ba_0.3)₅RX₇Y₃O₃₀相的含量為60wt％～90wt％，(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃相的含量為10wt％～40wt％，X為Nb⁵⁺或Ta⁵⁺，Y為Ti⁴⁺或Zr⁴⁺，R為3價(jià)稀土。本發(fā)明在稀土摻雜改性的SrO?BaO?X₂O₅系陶瓷材料的基礎(chǔ)上，加入不同半徑及電價(jià)的低熔點(diǎn)離子氧化物，有效降低了材料的鐵電響應(yīng)，提高材料的弛豫性，同時(shí)通過降低燒結(jié)溫度改善材料微觀結(jié)構(gòu)，得到的陶瓷材料具有優(yōu)異的儲能性能。

納米棒狀氧化銦氣敏材料的制備方法 945     

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本發(fā)明涉及一種納米棒狀結(jié)構(gòu)的氧化銦(In2O3)氣敏材料的制備方法，屬于無機(jī)納米功能材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以四水合三氯化銦為銦源，采用十六烷基三甲基溴化銨為表面活性劑，在氫氧化鈉堿性條件下水熱反應(yīng)制備氫氧化銦，最后進(jìn)行熱焙燒處理得到納米棒狀結(jié)構(gòu)的氧化銦氣敏材料。最終制備的氧化銦為立方相In2O3納米棒狀結(jié)構(gòu)，對二氧化氮?dú)怏w和硫化氫氣體都具有很好的傳感檢測性能，而且對其他氣體(一氧化碳、乙醇、氨氣、氫氣、甲醛等)不敏感；并且工作溫度低、響應(yīng)恢復(fù)迅速、靈敏度很高、檢測限極低、選擇性高、穩(wěn)定性高。此外，這種氧化銦氣敏材料還可以用于催化劑、電池材料、光電材料等領(lǐng)域。

光敏聚酰亞胺及其制備方法 1008     

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一種光敏聚酰亞胺及其制備方法，屬于感光耐熱 高分子功能材料。所述PSPI的主要成份的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元結(jié)構(gòu) 式為：(見圖)其中，聚合度n＝1－200； Ar1為芳香酮化合物； Ar2為苯環(huán)或萘環(huán)；R為鄰位上含 烷基、烷氧基或甲硫基的苯環(huán)；R′為α、β不飽和酮基或取 代α、β不飽和酮基。以苯環(huán)鄰位上含烷基、烷氧基或甲硫基 的光敏性二胺和含丙烯?；墓饷粜远窞樵?，將四羧酸二 酐有機(jī)溶液緩慢滴入光敏性二胺混合溶液進(jìn)行聚合，再通過化 學(xué)亞胺化得到所述PSPI。該類聚合物是一種結(jié)構(gòu)型與自增感型 結(jié)合的PSPI，分子結(jié)構(gòu)中含有兩種能夠發(fā)生光交聯(lián)反應(yīng)的光敏 活性基團(tuán)，具有更高的光敏性和分辨率，優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和溶 解性，光刻成形后膜的收縮率極小，在光刻工藝中有著廣泛的 應(yīng)用前景。

基于常壓化學(xué)氣相沉積法制備二氧化錫微納米材料的方法 717     

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本發(fā)明提供了一種常壓化學(xué)氣相沉積法可控制備不同形貌的二氧化錫微納米材料的方法，將碳質(zhì)材料與溶劑混合，研磨成糊狀，均勻的涂覆在電阻圈上，經(jīng)煅燒后，作為沉積材料的基底；將電阻圈放入反應(yīng)腔中，先通入保護(hù)氣，后將氯化亞錫溶液與硼氫化鉀溶液混合產(chǎn)生錫化氫，并由載氣帶入反應(yīng)腔，加熱到設(shè)定溫度沉積一段時(shí)間后停止反應(yīng)。持續(xù)通保護(hù)氣至電阻圈冷卻，將電阻圈放入馬弗爐中煅燒,在基底上得到了白色的二氧化錫材料。本發(fā)明通過改變沉積的溫度、時(shí)間和基底，實(shí)現(xiàn)了對二氧化錫材料的可控合成。該發(fā)明所用儀器簡單，在常壓下沉積，成本低，沒有外加催化劑，易操作，有望成為一種普遍的方法來制備結(jié)晶度好，形貌特殊的多功能材料。

具有超薄層結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件 693     

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本發(fā)明公開了一種非摻雜的、具有超薄結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件,包括導(dǎo)電基板或者襯底、陽極層和陰極層,其中一種電極位于襯底或者導(dǎo)電基板表面,所述陽極層和陰極層之間設(shè)置有機(jī)功能層,它至少包括發(fā)光層,該發(fā)光層具有超薄結(jié)構(gòu)材料層,在外加電源的驅(qū)動(dòng)下發(fā)光,其特征在于:超薄結(jié)構(gòu)材料層厚度在5NM以內(nèi),是非摻雜結(jié)構(gòu)的薄層;超薄結(jié)構(gòu)材料層是藍(lán)色系、綠色系和紅色系的有機(jī)電致發(fā)光材料;采用常規(guī)的性能優(yōu)良的發(fā)光材料,作為有機(jī)層中的功能材料,通過改變器件的結(jié)構(gòu)、功能層的組份及厚度,制備高性能的、彩色的有機(jī)電致發(fā)光器件,滿足信息顯示、照明的需求。

金屬基石墨烯復(fù)合電接觸材料及其制備方法 983     

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一種金屬基石墨烯復(fù)合電接觸材料及其制備方法,屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域。所述金屬基石墨烯復(fù)合電接觸材料,包含0.02-10wt%的石墨烯,其余為金屬基體材料;其中石墨烯均勻分散在所述金屬基體材料中。制備時(shí),首先在基體金屬的鹽溶液中加入石墨烯,采用水合肼還原法在石墨烯表面沉積少量的基體金屬;然后將表面沉積了基體金屬的石墨烯分離、烘干后與基體金屬粉末混合均勻;最后采用真空熔煉法對所述混合物進(jìn)行真空熔煉,得到金屬基石墨烯復(fù)合電接觸材料。本發(fā)明提供的金屬基石墨烯復(fù)合電接觸材料,由于石墨烯增強(qiáng)相的加入,使得該復(fù)合電接觸材料具有比其他增強(qiáng)相復(fù)合電接觸材料更有優(yōu)越的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能和更高的硬度和耐磨性,穩(wěn)定性更高,抗熔焊能力更強(qiáng)。

流動(dòng)生物芯片及其使用方法 981     

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本發(fā)明公開了一種流動(dòng)生物芯片及其使用方法。目前,所有以非開放式反應(yīng)器為特征的流動(dòng)生物芯片,生產(chǎn)過程都比較復(fù)雜,操作和掃描條件比較苛刻,使其應(yīng)用受到很大限制。而目前所有以開放式反應(yīng)器為特征的生物芯片,在檢測過程中液體介質(zhì)不能定向流動(dòng),使用效率不高。本發(fā)明中的生物芯片,其特征為含有一種反應(yīng)和操作液相介質(zhì)可以定向流動(dòng)、反應(yīng)結(jié)果可以通過探針陣列上方的無覆蓋開放結(jié)構(gòu)被外部儀器或肉眼直接讀取的開放式流動(dòng)反應(yīng)器。本發(fā)明提供的這種生物芯片,具有結(jié)構(gòu)簡單、功能-材料組合優(yōu)化、單位反應(yīng)器成本低、操作快捷和容易掃描的優(yōu)點(diǎn)。

基于AgVO3納米線的呼吸傳感器及其制備方法 950     

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一種基于AgVO3納米線的呼吸傳感器及其制備方法，屬于功能材料制備技術(shù)領(lǐng)域。該呼吸傳感器包括四層結(jié)構(gòu)，自下而上依次為柔性基板、電極層、AgVO3納米線功能層和封裝層，該傳感器選取彈性模量為1GPa～4GPa的有機(jī)材料作為柔性基板，在其上采用光刻工藝形成電極層，然后在電極層上涂覆AgVO3納米線功能層，最后采用醫(yī)用敷料封裝，得到了柔性的呼吸傳感器。本發(fā)明呼吸傳感器采用多層的層疊結(jié)構(gòu)，柔性基板具有可彎折性和抗拉伸性，保證了傳感器的性能穩(wěn)定；同時(shí)，與現(xiàn)有呼吸監(jiān)測器件相比，本發(fā)明呼吸傳感器能夠檢測到的呼吸強(qiáng)度變化范圍大，靈敏度高，具有良好的工藝可控性和重復(fù)性，有利于實(shí)現(xiàn)大規(guī)模批量化生產(chǎn)。

非含銀稀土銅碲高導(dǎo)合金材料 880     

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本發(fā)明主要是由碲、富鑭稀土金屬和銅三種元素的材料冶煉而成的非含銀稀土銅碲合金材料,是一種新型高傳導(dǎo)功能材料,其中的銅占絕大部分。在上述合金材料成份的基礎(chǔ)上,本非含銀稀土銅碲高導(dǎo)合金材料還可以是含有鎂的稀土碲鎂銅合金材料或是含有磷的稀土碲磷銅合金材料。該合金材料由于充分利用我國稀土資源,并摻入微量元素碲,使冶煉出的稀土銅碲合金材料成為傳統(tǒng)銀銅合金的優(yōu)良替代產(chǎn)品,解決了“以銅代銀”的世界性難題,不僅滿足了我國電工生產(chǎn)對高導(dǎo)材料的需要,而且為國家節(jié)約了大量的貴重金屬銀。

用于涂層材料的氮化硅功能前體及其制備方法和應(yīng)用 1093     

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本發(fā)明公開了一種用于涂層材料的氮化硅功能前體及其制備方法和應(yīng)用。功能前由以下重量份數(shù)的原料合成：氮化硅2.5～5份，鈰釔稀土2.5～5份，納米蒙脫石20份，無水乙醇50份，正硅酸乙酯0～90份；制備方法包括將氮化硅、鈰釔稀土、納米蒙脫石在加入無水乙醇中攪拌，并保持溫度小于35℃的條件下分散即得；或再加入正硅酸乙酯水解液攪拌均勻即得。涂層材料由樹脂、氮化硅功能前體、顏料、固化劑、粘度調(diào)節(jié)劑混合攪拌均勻制成。本發(fā)明提供一種包括氮化硅、鈰釔稀土、納米蒙脫石制備的功能材料及其在涂層材料中的應(yīng)用。經(jīng)檢測本發(fā)明氮化硅功能材料及其制備的涂層材料得到的涂層具有優(yōu)異的硬度和耐磨性能，同時(shí)大大提高的耐候性和具有良好的施工性。

遠(yuǎn)紅外寬頻帶周期性吸波結(jié)構(gòu) 1017     

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本發(fā)明屬于功能材料與器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種遠(yuǎn)紅外寬頻帶周期性吸波結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的吸波結(jié)構(gòu)包括底層金屬薄膜和吸波單元陣列。吸波單元陣列從底層至上依次為：第一介質(zhì)層和圓形貼片陣列。圓形貼片陣列由圓形貼片橫向和縱向等距設(shè)置于連續(xù)的第一介質(zhì)層上。圓形貼片自底層至上依次為：第一金屬層、第二介質(zhì)層和第二金屬層。底層金屬薄膜和金屬層的材質(zhì)為Al，介質(zhì)層為Al2O3。本發(fā)明采用2組金屬?介質(zhì)夾層結(jié)構(gòu)，在8?11um內(nèi)具有較大波段發(fā)射率，且具有寬頻特性在8.7?9.96um波段內(nèi)的發(fā)射率大于80％，應(yīng)用于航天熱控系統(tǒng)中以解決衛(wèi)星散熱問題。

高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法 955     

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本發(fā)明公開了一種高氧化度的天然高分子多糖的氧化方法,以還原性多糖為原料在氧化劑的作用下制取水凝膠,采用如下的工藝條件:以高碘酸鈉作為氧化劑,以至少一種以下物質(zhì):鹽酸、硫酸、磷酸、醋酸、甲酸、檸檬酸、具有Lewis酸性質(zhì)的綠色溶劑離子液為催化劑;調(diào)節(jié)體系的pH在酸性范圍在室溫下避光反應(yīng)4小時(shí),經(jīng)后處理得到不同氧化度的天然高分子多糖高強(qiáng)度水凝膠。本發(fā)明方法獲得的產(chǎn)品具有氧化度高,與其它反應(yīng)物之間的交聯(lián)更加容易,形成的化學(xué)鍵更加牢固的優(yōu)點(diǎn),能形成高強(qiáng)度水凝膠,并且凝膠的降解速率可以得到控制,適合用于制備骨組織功能材料。

氧化錳表面改性的氧化鋅納米棒材的制備方法 706     

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一種氧化錳表面改性的氧化鋅納米棒材的制備方法,屬于無機(jī)功能材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明首先利用氫氧化鈉與醋酸鋅和醋酸錳混合水溶液的絡(luò)合反應(yīng),生成氫氧化鋅和氫氧化錳的復(fù)合溶膠;然后將復(fù)合溶膠體系轉(zhuǎn)入水熱釜中,利于水熱反應(yīng)直接制備氧化鋅納米棒材的同時(shí)在其表面形成氧化錳納米顆粒。本發(fā)明制備過程簡單,易操作,適合大規(guī)模制備;所制備氧化錳納米顆粒表面改性的氧化鋅納米棒材具有六方閃鋅礦結(jié)構(gòu),表面氧化錳顆粒直徑較小,并且顆粒在表面均勻分布,比表面積大;本發(fā)明制備的氧化錳納米顆粒表面改性的氧化鋅納米棒材可用于制備氣體傳感器、光催化劑、光電材料和催化劑載體等。

用于海水提鈾的介孔離子化合物的制備方法 888     

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本發(fā)明公開了一種介孔離子化合物的制備方法，屬于多孔功能材料合成領(lǐng)域。本發(fā)明采用簡單的納米微乳液的方法，制備出介孔無機(jī)離子化合物。利用這種方法可以制備多種無機(jī)離子化合物。利用其中的介孔無機(jī)離子化合物如介孔碳酸鈣在海水提鈾中表現(xiàn)出較高的效率。本發(fā)明現(xiàn)對于現(xiàn)有的偕胺肟材料等技術(shù)相比，具有制備方法相對簡單，方法具有普適性可大規(guī)模推廣的優(yōu)點(diǎn)。其不僅可以作為廉價(jià)高效的鈾吸附劑，也可作為后續(xù)的良好的吸附載。

鋯鈦酸鉛壓電氣凝膠的制備方法 1062     

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一種鋯鈦酸鉛壓電氣凝膠的制備方法，屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種簡單、易操作、成本低的鋯鈦酸鉛壓電氣凝膠的制備方法，使用的鋯源和鈦源分別是正丙醇鋯和鈦酸四丁酯，成本低，且不需要乙酰丙酮作螯合劑；得到的溶膠無需在150℃減壓蒸餾條件下反應(yīng)4h，只需在常溫常壓條件下即可得到，耗時(shí)約為30min；該方法得到的PZT氣凝膠透明度更高，比表面積更大，最大比表面積大于500m2/g。

鈦酸鍶單晶基片上外延生長氧化鎂納米線的方法 1086     

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鈦酸鍶單晶基片上外延生長氧化鎂納米線的方法,涉及微電子材料領(lǐng)域,特別涉及應(yīng)用于氧化物(氧化鎂)-復(fù)合氧化物(鈦酸鍶)異質(zhì)外延中納米線及其表面周期結(jié)構(gòu)的制備方法。本發(fā)明提供的方法制備得到的材料具有優(yōu)越的電學(xué)、光學(xué)、力學(xué)和熱學(xué)性質(zhì)。本發(fā)明的方法為:在真空環(huán)境下,對鈦酸鍶單晶基片進(jìn)行熱處理然后以激光剝離氧化鎂陶瓷靶材,產(chǎn)生的激光等離子體沉積在鈦酸鍶單晶基片上,制得氧化鎂薄膜;同時(shí)監(jiān)控沉積過程,在鈦酸鍶基片上形成有序表面周期結(jié)構(gòu)的氧化鎂納米線后,停止沉積。本發(fā)明制得的具有序表面周期結(jié)構(gòu)的氧化鎂納米線,將使氧化鎂這種功能材料在納米尺度的范圍內(nèi)體現(xiàn)出有別于塊材的特殊光、電、磁、化性質(zhì)。

尼龍1及其制備方法和應(yīng)用 919     

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本發(fā)明屬于功能高分子材料領(lǐng)域，具體涉及一種尼龍1及其制備方法，以及其在電功能材料方向的應(yīng)用。所述尼龍1的結(jié)構(gòu)式為式中R₁、R₂是封端基團(tuán)，n＝10?500、進(jìn)一步優(yōu)選n＝10?300。所述尼龍1具有最高密度的酰胺鍵、肽鍵、脲鍵，具有最大偶極子濃度和極大偶極矩，其熱分解溫度達(dá)到280?370℃，分子結(jié)構(gòu)規(guī)整。本發(fā)明進(jìn)一步提供所述尼龍1的制備方法，具體為利用超臨界二氧化碳進(jìn)行尿素的縮聚反應(yīng)，能夠制備得到具有期望聚合度的尼龍1聚合物，反應(yīng)全過程不使用或產(chǎn)生任何有毒物質(zhì)，不會(huì)對環(huán)境造成污染，采用綠色合成工藝實(shí)現(xiàn)了CO₂的綜合有效利用。本發(fā)明進(jìn)一步提供前述尼龍1作為鐵電材料的用途。

染料敏化太陽能電池復(fù)合光陽極 756     

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本發(fā)明提供了一種染料敏化太陽能電池復(fù)合光陽極,屬于功能材料及器件技術(shù)領(lǐng)域,涉及染料敏化太陽能電池。所提供的復(fù)合光陽極包括導(dǎo)電玻璃、二氧化鈦過渡層和復(fù)合二氧化鈦改性層;所述二氧化鈦過渡層由采用水熱法制備的二氧化鈦漿料刮涂于導(dǎo)電玻璃的導(dǎo)電層表面并經(jīng)烘干、燒結(jié)而成;所述復(fù)合二氧化鈦改性層采用二氧化鈦混合漿料刮涂于二氧化鈦過渡層表面并經(jīng)烘干、燒結(jié)而成;所述二氧化鈦混合漿料由采用水熱法制備的二氧化鈦漿料與采用模板法制備的二氧化鈦空心微球混合而成,其中二氧化鈦空心微球摻有10%至40%的銀、直徑在400～1000納米之間。本發(fā)明提供的染料敏化太陽能電池復(fù)合光陽極現(xiàn)有的二氧化鈦光陽極具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率。

陶瓷材料及其制備方法 626     

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本發(fā)明公開了一種陶瓷材料及其制備方法，屬于電子信息功能材料與器件技術(shù)領(lǐng)域。所述陶瓷材料由主晶相材料與摻雜相材料經(jīng)球磨混合、干壓成型、燒結(jié)制成，包括主晶相MgSiO3和摻雜相硼硅酸鹽玻璃、Al2O3、ZnO、La2O3；各組分的質(zhì)量百分比含量為MgSiO385～97％，硼硅酸鹽玻璃1～8％，Al2O31～3％，ZnO0.5～2％，La2O30.5～2％；與現(xiàn)有技術(shù)的同類陶瓷材料相比，本發(fā)明具有優(yōu)良的性能：成瓷密度ρ> 2.7g/cm3，較低的介電常數(shù)(εr< 7.0)、高的抗彎強(qiáng)度(> 150MPa)；本發(fā)明工藝簡單、價(jià)格低廉、生產(chǎn)重復(fù)性能好，使MgSiO3陶瓷基板材料低成本批量化穩(wěn)定生產(chǎn)成為可能。

超聲霧化法制備球形VO₂納米粉體的方法及裝置 639     

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本發(fā)明公開了一種超聲霧化法制備球形VO₂納米粉體的方法及裝置，涉及無機(jī)功能材料制備領(lǐng)域，解決的技術(shù)問題是提供一種可制備二氧化釩粉體的方法及裝置。本發(fā)明的方法將五氧化二釩溶解于水中，形成一定濃度的含釩溶液；再將含釩溶液進(jìn)行霧化，然后在惰性氣體的氣氛中充分干燥，再與還原性氣體在加熱的條件將五氧化二釩還原，反應(yīng)得到二氧化釩粉體并進(jìn)行收集。為了促進(jìn)五氧化二釩的溶解，將五氧化二釩加入去離子水中，加熱攪拌，再加入助溶劑。含釩溶液霧化后，先進(jìn)入第一管式爐進(jìn)行干燥，再進(jìn)入緩沖容器，再進(jìn)入第二管式爐進(jìn)行還原反應(yīng)，反應(yīng)后進(jìn)入收集容器；其中，緩沖容器設(shè)置還原性氣體進(jìn)氣口。本發(fā)明適于制備粒度小、純度高的二氧化釩粉體。

雙摻雜白光LED用復(fù)合熒光材料及其制備方法 764     

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一種雙摻雜白光LED用復(fù)合熒光材料及其制備方法，屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域。所述復(fù)合熒光材料，為一種摻Eu3+和Nd3+的釩酸鉬酸鹽復(fù)合粉體材料，分子式為Na0.25-x-ySr1.75(MoO3)2-z(VO4)z:EuxNdy，其中0.02≤x≤0.16，0.02≤y≤0.08，0

紫外與紅光雙模式激發(fā)白光的LED用熒光粉及制備方法 703     

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一種紫外與紅光雙模式激發(fā)白光的LED用熒光粉及其制備方法，屬于功能材料技術(shù)領(lǐng)域。所述熒光粉為一種摻Tb3+離子的Sr2V2O7粉體材料，晶向結(jié)構(gòu)為三斜晶向，分子式Sr2-xV2O7∶Tbx，其中0

陶瓷材料及其制備方法 664     

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本發(fā)明公開了一種陶瓷材料及其制備方法，屬于電子信息功能材料與器件技術(shù)領(lǐng)域。所述陶瓷材料由主晶相材料和摻雜相材料經(jīng)球磨混合、預(yù)燒、干壓成型、燒結(jié)制成，包括主晶相Mg2SiO4和摻雜相硅酸鹽玻璃、Al2O3、ZnO、La2O3；各組分的質(zhì)量百分比含量為Mg2SiO482～93％，硼硅酸鹽玻璃5.4～16.4％，Al2O31～3％，ZnO0.3～2％，La2O30.3～2％；與現(xiàn)有技術(shù)的同類陶瓷材料相比，本發(fā)明具有優(yōu)良的性能：成瓷密度ρ> 2.8g/cm3，較低的介電常數(shù)(εr< 7.0)、高的抗彎強(qiáng)度(> 180MPa)和良好的熱學(xué)性能(熱導(dǎo)率> 5w/m·k)；本發(fā)明工藝簡單、價(jià)格低廉、生產(chǎn)重復(fù)性能好，使硅酸二鎂陶瓷基板材料的高強(qiáng)度及低成本化生產(chǎn)成為可能。

印刷電子工藝 872     

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本發(fā)明屬于印制電子中的基底材料領(lǐng)域，具體涉及一種印刷電子工藝。本發(fā)明采用含氮弱堿對聚酰亞胺基底進(jìn)行表面活化，替換了現(xiàn)有技術(shù)活化時(shí)采用的KOH或NaOH強(qiáng)堿溶液。含氮弱堿對聚酰亞胺基底表面的親核進(jìn)攻在其表面形成較多含氮基團(tuán)，增強(qiáng)了聚酰亞胺基底表面的極性，從而增大了其與打印功能材料間的結(jié)合力。相對現(xiàn)有的印刷電子工藝，本發(fā)明基底與打印功能材料結(jié)合力強(qiáng)、重復(fù)性好、基底腐蝕度低。