本發(fā)明公開了一種基于埋層的垂直結(jié)構(gòu)存儲器的制備方法。該方法采用填埋下電極和存儲
功能材料層,不僅可以實現(xiàn)良好的電熱絕緣,而且避開了以往制備此類垂直結(jié)構(gòu)器件對化學(xué)機械拋光(CMP)的依賴。該方法在電子束曝光、聚焦粒子束刻蝕等高精度線性光刻手段,及高精度的薄膜淀積與刻蝕工藝輔助下,解決了以往研發(fā)此類垂直結(jié)構(gòu)由CMP技術(shù)的研發(fā)瓶頸所導(dǎo)致的研發(fā)周期長、難度大、成本高、適用性差的缺點,并在制備精度、制備效率、經(jīng)濟性以及與現(xiàn)有的CMOS工藝兼容性等方面具有很大的優(yōu)越性。
聲明:
“基于埋層的垂直結(jié)構(gòu)存儲器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)