本發(fā)明公開(kāi)了一種鉭酸鋰敏感元及應(yīng)用其的紅外熱釋電傳感器、制備方法,包括鉭酸鋰晶圓、底部電極、硅襯底、頂部電極和吸收層。本發(fā)明對(duì)鉭酸鋰晶圓頂部金屬電極進(jìn)行圖案化處理,對(duì)于單個(gè)
芯片而言,頂部電極通過(guò)硬掩膜設(shè)計(jì)一分為二,和底部金屬電極共同構(gòu)成了兩個(gè)熱釋電探測(cè)器敏感元,蒸鍍有底部電極的鉭酸鋰晶圓和硅襯底鍵合后再減薄,可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用需求減薄到合適的厚度,性能更優(yōu),可根據(jù)實(shí)際需求采用包括表面貼裝器件貼片封裝等在內(nèi)的多種封裝形式,封裝形式多樣,頂部電極通過(guò)圖案化處理,預(yù)留引線鍵合區(qū)域,同時(shí)設(shè)計(jì)有對(duì)引線鍵合區(qū)域的支撐結(jié)構(gòu),降低工藝制程風(fēng)險(xiǎn)。
聲明:
“鉭酸鋰敏感元及應(yīng)用其的紅外熱釋電傳感器、制作方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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