本實用新型提供一種NLDMOS器件,還提供了一種鋰電保護器件、
芯片及電子產(chǎn)品。其中實施例中NLDMOS器件包括BN區(qū)域;位于所述BN區(qū)域上方的N型阱區(qū);位于所述N型阱區(qū)的深孔區(qū)域,所述深孔區(qū)域連接所述BN區(qū)域,且在所述深孔區(qū)域填充金屬引出漏極,從而使得漏極N+區(qū)域與所述BN區(qū)域?qū)?;本實用新型縮小了NLDMOS器件的面積。
聲明:
“NLDMOS器件、鋰電保護器件、芯片及電子產(chǎn)品” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)