本發(fā)明涉及一種多用途硅微納米結(jié)構(gòu)制備技術(shù),屬于
新材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將金屬催化硅腐蝕技術(shù)與光刻技術(shù)相結(jié)合,研制出了一種大面積高度有序硅微納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法。即利用電子束或紫外光等曝光技術(shù)將光刻掩模板上的微結(jié)構(gòu)圖形精確地復(fù)制在涂有光致抗蝕劑的清潔硅片表面,進而獲得腐蝕時所需要的、有抗蝕劑保護的圖形。利用高真空熱蒸發(fā)等技術(shù)在處理后的硅片表面沉積金屬銀膜,并將硅片表面的抗蝕劑及覆蓋在其上面的銀膜去除后,將硅片浸入含有氧化劑的氫氟酸腐蝕溶液的密閉容器中處理10-100分鐘,便得到大面積有序硅微納米結(jié)構(gòu)陣列。這種大面積有序硅微納米結(jié)構(gòu)在
太陽能電池、
鋰電池負極材料、氣敏元件以及活性表面增強拉曼光譜術(shù)襯底等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“多用途硅微納米結(jié)構(gòu)制備技術(shù)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)