本發(fā)明公開了一種氧化亞銅薄膜的制備方法,本發(fā)明涉及一種氧化亞銅(Cu2O)薄膜的簡單制備方法。本發(fā)明通過采用含氯離子的氯化鈉、氯化鉀等為前驅(qū)物,使用水熱法在金屬銅片襯底上原位生長Cu2O薄膜,并能進(jìn)行快速規(guī)?;纳a(chǎn)。方法是將金屬銅片浸入一定濃度的含有氯離子的鹽溶液中,在一定溫度下保持一定時(shí)間,即可得到原位生長的Cu2O薄膜。通過簡單的水熱法制備方法得到的Cu2O薄膜在
光伏器件、鋰離子電池和光催化劑、殺菌劑領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用。
聲明:
“氧化亞銅薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)