本發(fā)明公開了一種高消光比電光調(diào)制器,包括鈮酸鋰基片、U型槽光纖固定裝置、輸入輸出光纖以及級(jí)聯(lián)M?Z干涉儀結(jié)構(gòu);級(jí)聯(lián)M?Z干涉儀結(jié)構(gòu)包括級(jí)聯(lián)M?Z干涉光波導(dǎo)、直波導(dǎo)、分離的行波電極和偏置電極;其中輸入光纖和輸出光纖均為熊貓型保偏光纖;U型槽光纖固定裝置固定輸入光纖和輸出光纖,使光纖與波導(dǎo)耦合對(duì)接;每一級(jí)M?Z干涉儀的分束耦合區(qū)采用Y分支波導(dǎo)結(jié)構(gòu),在兩級(jí)M?Z干涉儀之間加入直波導(dǎo);在M?Z干涉儀波導(dǎo)兩側(cè)制作共面金屬行波電極,設(shè)置分離的偏置電極。本發(fā)明大大提高了器件的消光比,為激光雷達(dá)和光纖傳感中高消光比光脈沖產(chǎn)生技術(shù)提供了低成本、集成化外調(diào)制器件。
聲明:
“高消光比電光強(qiáng)度調(diào)制器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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