目前制備單層二硫化鉬的方法包括微機械剝離法、液相超聲剝離法、鋰離子插層法、激光法和退火逐層變薄法、化學(xué)氣相沉積法?;瘜W(xué)氣相沉積法制備的二硫化鉬尺寸大、表面均勻且層數(shù)可控。采用化學(xué)氣相沉積法制備二硫化鉬時,二硫化鉬容易在襯底上的雜質(zhì)或劃痕等缺陷處成核生長。如果襯底清洗不干凈,二硫化鉬就極易長成多層或體材料,徹底清洗襯底,會用到丙酮、食人魚溶液等有毒危險藥品,這些藥品對人體有毒害作用,因而操作過程中具有潛在的危險?;谏鲜鰡栴},本發(fā)明的目的在于提供一種制備單層二硫化鉬的簡化的化學(xué)氣相沉積法,能夠制備出高質(zhì)量的單層二硫化鉬,同時不需要使用丙酮、食人魚溶液等有毒危險藥品清洗襯底,避免了潛在的危險。
聲明:
“單層二硫化鉬的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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