本發(fā)明涉及一種CLBO(CsLiB
6O
10硼酸銫鋰)晶體的無(wú)水拋光工藝。該拋光工藝包括拉亮、粗拋和精拋三個(gè)工序,各工序使用的拋光輔料均不含水;拉亮工序采用蓖麻油及W1.0鉆石粉混合液在聚氨酯盤拉亮去除砂眼并控制平行度;粗拋工序采用蓖麻油在瀝青盤上拋光控制平面度、平行度、光潔度等指標(biāo);精拋工序采用無(wú)水試劑OPW在黑色絨布盤上拋光進(jìn)一步優(yōu)化光潔度。該工藝在保證產(chǎn)品平面度、光潔度等指標(biāo)滿足要求的前提下,解決了CLBO晶體傳統(tǒng)含水拋光易吸潮開裂的技術(shù)難題。
聲明:
“CLBO晶體拋光工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)