側(cè)邊反射片、背光模組及其顯示裝置 670     

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本實用新型提供一種側(cè)邊反射片、背光模組及其顯示裝置，其中側(cè)邊反射片包括反射基材層，以及用于將藍光轉(zhuǎn)換成白光的藍光轉(zhuǎn)換膠層，所述藍光轉(zhuǎn)換膠層設(shè)置在所述反射基材層上。通過帶有反射和藍光轉(zhuǎn)換一體的側(cè)邊反射片解決現(xiàn)有通過貼附的藍光保護膜的張力不易控制，貼附的張力極易拉扯光學(xué)膜片而導(dǎo)致光學(xué)膜片的皺起變形缺陷。

量子點薄膜及其制備方法和應(yīng)用 921     

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本發(fā)明公開一種量子點薄膜及其制備方法和應(yīng)用，其中，所述量子點薄膜包括介質(zhì)以及分散在所述介質(zhì)中的量子點，所述量子點包括量子點核，包覆所述量子點核的金屬層，包覆所述金屬層的半導(dǎo)體殼層，其中，所述金屬層中的金屬元素選自Zn、Hg、Al、Ga和In中的一種或多種。本發(fā)明解決了現(xiàn)有無鎘量子點薄膜發(fā)光效率不高的問題。

納米二氧化鈦薄膜及制備方法、光電器件的制備方法 1081     

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本發(fā)明屬于顯示器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種納米二氧化鈦薄膜的制備方法，包括步驟：分別獲取水蒸汽、醇蒸汽中的至少一種蒸汽和金屬有機化合物蒸氣；所述金屬有機化合物蒸氣至少包括鈦金屬有機化合物蒸氣；在第一保護氣體氛圍下，將所述水蒸汽、醇蒸汽中的至少一種蒸汽與所述金屬有機化合物蒸氣混合并進行熱反應(yīng)，沉積形成納米二氧化鈦薄膜。本發(fā)明制備方法，通過氣相原料反應(yīng)生成氣相游離的納米二氧化鈦顆粒，沉積形成薄膜，與基板結(jié)合牢固，且形成的薄膜表面致密，膜層均勻性好。另外，通過控制游離的納米二氧化鈦顆粒的沉積時間，可靈活調(diào)控形成的納米二氧化鈦薄膜的厚度，操作簡單靈活，適應(yīng)于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用。

表面修飾的量子點及其制備方法、應(yīng)用與QLED器件 780     

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本發(fā)明公開表面修飾的量子點及其制備方法、應(yīng)用與QLED器件，所述方法包括如下步驟：制備一量子點溶液；制備一含離子的有機配體前驅(qū)物；將含離子的有機配體前驅(qū)物加入量子點溶液中對量子點進行表面修飾，制備得到表面修飾的量子點。本發(fā)明通過在量子點溶液中加入含有離子的有機配體前驅(qū)物，利用這些含有離子的有機配體前驅(qū)物與量子點表面的懸掛鍵結(jié)合，從而達到盡可能消除量子點表面暴露懸掛鍵的目的。本發(fā)明量子點表面暴露的懸掛鍵的減少，可以提升量子點自身的發(fā)光效率。

噴墨打印圖案化透明導(dǎo)電膜的制備方法 753     

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本發(fā)明屬于導(dǎo)電膜準備技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種噴墨打印圖案化透明導(dǎo)電膜的制備方法。所述的制備方法包括：S1、分別配制納米銀棒導(dǎo)電墨水I、納米銀棒導(dǎo)電墨水II和功能墨水；S2、分別將納米銀棒導(dǎo)電墨水I、納米銀棒導(dǎo)電墨水II和功能墨水加至供墨系統(tǒng)中；S3、將預(yù)先設(shè)計出的設(shè)計圖紙輸入至打印機中；S4、根據(jù)設(shè)計圖紙在基材上依次噴墨打印納米銀棒導(dǎo)電墨水I和納米銀棒導(dǎo)電墨水II，固化，形成導(dǎo)電圖案區(qū)與導(dǎo)電通道區(qū)；S5、在導(dǎo)電圖案區(qū)與導(dǎo)電通道區(qū)表面噴墨打印功能墨水，固化，形成導(dǎo)電線路，再進行處理，即得圖案化透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明提供的噴墨打印圖案化透明導(dǎo)電膜的制備方法成本低，且制得的圖案化透明導(dǎo)電膜全透明。

聚合物材料及其制備方法和應(yīng)用 1080     

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本發(fā)明公開一種聚合物材料及其制備方法和應(yīng)用，其中，所述制備方法包括：提供顆粒，所述顆粒包括量子點和包覆于所述量子點表面的水氧阻隔材料；采用烷氧基硅烷偶聯(lián)劑對所述顆粒表面進行表面修飾，得到表面烷氧基硅烷偶聯(lián)劑修飾的顆粒，其中烷氧基硅烷偶聯(lián)劑的碳鏈末端的取代基團為含有碳碳雙鍵的取代基、巰基取代基或胺基取代基；將所述表面烷氧基硅烷偶聯(lián)劑修飾的顆粒、引發(fā)劑和含乙烯基的單體混合，使所述含乙烯基的單體與顆粒表面的烷氧基硅烷偶聯(lián)劑結(jié)合并使所述含乙烯基的單體之間發(fā)生聚合反應(yīng)，制備得到所述聚合物。本發(fā)明解決了現(xiàn)有量子點薄聚合物無水氧阻隔性，需要在量子點膜兩側(cè)設(shè)置額外的水氧阻隔層，導(dǎo)致無機材料使用量大、表面有缺陷易失效的問題。

顆粒、有機配體、復(fù)合物材料及其制備方法與應(yīng)用 1023     

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本發(fā)明公開一種顆粒、有機配體、復(fù)合物材料及其制備方法與應(yīng)用，所述顆粒包括量子點，還包括一種結(jié)合到所述量子點表面的有機配體，所述有機配體的碳鏈的一端與所述量子點表面結(jié)合，所述有機配體的碳鏈的另一端為乙烯基醚基官能團。本發(fā)明在量子點中引入含乙烯基醚官能團的有機配體，有效地提高了量子點與環(huán)氧樹脂的相容性，大大地增加了量子點與環(huán)氧樹脂的相互作用力，從而顯著地減少量子點在量子點?環(huán)氧樹脂復(fù)合材料中的遷移和團聚，賦予了量子點?環(huán)氧樹脂復(fù)合材料的高穩(wěn)定性，同時保證了量子點的發(fā)光效率不會降低，延長使用壽命。

呼吸防護用品智能氣閥方法及裝置 827     

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本發(fā)明公開了一種呼吸防護用品智能氣閥方法及裝置，包括微型氣壓傳感器、單片機和軟件、電動氣閥、電源系統(tǒng)、警報器和外殼等，主要安裝在呼吸防護用品上，其特征在于：微型氣壓傳感器對呼吸防護用品內(nèi)部的每次呼吸，進行分時段呼吸氣壓采樣、信號處理以及運算，并向單片機輸入實際的結(jié)果值，單片機和內(nèi)置軟件，經(jīng)過信息處理以及運算，得出呼吸防護用品的每次呼吸阻力數(shù)據(jù)和每個呼吸狀態(tài)數(shù)據(jù)，在每次呼吸時向電動氣閥發(fā)出指令，呼氣時排氣閥打開，吸氣時排氣閥關(guān)閉，與呼吸同步，將呼氣阻力降到最低，使排氣順暢無阻；用于控制進氣閥時則相反，呼氣時進氣閥關(guān)閉，吸氣時進氣閥打開，使氣閥形成的吸氣阻力降到最低，并且可保證氣閥開啟量最大，氣閥響應(yīng)速度快，氣閥氣密性更高，所以能大幅度降低氣閥阻力，使呼氣不費力，排氣無阻力。

量子點及其制備方法與應(yīng)用 628     

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本發(fā)明公開一種量子點及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明方法中，合金化的組分分布不僅可以像常規(guī)方法一樣通過變化陽離子和陰離子的投料比例來調(diào)節(jié)，而且還可以通過實際反應(yīng)過程的各反應(yīng)條件參數(shù)來進行更實時、更直接、更精確的調(diào)節(jié)，從而可以實現(xiàn)對于合金化量子點更精準的組分和能級分布控制。另外，通過二次加入欲進行交換的陽離子，重新形成了量子點中和反應(yīng)體系中的濃度差即反應(yīng)驅(qū)動力，從而離子交換反應(yīng)繼續(xù)進行，量子點的合金組分分布也能夠進一步實現(xiàn)調(diào)節(jié)。

電荷傳輸層的制備方法和發(fā)光二極管 805     

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本發(fā)明公開了一種電荷傳輸層的制備方法和發(fā)光二極管。電荷傳輸層的制備方法包括的步驟有：使用含有功能性材料的第一溶液形成第一膜層，使用含有電荷傳輸材料的第二溶液形成第二膜層，所述第一膜層與所述第二膜層彼此接觸，或者使用所述第一溶液和所述第二溶液的混合溶液形成混合膜層；去除所述功能性材料，得到所述電荷傳輸層；所述功能性材料為含有供電子基團的有機物，所述電荷傳輸材料的表面具有金屬陽離子懸掛鍵，所述供電子基團能夠與所述金屬陽離子懸掛鍵結(jié)合。發(fā)光二極管包括電子傳輸層和/或空穴傳輸層，且電子傳輸層和/或空穴傳輸層按照所述電荷傳輸層的制備方法制備形成。

反型QLED器件及其制備方法 780     

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本發(fā)明提供了一種反型QLED器件的制備方法，包括以下步驟：提供陰極和置換配體溶液；在所述陰極上沉積量子點預(yù)制薄膜，所述量子點預(yù)制薄膜由表面含有初始配體的量子點組成，將所述量子點預(yù)制薄膜與所述置換配體溶液中的置換配體進行原位配體交換，將所述初始配體置換為置換配體，得到量子點發(fā)光層，其中，所述置換配體至少含有兩個活性官能團；在所述量子點發(fā)光層表面制備空穴功能層；在所述空穴功能層上制備陽極。

正型QLED器件及其制備方法 640     

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本發(fā)明提供了一種正型QLED器件的制備方法，包括以下步驟：提供陽極和置換配體溶液；在所述陽極上沉積量子點預(yù)制薄膜，所述量子點預(yù)制薄膜由表面含有初始配體的量子點組成，將所述量子點預(yù)制薄膜與所述置換配體溶液中的置換配體進行原位配體交換，將所述初始配體置換為置換配體，得到量子點發(fā)光層，其中，所述置換配體至少含有兩個活性官能團；在所述量子點發(fā)光層表面制備電子功能層；在所述電子功能層上制備陰極。

調(diào)控氧化鋅的電子遷移率的方法 648     

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本申請涉及功能材料技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種調(diào)控氧化鋅的電子遷移率的方法。所述調(diào)控氧化鋅的電子遷移率的方法，包括以下步驟：制備氧化鋅，且在制備所述氧化鋅的過程中，通過控制所述氧化鋅的表面羥基量，來調(diào)控氧化鋅的電子遷移率。本申請?zhí)峁┑恼{(diào)控氧化鋅的電子遷移率的方法，只需要通過調(diào)控氧化表面羥基量即可實現(xiàn)量子點發(fā)光二極管器件的載流子注入平衡或提高電子遷移率，無需改變器件結(jié)構(gòu)(插入電子阻擋層)，也無需通過摻雜等手段對氧化鋅薄膜進行改性，整個過程操作簡單，成本低廉，具有良好的可重復(fù)性。

帶底座的安全防攀爬條及生產(chǎn)組合安裝方法 1276     

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本發(fā)明公開了一種帶底座的安全防攀爬條及生產(chǎn)組合安裝方法，包括主體、刺、支撐、外殼和底座，其特征在于：所述外殼蓋在刺和支撐上，所述刺穿設(shè)于支撐上且刺的底部與主體一體，主體與刺注塑成一體，所述刺的前端尖部為平滑狀，外殼為軟體，支撐為彈性體，外殼和支撐擠塑成型，所述的主體與底座連接，底座與安裝處連接，底座與外殼連接，底座由塑膠擠塑而成。全塑膠產(chǎn)品，生產(chǎn)工藝成熟，外形美好，不同功能材料可以組合裝配在一起，并且各部分都可拆卸，更換容易，維護簡便，安裝方便，可大規(guī)模生產(chǎn)供應(yīng)市場，安全防攀爬，不傷人，保護兒童安全。

熒光材料及其制備方法和應(yīng)用 896     

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本發(fā)明涉及功能材料技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種熒光材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明熒光材料包括第一配合物和第二配合物，第一配合物與第二配合物通過配位鍵相結(jié)合；第一配合物為摻雜型石墨烯量子點材料與第四周期過渡金屬氫氧化物形成的配合物，摻雜型石墨烯量子點材料的摻雜元素為氮元素和/或硫元素；第二配合物為鑭系金屬有機配合物。本發(fā)明熒光材料綠色無毒，具有多種發(fā)光顏色和雙重加密效果，用于熒光防偽和/或熒光加密中時，具有防偽模式多、不易被破解的優(yōu)勢，安全性更加良好。

新型白光LED器件的制備方法 786     

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本發(fā)明涉及一種新型白光LED器件的制備方法，包括以下步驟：制備AlN晶體材料；對AlN晶體材料進行切割、打磨和拋光，制成表面平整的AlN薄片；對制成的AlN薄片進行清洗，清洗后對其進行烘烤以除去表面的水氣與溶劑殘留物；在AlN薄片上圖形化電極并蒸鍍金屬電極；最后再進行氮氣氛下的退火處理，制成新型白光LED器件。本發(fā)明直接采用氣相傳輸法制備的AlN晶體材料作為功能材料，在晶體上制備電極后直接通電發(fā)光。該方法實現(xiàn)單一材料的白光輸出，無需熒光粉的二次轉(zhuǎn)換，因此器件結(jié)構(gòu)更加簡單緊湊，單晶狀態(tài)的AlN功能層也能承載更大的功率密度。由于利用寬禁帶半導(dǎo)體AlN材料禁帶內(nèi)的缺陷發(fā)光，使器件的發(fā)射光譜十分豐富，可覆蓋整個可見光區(qū)域，且光色品質(zhì)出色。

基于光子晶體結(jié)構(gòu)的量子點發(fā)光二極管及制備方法 825     

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本發(fā)明公開一種基于光子晶體結(jié)構(gòu)的量子點發(fā)光二極管及制備方法，方法包括：在基板上依次制備空穴注入層、空穴傳輸層和量子點發(fā)光層；然后在量子點發(fā)光層上制備一層有機聚合物，隨后將有機聚合物制成具有光子晶體結(jié)構(gòu)的電子阻隔層；在電子阻隔層上依次制備電子傳輸層和電子注入層；在電子注入層上蒸鍍一陰極，形成QLED。本發(fā)明在量子點發(fā)光層上沉積一層功能材料，然后利用飛秒激光多光束干涉法或其他方法制備出具有光子晶體結(jié)構(gòu)的電子阻隔層，利用光子晶體的表面效應(yīng)，從而有效利用量子點射向金屬電極一側(cè)的光，提高量子點發(fā)光二極管的出光效率。

新型β-二酮類稀土有機配合物及其制備方法 1021     

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本發(fā)明公開一種新型β-二酮類稀土有機配合物的制備方法，采用化學(xué)合成的方法，在一定的反應(yīng)條件下，首先設(shè)計合成一種新型的β-二酮配體（4-(2,6-二甲氧基苯乙炔基)苯乙酮），再讓其與1,10-鄰菲羅啉、六水合硝酸銪反應(yīng)生成一種具有良好光學(xué)性能、熱穩(wěn)定性能的新型β-二酮類稀土銪配合物——4-(2,6-二甲氧基苯乙炔基)苯甲酰三氟丙酮的Eu(Ⅲ)三元配合物。同時，本發(fā)明還公開了采用所述方法制備得到的新型β-二酮類稀土有機配合物，所得配合物熱分解溫度在300℃左右，具有良好的熱穩(wěn)定性，能夠滿足熒光分析、結(jié)構(gòu)探針及功能材料等領(lǐng)域的應(yīng)用要求，所得配合物可被可見光有效激發(fā)，單色性好，是一種較好的紅色熒光材料。

AMOLED器件及制備方法 667     

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本發(fā)明公開了一種AMOLED器件制備方法。所述方法包括：形成聚合物基板；在所述聚合物基板上制作基板阻障層，所述基板阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機物膜相互交替的阻障層；在所述基板阻障層上制作薄膜晶體管陣列以及有機發(fā)光功能材料層，并進行陰極蒸鍍形成陰極；在所述陰極上制作封裝阻障層，所述封裝阻障層為包含多層石墨烯膜的阻障層，或多層石墨烯膜與有機物膜相互交替的阻障層。本發(fā)明還相應(yīng)公開了一種AMOLED器件。應(yīng)用本發(fā)明技術(shù)方案，能夠滿足AMOLED器件的高柔性要求。

發(fā)光器件及其制備方法 999     

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本發(fā)明屬于光電器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光器件的制備方法，包括步驟，在量子點發(fā)光層與陽極之間設(shè)置空穴功能層，所述空穴功能層包含空穴傳輸材料與空穴注入材料的混合材料，所述空穴功能層的厚度選自所述混合材料的腔駐波中原點到第一正波谷之間1/3～2/3橫坐標(biāo)對應(yīng)的厚度；和/或，在量子點發(fā)光層與陰極之間設(shè)置電子功能層，所述電子功能層的厚度與電子功能材料的腔駐波中第一正波峰對應(yīng)厚度的差值的絕對值小于等于5納米。本發(fā)明提供的發(fā)光器件的制備方法，通過對空穴功能層和/或電子功能層的調(diào)節(jié)，使發(fā)光層中電子與空穴的注入效率更平衡，提高電子與空穴的復(fù)合效率，從而提高器件的發(fā)光效率，延長器件的使用壽命，并且制備方法操作簡單，適用于工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用。

基于形狀記憶聚合物的轉(zhuǎn)印方法、及其應(yīng)用 913     

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本發(fā)明提供了一種基于形狀記憶聚合物的轉(zhuǎn)印方法，包括以下步驟：提供具有第一微結(jié)構(gòu)的模具，利用所述模具制備表面具有第二微結(jié)構(gòu)的形狀記憶聚合物印章初始結(jié)構(gòu)，且所述第一微結(jié)構(gòu)與所述第二微結(jié)構(gòu)互補；將所述形狀記憶聚合物印章初始結(jié)構(gòu)加熱至高于玻璃化溫度且低于黏流溫度，在均勻壓力的作用下，冷卻至玻璃化溫度以下，使所述形狀記憶聚合物印章的所述第二微結(jié)構(gòu)所在的表面變形成平整表面，得到形狀記憶聚合物變形結(jié)構(gòu)；在所述平整表面上沉積功能材料，進行加熱處理，加熱至高于玻璃化溫度且低于黏流溫度，使所述形狀記憶聚合物變形結(jié)構(gòu)回復(fù)到形狀記憶聚合物印章初始結(jié)構(gòu)，得到圖案化功能薄膜；將所述圖案化功能薄膜轉(zhuǎn)印到目標(biāo)基底上。

高性能復(fù)合鋰電池隔膜及其制作方法 826     

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本發(fā)明提供一種高性能復(fù)合鋰電池隔膜，由以下組份的原料組成：氯化聚偏氟乙烯1～15份、紫膠1～10份、松香季戊四醇酯1～8份、高密度聚乙烯1～20份、丙三醇1～30份、N，N?二甲基甲酰胺1～10份、碳酸鈣1～5份、納米功能材料1～12份、穩(wěn)定劑硅油1～8份、阻燃劑1～5份、氧化聚乙烯蠟1～10份、聚丙烯樹脂1～5份，本發(fā)明所提供的一種高性能復(fù)合鋰電池隔膜具有吸液率高、熱收縮率佳、電導(dǎo)率和充放電循環(huán)性能優(yōu)越的特點，本申請極大了改性了現(xiàn)有技術(shù)中的點電池隔膜物化性能，同時該生產(chǎn)工藝流程簡單，具有極大經(jīng)濟價值和實用價值。

量子點發(fā)光二極管及其制備方法 730     

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本發(fā)明屬于顯示器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種量子點發(fā)光二極管及其制備方法。該量子點發(fā)光二極管的制備方法包括如下步驟：提供基板；將含有交聯(lián)劑和空穴功能材料的混合溶液沉積在所述基板上，進行退火處理，然后紫外光照進行交聯(lián)反應(yīng)，得到空穴功能層；其中，所述空穴功能材料為含芐基的有機材料。該制備方法得到量子點發(fā)光二極管中，形成得空穴功能層薄膜具有很好的穩(wěn)定性，不易受量子點發(fā)光層制備使用的溶劑的影響，從而使器件具有平滑完整的薄膜形態(tài)，可以提高器件的發(fā)光性能和壽命。

復(fù)合材料和QLED器件 1094     

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本發(fā)明屬于量子點技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種復(fù)合材料和QLED器件。該QLED器件包括層疊設(shè)置的陽極、量子點發(fā)光層和陰極，所述陽極和所述量子點發(fā)光層之間設(shè)置有空穴功能層，所述空穴功能層含有空穴功能材料和磁性材料；其中，所述空穴功能材料為空穴注入材料或空穴傳輸材料。本發(fā)明的QLED器件中，因磁性材料可以調(diào)節(jié)空穴遷移率，從而改善載流子的注入平衡，因此，該QLED器件具有很好的發(fā)光效率和穩(wěn)定性。

緩釋投料裝置、洗滌裝置及水凈化裝置 1085     

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本實用新型公開了一種緩釋投料裝置，包括容器本體、流體管路和截止閥，其中：所述容器本體的頂部設(shè)置有緩釋孔；所述流體管路設(shè)置于所述容器本體的頂部，且與所述緩釋孔連通，所述流體管路的一端設(shè)置有進口端，另一端設(shè)置有出口端；所述截止閥設(shè)置于所述流體管路上，且用于關(guān)閉或打開所述緩釋孔。本實用新型的緩釋投料裝置利用功能材料的溶解度進行投料，避免了投料過量而造成二次污染，節(jié)約了成本，結(jié)構(gòu)設(shè)計更加經(jīng)濟、環(huán)保，提高了功能材料的利用率，并達到水凈化的目的，另外，有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中因水錘現(xiàn)象造成的水流倒灌并流入容器本體內(nèi)而污染功能材料的技術(shù)問題，結(jié)構(gòu)設(shè)計更加可靠、安全，并具有顯著的市場使用價值。

極簡緩釋裝置、洗滌裝置及清潔裝置 856     

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本實用新型公開了一種極簡緩釋裝置，包括外殼、儲料倉、逆止閥、進水接口和出水接口，其中：所述儲料倉設(shè)置于所述外殼內(nèi)，所述儲料倉的頂部設(shè)置有緩釋孔；所述進水接口設(shè)置于所述外殼的一端；所述出水接口設(shè)置于所述外殼的另一端；所述逆止閥設(shè)置于所述進水接口上。本實用新型的緩釋裝置能夠避免投料過量而造成了資源浪費和經(jīng)濟損失，提高了功能材料的利用率，同時避免了功能材料溶解后隨水流倒灌而污染功能材料，結(jié)構(gòu)設(shè)計更加經(jīng)濟、環(huán)保，水流流動暢通無阻，穩(wěn)定性更高，具有顯著的市場使用價值。

復(fù)合材料、薄膜、量子點發(fā)光二極管 796     

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本發(fā)明提供了一種復(fù)合材料，包括載流子功能材料和非發(fā)光量子點，且所述非發(fā)光量子點的最高占據(jù)分子軌道能級與所述載流子功能材料的最高占據(jù)分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV，或所述非發(fā)光量子點的最低占據(jù)分子軌道能級與所述載流子功能材料的最低占據(jù)分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV。

線路板新型材料層結(jié)構(gòu) 922     

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本分案申請公開了一種線路板新型材料層結(jié)構(gòu)，包括由上至下依次層疊設(shè)置的一銅層、一薄膜與一半固化功能材料層，其中，該半固化功能材料層為MPI薄膜、LCP薄膜、TFP薄膜、PTFE薄膜、抗銅離子遷移薄膜、Low?Dk高頻功能膠、抗銅離子遷移膠、或具有抗銅離子遷移功能的半固化功能材料。本分案申請?zhí)峁┑木€路板新型材料層結(jié)構(gòu)，具有高頻特性和/或抗銅離子遷移性能，這種線路板新型材料層結(jié)構(gòu)作為一個整體結(jié)構(gòu)，在后續(xù)線路板的制作工序中，可以作為線路板的制作材料，制作出單層線路板、多層柔性線路板與多層軟硬結(jié)合板等線路板結(jié)構(gòu)，給線路板的后續(xù)制作帶來很大的便利性，簡化制作工序，加快線路板制作速度，降低生產(chǎn)成本。

多層雙面軟硬結(jié)合板 1078     

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本實用新型公開了一種多層雙面軟硬結(jié)合板，包括雙面FPC柔性板、上軟質(zhì)材料層結(jié)構(gòu)、上硬質(zhì)材料層結(jié)構(gòu)、下軟質(zhì)材料層結(jié)構(gòu)及下硬質(zhì)材料層結(jié)構(gòu)，雙面FPC柔性板包括基膜、設(shè)于基膜上下表面的第一上線路層與第一下線路層；上軟質(zhì)材料層結(jié)構(gòu)包括層疊于第一上線路層上的上固化高頻材料層、上薄膜及第二上線路層；下軟質(zhì)材料層結(jié)構(gòu)包括層疊于第一下線路層下的下固化高頻材料層、下薄膜及第二下線路層；上硬質(zhì)材料層結(jié)構(gòu)包括依次層疊于第二上線路層上的第一上固化功能材料膜、上玻纖布、第二上固化功能材料膜及第三上線路層；下硬質(zhì)材料層結(jié)構(gòu)包括依次層疊于第二下線路層下的第一下固化功能材料膜、下玻纖布、第二下固化功能材料膜及第三下線路層。

空穴功能層的制備方法和量子點發(fā)光二極管的制備方法 879     

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本申請涉及顯示器件工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種空穴功能層的制備方法和量子點發(fā)光二極管的制備方法。該空穴功能層的制備方法包括如下步驟：沉積空穴功能材料溶液；在≤120℃的條件下進行退火處理，得到空穴功能層，其中，所述空穴功能材料溶液中的溶劑包括第一溶劑和第二溶劑，所述第二溶劑的沸點低于所述第一溶劑的沸點。用于成膜的空穴功能材料溶液選用包括第一溶劑和第二溶劑的混合溶劑，因其中的第二溶劑的沸點低于第一溶劑的沸點，使得該空穴功能材料溶液的成膜退火溫度顯著降低，可以在≤120℃的條件下進行退火，遠低于目前的退火溫度，這樣可以減少空穴功能層的熱損害，從而提高空穴功能層的性能。