失效分析結構、其形成方法及其失效分析方法 910     

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本發(fā)明提供一種失效分析結構的形成方法，包括：提供基底，并在所述基底上形成第一金屬層；在所述第一金屬層上依次形成第一導電插塞及第二金屬層，所述第二金屬層通過第一導電插塞與第一金屬層依次相連構成串聯(lián)結構；在所述第二金屬層上形成第二絕緣層及第二導電插塞，所述第二導電插塞與第二金屬層相連；在所述第二絕緣層上形成測試金屬層，所述測試金屬層通過第二導電插塞與第二金屬層相連。本發(fā)明還提供一種失效分析結構及其失效分析方法。本發(fā)明失效分析結構和失效分析方法僅需要暴露出測試金屬層，不會損害第二金屬層，提高失效分析結果的準確性。

柵氧化層失效分析方法及所用測試結構 649     

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本發(fā)明涉及一種用于柵氧化層失效分析的測試結構及柵氧化層失效分析方法,所述測試結構包括含有柵氧化層的待測半導體器件,以及位于所述待測半導體器件外圍的在施加偏置電壓后能產(chǎn)生光發(fā)射的至少1個半導體器件,避免了現(xiàn)有技術在失效定位過程中產(chǎn)生的疊圖偏差,達到準確定位柵氧化層的失效位置的目的。

用于物理失效分析的改進型可尋址測試芯片及制作方法 716     

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本發(fā)明公開了一種用于物理失效分析的改進型可尋址測試芯片,包括測試單元、周圍地址譯碼電路、信號選擇電路以及用于物理失效分析的PAD陣列。本發(fā)明還公開了一種用于物理失效分析的改進型可尋址測試芯片的制作方法,包括如下步驟:(1)測試單元版圖設計;(2)信號選擇電路設計;(3)周圍地址譯碼電路設計;(4)用于物理失效分析的PAD陣列設計;(5)測試芯片整合;(6)測試芯片生產(chǎn);(7)測試芯片測量。本發(fā)明測試芯片通過采用類似記憶體芯片的周圍譯碼電路,并引入用于物理失效分析的PAD陣列,提高了芯片的面積利用率,既可以進行電學失效分析,也可以進行物理失效分析。

基于流固耦合分析的沖蝕破壞失效定量預測方法 1098     

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本發(fā)明公開的是一種基于流固耦合分析的沖蝕破壞失效定量預測方法,包括腐蝕產(chǎn)物保護膜特性分析和流體作用下失效預測分析兩個過程;根據(jù)管道實際工況,運用流體力學相似理論,確定試驗測試的管件規(guī)格、試驗工況及流體介質,應用電化學測試方法進行沖蝕破壞的瞬態(tài)特性測試;建立流固耦合模型,初步設定腐蝕產(chǎn)物保護膜特性參數(shù)值,應用有限元分析軟件進行流固耦合仿真計算,結合試驗研究,修正腐蝕產(chǎn)物保護膜特性參數(shù)值;針對實際管道系統(tǒng)典型管件進行流固耦合仿真計算,實現(xiàn)管道系統(tǒng)沖蝕破壞失效定量預測,可科學、準確地預測出整個管道系統(tǒng)失效危險點,為壓力管道系統(tǒng)的安全保障技術提供理論支撐。

基于振動疲勞理論分析慣性測量系統(tǒng)失效模式的方法 730     

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本發(fā)明公開了一種基于振動疲勞理論分析慣性測量系統(tǒng)失效模式的方法：首先利用慣性器件工作時內部存在的振動源，通過對其振動頻譜的檢測，獲得振動能量傳遞的全頻譜信息，結合內部各組成的結構模態(tài)，可以觀測慣性器件內部各組成的工作微觀狀態(tài)，準確診斷慣性器件各組成的故障發(fā)生點。本發(fā)明表征直觀，操作簡單，檢測精度高，有效實現(xiàn)慣性器件整機級故障預估和定位。本發(fā)明適用于任何含有振動激勵的系統(tǒng)失效模式的評估。

用于失效分析的樣品的處理方法及失效分析方法 1125     

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本發(fā)明提供了一種用于失效分析的樣品的處理方法及失效分析方法，所述用于失效分析的樣品的處理方法包括：在晶圓上獲取待分析的芯片樣品；將所述芯片樣品去層至目標銅金屬層結構上表面；在所述目標銅金屬層結構上表面的待檢測位置形成鍍碳保護層。本發(fā)明的技術方案降低了金屬表面出現(xiàn)銅擴散的概率，使得在失效分析過程中制備芯片樣品的失敗率大大降低，并且縮短了分析周期，加快了找到芯片失效關鍵原因的速度。

半導體測試結構及半導體器件的失效分析方法 906     

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本發(fā)明提供了一種半導體測試結構及半導體器件的失效分析方法，通過晶圓鍵合結構的頂部的測試焊盤和外接焊盤對至少位于所述晶圓鍵合結構的頂面晶圓和底面晶圓之間的每個晶圓均進行電性測試，以檢測出失效的晶圓；以及，對所述失效的晶圓進行失效分析，以定位出晶圓鍵合結構中的失效的晶圓中的失效點，使得至少能夠測試出晶圓鍵合結構的頂面晶圓和底面晶圓之間的晶圓是否失效以及測試出失效的晶圓中的失效點，進而使得能夠快速且準確的定位多片晶圓鍵合的結構中的失效晶圓以及失效點，提高了失效分析的效率和成功率。

水汽系統(tǒng)測氫電導率用樹脂失效點分析方法及裝置 1141     

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一種水汽系統(tǒng)測氫電導率用樹脂失效點分析方法，將一個可以沿樹脂裝填方向等間隔取樣的離子交換柱接入氫電導率測試回路；配制與現(xiàn)場運行水中離子濃度相當?shù)娜芤夯虬比芤?，檢測實驗柱出口電導率DDc、標準氫電導測量裝置出口電導率DDs及離子交換柱某取樣口電導率DDq；根據(jù)DDc、DDs隨ξ變化曲線確定離子交換柱樹脂開始穿透時陽樹脂的失效率ξ0和穿透至DDc出現(xiàn)極小值點時陽樹脂的失效率ξ1。一種火力發(fā)電廠水汽系統(tǒng)測氫電導率用樹脂失效點分析裝置，將試驗用水連接至離子交換柱和標準氫電導測量裝置上部進水口；在離子交換柱出口設置在線電導率表，離子交換柱各取樣口設置可移動式電導率表；試驗用水和離子交換柱、在線電導率表以及標準氫電導測量裝置分別構成氫電導率測試回路。

測試設備、失效分析方法和測試系統(tǒng) 687     

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本公開實施例提供了一種測試設備、失效分析方法和測試系統(tǒng)，該測試設備包括芯片載臺和用于支撐芯片載臺的支撐底座，且支撐底座內設置有比較模塊和可調電阻模塊；其中，芯片載臺，用于承載被測芯片；比較模塊，與可調電阻模塊連接，用于對被測芯片中待測試層的接地電壓與芯片載臺的接地電壓進行比較，根據(jù)比較結果和可調電阻模塊對待測試層的接地電阻進行調節(jié)，以降低待測試層的表面荷電效應。本公開實施例能夠降低待測試層的接地點和芯片載臺的接地點之間的信號干擾，改善EBAC的成像效果，使得在對被測芯片進行失效分析時，可以快速且準確地定位失效點。

BEOL測試芯片在線失效分析的方法 706     

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本發(fā)明公開了一種BEOL測試芯片在線失效分析的方法。本發(fā)明通過拆分特性測試的失效結構生成多個虛擬缺陷,并合成檢測缺陷結果的方法,實現(xiàn)了自動自動掃描電子顯微鏡對失效位置的尋找確認和分析。本發(fā)明可以避免對硅片的破壞性分析,提高分析效率和成功率,同時實現(xiàn)對檢測程序的實時反饋,提高程序優(yōu)化的效率和準確率。本發(fā)明適用于半導體工藝中BEOL測試芯片在線失效分析方法。

用于集成電路電性失效分析的芯片測控系統(tǒng)及測試方法 1122     

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本發(fā)明公開了用于集成電路電性失效分析的芯片測控系統(tǒng)及測試方法，該系統(tǒng)實現(xiàn)了不同封裝形式的待測失效芯片與光電檢測儀之間靈活可靠的光信號耦合，并且通過上位機、失效芯片裝卡組件和失效芯片測控組件之間的交互為待測失效芯片提供了進入并保持特定失效狀態(tài)的觸發(fā)手段；其次，通過對待測失效芯片的失效表征工作電流進行連續(xù)采樣和實時檢測，確保了對待測失效芯片失效態(tài)的識別和監(jiān)控。最后，通過環(huán)境變量傳感模塊實現(xiàn)了對待測失效芯片檢測環(huán)境的實時監(jiān)測。

車輛失效分析系統(tǒng)、車輛失效分析設備及車輛失效分析方法 696     

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本發(fā)明涉及車輛失效分析系統(tǒng)、車輛失效分析設備及車輛失效分析方法。一種車輛失效分析系統(tǒng)(1),用于裝有多個控制系統(tǒng)的車輛,每個控制系統(tǒng)由一個或多個部件形成,所述車輛失效分析系統(tǒng)包括:故障系統(tǒng)識別單元(2D),其從多個控制系統(tǒng)中識別故障控制系統(tǒng);故障部件識別單元(3B),其根據(jù)所識別的控制系統(tǒng),從一個或多個部件中識別故障部件。

測試結構、失效分析定位方法及失效分析方法 918     

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本發(fā)明提供了一種測試結構，包括蛇形金屬線和兩個相對交錯設置的測試梳狀結構，每個測試梳狀結構分成至少兩個子梳狀結構，且每個所述測試梳狀結構中的相鄰兩個所述子梳狀結構之間具有間隔，且每個所述測試梳狀結構中的至少一個所述間隔處的所述蛇形金屬線的至少一個拐彎部位上引出有焊盤。即通過上述方法將所述測試結構分成了若干個小面積的測試結構，能夠解決EBIRCH不能定位到超大面積結構nA級別漏電的短路點的問題；同時結合電阻比例法，以使得EBIRCH能輕易定位到超大面積結構nA級別漏電的短路點，從而找到失效的根本原因，對解決工藝問題以及促進研發(fā)進度能有很大的幫助。

失效分析專用載板、測試設備、芯片電性失效分析的方法 787     

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本發(fā)明提供一種針對待測芯片設計專用載板、測試設備、芯片電性失效分析的方法，所述方法包括：針對待測芯片設計專用載板，所述載板包括位于待測芯片容納區(qū)域的焊盤陣列、用于與測試機臺進行信號傳輸?shù)尼樐_陣列，以及連接所述針腳陣列和焊盤陣列的金屬連線；將待測芯片采用SMT技術貼裝于所述載板上。本發(fā)明提供的芯片電性失效分析的方法和用于芯片電性失效分析的專用載板以及測試設備能夠方便快捷的完成硬件準備，且能夠容易的實現(xiàn)大管腳數(shù)目芯片測試的芯片失效分析。

鋰電池短路失效分析方法及檢測裝置 1115     

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本發(fā)明涉及鋰電池制造領域，具體涉及一種鋰電池短路失效分析方法，其包括如下步驟：提供一粉塵以及與粉塵相對應的分析參數(shù)，其中，分析參數(shù)包括粉塵的種類和粒徑；將正極極片、隔膜和負極極片依次疊放，其中，粉塵設置在正極極片與隔膜之間，或者，粉塵設置在負極極片與隔膜之間；對正極極片和負極極片施加壓力以壓緊正極極片和負極極片；對正極極片和負極極片提供電壓；調整壓力和/或電壓直到正極極片和負極極片短路；記錄在該分析參數(shù)下粉塵短路時對應的壓力和電壓。通過重復上述步驟，則可以得出不同分析參數(shù)的粉塵在一定條件下短路的數(shù)據(jù)，由此，鋰電池在安全驗證中短路后，通過查詢比對所記錄的數(shù)據(jù)，則可以快速的查出是何種粉塵。

軟包鋰電池微孔失效原因的分析檢測方法 858     

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本發(fā)明涉及一種軟包鋰電池微孔失效原因的分析檢測方法，該方法具體實施步驟如下：首先將ALF鋁塑膜中含有微孔的區(qū)域剪下，將其浸泡在電解液中，然后置于10℃～150℃的溫度環(huán)境下存儲1?60天；當ALF鋁塑膜中的聚丙烯(PP)層、尼龍層等不同材料與鋁層分離后，將鋁層取出；再將浸泡過的鋁層置于顯微鏡下，觀察微孔是向尼龍層方向變形，即判定是由沖頭顆粒異物所致；還是向PP層方向變形，即判定制造過程中受外力影響；或者是不變形，即判定由沖殼變形拉伸所造成，進而確定該鋁層微孔產(chǎn)生的原因，以調整鋰電池生產(chǎn)工藝，改變不良生產(chǎn)環(huán)境和條件。本發(fā)明方法設計合理，操作簡單，分析檢測準確，可靠性高，成本低、效益高，應用效果非常顯著。

電池能量失效模式與效應分析檢測裝置 856     

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本實用新型涉及檢測裝置技術領域，尤其涉及電池能量失效模式與效應分析檢測裝置，包括：安全門、干粉噴頭、排氣扇；所述干粉噴頭固定設置在檢測單元的內壁上，且干粉噴頭通過管道與干粉儲存罐相連接；所述排氣扇設置在檢測單元的內壁上，且排氣扇與控制器通過電性方式相連接；所述液壓油缸設置在固定板上，且液壓油缸與液壓油泵站通過油管相連接；所述煙霧感應器固定設置在固定板上，且煙霧感應器與控制器通過電性方式相連接。本實用新型通過結構上的改進，具有結構簡單，性能穩(wěn)定可靠，分析檢測效率高，使用安全性高的優(yōu)點，從而有效的解決了現(xiàn)有裝置中存在的問題和不足。

機械結構件微結構損傷失效檢測分析方法 956     

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本發(fā)明公開一種機械結構件微結構損傷失效檢測分析方法，該方法包括以下步驟：步驟一、缺陷檢測：將待檢測機械結構件放置在電子加速器的靶頭前照射，用探測器對待檢測機械結構件進行探測；步驟二、缺陷定位：兩個探測器按預設角度接收待檢測機械結構件湮滅放出511keV光子，并兩個能譜通過三維合成云圖，通過云圖展示受檢機械結構件的缺陷位置；步驟三、S參數(shù)計算：光譜的定性分析圖，即得到可反映材料劣化信息的S參數(shù)；步驟四、缺陷情況分析：對于有缺陷的待檢測機械結構件，由于電子的動量小，造成的多普勒展寬小，得到的S參數(shù)大。本發(fā)明具有根據(jù)所放出的γ射線強度，評估材料的劣化情形的特點。

刀具失效過程實時檢測及優(yōu)化數(shù)據(jù)分析系統(tǒng) 931     

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本發(fā)明提供刀具失效過程實時檢測及優(yōu)化數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，包括監(jiān)測模塊和失效分析模塊；所述監(jiān)測模塊，用于實時獲取刀具工作過程中刀具的紋理特征值和溫度特征值；所述失效分析模塊，用于基于已訓練的刀具失效模型對所述紋理特征值和溫度特征值進行處理，得到刀具失效狀態(tài)。通過測試和提取刀具紅外信號特征樣本，斷精度可達到80％以上，有效解決了刀具工作狀態(tài)難以實時監(jiān)測與診斷的技術難題，對提高刀具的工作效率以及節(jié)能降耗具有非常重要的意義。

引入內檢測數(shù)據(jù)的地震作用下腐蝕管道失效概率分析方法 960     

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本發(fā)明公開了引入內檢測數(shù)據(jù)的地震作用下腐蝕管道失效概率分析方法，對不同檢測時間下所獲得的管道內檢測數(shù)據(jù)進行特征匹配；基于特征匹配結果，分別在軸向、周向和徑向上建立獨立的管道腐蝕隨機增長模型；通過伽瑪分布聯(lián)立三個管道腐蝕隨機增長模型，得到3D依賴的腐蝕隨機增長模型，嵌入貝葉斯推斷中，再通過MCMC模擬技術對貝葉斯推斷進行更新，得到更新的3D腐蝕隨機增長模型，建立等效地震作用下的腐蝕管道失效概率模型，結合失效條件，評估腐蝕管道的失效概率。本發(fā)明可解決現(xiàn)有技術僅從徑向上估計腐蝕缺陷增長的問題，實現(xiàn)綜合考慮管道腐蝕在三維方向的增長，以提高預測準確性的目的。

用于半導體器件失效分析的檢測方法 798     

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一種用于半導體器件失效分析的檢測方法,包括:利用聚焦離子束,對產(chǎn)生有缺陷的半導體器件剖面進行磨削,以改變源/漏區(qū)的表面性狀;利用腐蝕處理溶液,對所述半導體器件的剖面進行腐蝕,以顯露出源/漏區(qū)的結剖面形貌;利用放大成像裝置得到對應所述半導體器件的剖面的圖像資料,觀察所述圖像資料以獲取所述半導體器件所產(chǎn)生的缺陷的分布情況。本發(fā)明通過聚焦離子束磨削和腐蝕處理溶液腐蝕相結合,獲得易于觀察的半導體器件的源/漏區(qū)的結剖面形貌,提供判斷器件是否失效的依據(jù)。

汽車車窗開關失效的檢測分析方法 1085     

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本發(fā)明屬于電子產(chǎn)品失效分析領域。本發(fā)明提供了一種汽車車窗開關失效的檢測分析方法，包括以下步驟：A、對失效的汽車車窗開關樣品進行失效定位，通過外觀檢查和電學測試，尋找出失效的位置；B、查找失效原因；C、分析與排查失效原因：對步驟B中的可能原因依次進行驗證，以確定出具體的車窗開關失效原因；D、模擬重現(xiàn)失效現(xiàn)象，驗證失效機理。本發(fā)明方法步驟簡單清晰，能有效找出電子產(chǎn)品失效的多種原因；本發(fā)明方法中使用了“窮舉法”使得引起電子產(chǎn)品失效的原因盡可能多地被查找出來；本發(fā)明方法中通過模擬重現(xiàn)失效現(xiàn)象以提高失效原因的真實性和可靠性，極大地減少了分析出錯。

覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法 980     

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本發(fā)明公開了一種覆晶芯片失效分析方法及電性定位中檢測樣品的制備方法，所述制備方法包括：提供待測的覆晶芯片，包括封裝基底與制備于封裝基底上的裸片，裸片的外部覆蓋有塑封體，裸片與封裝基底之間連接有金凸塊，封裝基底的底部焊接有錫球；研磨裸片外部的塑封體直至裸露出裸片的晶背；將裸片的背面結合到一玻璃基板上，玻璃基板上設有導電片；用封裝綁線將玻璃基板上的導電片與封裝基底底部的錫球電性連接，以得到檢測樣品。本發(fā)明覆晶芯片失效分析檢測樣品的制備方法，通過研磨掉裸片的背面的塑封體，再將裸片的背面結合在玻璃基板上進行失效分析，不必腐蝕塑封體以及分離封裝基底與裸片，從而避免了取裸片的過程中金凸塊被腐蝕的可能性。

針對化學發(fā)光免疫分析儀上反光杯失效的檢測系統(tǒng) 957     

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本發(fā)明公開了一種針對化學發(fā)光免疫分析儀上反光杯失效的檢測系統(tǒng)。涉及使用到反光杯的化學發(fā)光免疫分析儀設備，屬于體外診斷器械領域。該檢測系統(tǒng)包含光源模塊，檢測光路模塊以及上位機系統(tǒng)共三部分。光源模塊和檢測光路模塊連接為一體，和化學發(fā)光免疫分析儀連接。通過上位機系統(tǒng)，實現(xiàn)對反光杯失效進行檢測和判斷。本發(fā)明有益效果：光源模塊通過光強控制單元可調節(jié)光強大小，同時光源模塊帶有光強檢測與反饋單元，以此保證光源光強輸出的穩(wěn)定。反光杯的反光面做鱗片化調整，增加了光線在反光面上的反射次數(shù)，保證了檢測的可靠性；其次，操作方法簡單，按照操作流程，就可及時且有效的判斷反光杯失效問題。

靜態(tài)存儲器的在線失效分析方法及在線電子束檢測設備 1015     

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本發(fā)明提供了一種靜態(tài)存儲器的在線失效分析方法和在線電子束檢測設備，包括：將不同類型的探針安裝到在線電子束檢測設備的腔體中；將晶圓置于在線電子束檢測設備的腔體中；利用在線電子束檢測設備對接觸孔進行掃描并獲得靜態(tài)存儲器中接觸孔的圖像信息；根據(jù)接觸孔的圖像信息找出產(chǎn)生缺陷的接觸孔；根據(jù)產(chǎn)生缺陷的接觸孔的類型來選擇與之相對應的探針；在線電子束檢測設備控制所選擇的探針與相應的產(chǎn)生缺陷的接觸孔相接觸，并進行電性能檢測；根據(jù)產(chǎn)生缺陷的接觸孔在靜態(tài)存儲器單元中的功能，在線電子束檢測設備將探針進行組合來檢測功能并進行失效分析；檢測到功能失效，則產(chǎn)生缺陷的接觸孔是導致靜態(tài)存儲器失效的原因。

電子產(chǎn)品的可靠性失效分析檢測方法 880     

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本發(fā)明公開了一種電子產(chǎn)品的可靠性失效分析檢測方法，包括以下步驟：S1、在電子產(chǎn)品元件上安裝溫度、電流和電壓監(jiān)測裝置；S2、將電子產(chǎn)品元件額定范圍輸入分析檢測單元并作為第一數(shù)據(jù)；S3、溫度、電流和電壓監(jiān)測裝置對電子產(chǎn)品元件實時數(shù)據(jù)檢測并上傳；S4、上述數(shù)據(jù)在分析檢測單元中與額定范圍值的最大值進行比較計算，超出額定值關閉電子產(chǎn)品元件；S5、將失效數(shù)據(jù)通過失效數(shù)據(jù)顯示單元進行顯示。本發(fā)明分析檢測方法簡單明了，通過數(shù)次檢測即可得出影響電子產(chǎn)品元件可靠性的主要原因，并針對性的進行改進，提高電子產(chǎn)品元件使用的可靠性，延長電子產(chǎn)品元件使用壽命，適合進行推廣。

電容失效分析檢測方法 732     

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本發(fā)明涉及一種電容失效分析檢測方法，包括如下步驟：外觀檢查；內視檢測，通過探傷檢測設備對失效電容進行失效點定位，并確定失效點位置；初步確認失效原因，根據(jù)失效點位置列出可能的失效原因；模擬試驗，根據(jù)失效原因對良品電容進行針對性的通電模擬，驗證可能的失效原因，并將良品電容在失效損毀后的失效點情況與失效電容的失效點位置進行比對，確定失效原因；金相檢測，將失效電容制成失效點位置的金相切片并在金相顯微鏡下觀察確認，再使用掃描電鏡和能譜分析儀對金相切片進行掃面分析，驗證確定電容失效損毀原因并給出分析結論。本發(fā)明能夠快速、高效地確認電容失效的根本原因，通過電容失效分析實現(xiàn)對于電子系統(tǒng)的工作可靠性的提高。

新型集成電路失效分析檢測方法 703     

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本申請實施例涉及一種新型集成電路失效分析檢測方法。根據(jù)本申請的一實施例，新型集成電路失效分析檢測方法包括：對集成電路組件進行封膠以得到包含新型集成電路的膠柱體，其中集成電路組件包括晶片和襯底，襯底具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，晶片位于襯底的第一表面上；以及從靠近襯底的第二表面的膠柱體的底面進行研磨至暴露襯底。本申請實施例提供的新型集成電路失效分析檢測方法可有效解決傳統(tǒng)技術中遇到的問題。

半導體失效分析結構及形成方法、檢測失效時間的方法 1069     

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一種半導體失效分析結構及其形成方法、檢測失效時間的方法，其中所述半導體失效分析結構包括：半導體襯底，所述半導體襯底具有待測區(qū)、第一串聯(lián)區(qū)和第二串聯(lián)區(qū)；位于所述半導體襯底的待測金屬層、第一金屬層和第二金屬層；位于層間介質層內的第一導電插塞使第一金屬層、第二金屬層和待測金屬層串聯(lián)；位于所述第一串聯(lián)區(qū)的若干第一電阻金屬層；位于所述第二串聯(lián)區(qū)的若干第二電阻金屬層；位于第一串聯(lián)區(qū)層間介質層內的若干第二導電插塞；位于第二串聯(lián)區(qū)層間介質層內的若干第三導電插塞；所述第一導電插塞、第二導電插塞、第三導電插塞將所述待測金屬層、第一金屬層、第二金屬層、若干第一電阻金屬層和若干第二電阻金屬層依次串聯(lián)。

基于失效分析專家系統(tǒng)的構件失效模式檢測方法 1046     

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本發(fā)明屬于構件失效分析技術,涉及一種在對失效信息進行采集的基礎上基于失效分析專家系統(tǒng)的構件失效模式檢測方法。本發(fā)明利用計算機輔助失效分析專家系統(tǒng)進行構件失效模式的檢測,可以快速、準確地幫助失效分析人員進行失效分析,避免人為因素的干擾,還可以彌補個人知識和經(jīng)驗的不足,提高分析的準確性和縮短分析的周期。本發(fā)明對失效結構件進行外觀、宏觀、微觀等的充分分析,并結合失效件的材料、載荷、環(huán)境等失效信息進行失效件的失效模式和失效機理分析,從而提高了失效結構件的分析準確率。