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摘 要 真空冶金技術(shù)近年來(lái)發(fā)展比較好,因此在各方面的應(yīng)用也比較突出。本文描述了若干真空冶金過(guò)程的測(cè)控技術(shù),介紹了以精煉和熔煉為代表的一些典型真空冶金過(guò)程監(jiān)控的新進(jìn)展。結(jié)合有關(guān)項(xiàng)目實(shí)踐,對(duì)真空冶金自動(dòng)控制的未來(lái)進(jìn)行了展望。關(guān)鍵詞 真空冶金 技術(shù)進(jìn)展 自動(dòng)控制 過(guò)程中圖分類(lèi)號(hào):TF13 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A0引言真空技術(shù)的
摘 要:真空冶金的概念和特點(diǎn)是筆者本文的落筆處,然后再回顧真空冶金的發(fā)展史,并探尋其未來(lái)發(fā)展的方向。筆者希望能夠更好的利用真空冶金這一技術(shù),為生產(chǎn)和生活服務(wù)。關(guān)鍵詞:真空冶金 發(fā)展史 發(fā)展方向一、真空冶金的概念與特點(diǎn)對(duì)于真空冶金的定義,是一種材料制備的共性技術(shù),它是指對(duì)金屬進(jìn)行冶煉、提純、精煉等處理必須
摘要:真空冶金技術(shù)指的是在比大氣壓還小的氣壓之下展開(kāi)的冶金作業(yè),該項(xiàng)技術(shù)是在真空技術(shù)的技術(shù)上得以廣泛應(yīng)用的。在目前,真空冶金技術(shù)包含著多種熔煉方法。為了對(duì)真空冶金技術(shù)的開(kāi)發(fā)歷史及應(yīng)用有進(jìn)一步了解,本文重點(diǎn)就真空冶金技術(shù)的開(kāi)發(fā)及其的應(yīng)用領(lǐng)域等問(wèn)題展開(kāi)分析探討,并指出該技術(shù)在今后的發(fā)展前景。關(guān)鍵詞:真空冶
【摘 要】 真空冶金技術(shù)指的是在比大氣壓還小的氣壓之下展開(kāi)的冶金作業(yè),該項(xiàng)技術(shù)是在真空技術(shù)的技術(shù)上得以廣泛應(yīng)用的。在目前,真空冶金技術(shù)包含著多種熔煉方法。為了對(duì)真空冶金技術(shù)的開(kāi)發(fā)歷史及應(yīng)用有進(jìn)一步了解,本文重點(diǎn)就真空冶金技術(shù)的開(kāi)發(fā)及其的應(yīng)用領(lǐng)域等問(wèn)題展開(kāi)分析探討,并指出該技術(shù)在今后的發(fā)展前景?!娟P(guān)鍵詞】
.本實(shí)用新型涉及真空抽氣泵技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種電動(dòng)手動(dòng)結(jié)合的真空抽氣泵。背景技術(shù).真空泵是指利用機(jī)械、物理、化學(xué)或物理化學(xué)的方法對(duì)被抽容器進(jìn)行抽氣而獲得真空的器件或設(shè)備。通俗來(lái)講,真空泵是用各種方法在某一封閉空間中改善、產(chǎn)生和維持真空的裝置。按真空泵的工作原理,真空泵基本上可以分為兩種類(lèi)型,即氣體捕集泵和氣體傳輸泵。其廣泛用于建筑施工、冶金、化工、食品、電子鍍膜等行業(yè)。.市場(chǎng)上一般的真空抽氣泵均為電動(dòng)抽氣泵,不能有效的根據(jù)實(shí)際情況來(lái)對(duì)抽氣泵的工作模式進(jìn)行調(diào)節(jié)處理,從而使整體的裝置使用受到了
本發(fā)明涉及真空泵領(lǐng)域,具體的是一種無(wú)油立式真空泵。背景技術(shù)無(wú)油真空泵是一種無(wú)需任何油作潤(rùn)滑就能運(yùn)轉(zhuǎn)工作的機(jī)械真空泵,它具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、操作容易、維護(hù)方便、不會(huì)污染環(huán)境等優(yōu)點(diǎn),無(wú)油真空泵耐用性好,使用的時(shí)候?qū)⑦M(jìn)氣管連接于密閉的空間中,通過(guò)抽氣的方式將,空間中的空氣進(jìn)行抽取,使得空間中達(dá)到真空的效果?;谏鲜霰景l(fā)明人發(fā)現(xiàn),現(xiàn)有的一種無(wú)油立式真空泵主要存在以下幾點(diǎn)不足,比如:在對(duì)大量的雞爪進(jìn)行密封包裝的時(shí)候,需要將真空泵的進(jìn)氣口通過(guò)多條導(dǎo)管進(jìn)行連接,再將導(dǎo)管連接于真空包裝的設(shè)備,通過(guò)真空包裝設(shè)備對(duì)包裝袋
本實(shí)用新型描述了用于涂覆可移動(dòng)基板(20)的沉積源(100、200、300、400)和沉積設(shè)備(500)。所述沉積源包括:源外殼(120),通過(guò)可以在沉積期間移動(dòng)基板(20)經(jīng)過(guò)工藝腔室的敞開(kāi)的前側(cè)的方式而固定到所述工藝腔室;氣體入口(130),用于將工藝氣體引入到所述源外殼的涂覆處理區(qū)域(125)中;以及抽空出口(140),用于將所述工藝氣體從所述源外殼的泵送區(qū)域去除。抽空分割單元(150)布置在所述涂覆處理區(qū)域(125)與所述泵送區(qū)域(126)之間,所述抽空分割單元具有至少一個(gè)開(kāi)口或具有多個(gè)開(kāi)口(152),所述至少一個(gè)開(kāi)口或多個(gè)開(kāi)口界定從所述涂覆處理區(qū)域(125)到所述泵送區(qū)域(126)中的工藝氣流路徑(155)。
加氫轉(zhuǎn)化重油原料的工藝,包括在至少一個(gè)包含漿料催化劑的反應(yīng)器中使原料加氫轉(zhuǎn)化的步驟,使得能夠回收殘余未轉(zhuǎn)化餾分中的金屬,特別是用作催化劑的那些。該工藝包括加氫轉(zhuǎn)化步驟、氣/液分離步驟、液/液萃取步驟、研磨步驟、浸提步驟、燃燒步驟、金屬萃取步驟和制備循環(huán)到加氫轉(zhuǎn)化步驟的催化溶液的步驟。
根據(jù)不同的實(shí)施方式,蒸發(fā)組件(100,300至900)可具有:多件式的殼體,該殼體(102)具有殼體槽(102w)和可從這個(gè)殼體槽上取下的殼體蓋(102d);坩堝(104),其用于將容納在該坩堝(104)中的蒸發(fā)物質(zhì)從殼體(102)中熱蒸發(fā),該坩堝(104)具有至少一種耐高溫材料;和坩堝保持結(jié)構(gòu)(108),其將坩堝(104)保持在殼體槽(102w)內(nèi)并且與該殼體槽保持空間分離,其中,殼體蓋(102d)具有蒸汽流出口(102o),穿過(guò)該蒸汽流出口提供從殼體(102)中的熱蒸發(fā)。
本發(fā)明涉及重質(zhì)石油原料的加氫轉(zhuǎn)化方法,包括在至少一個(gè)包含漿料催化劑的反應(yīng)器中使原料加氫轉(zhuǎn)化的步驟,使得能夠回收未轉(zhuǎn)化的殘余餾分中的金屬,特別是用作催化劑的那些。該方法包括加氫轉(zhuǎn)化步驟、氣/液分離步驟、焦化步驟、燃燒步驟、金屬萃取步驟和制備循環(huán)到加氫轉(zhuǎn)化步驟的催化溶液的步驟。
本發(fā)明涉及加氫轉(zhuǎn)化重油原料的方法,包括在至少一個(gè)包含催化劑的反應(yīng)器中使原料發(fā)生漿料加氫轉(zhuǎn)化的步驟,使得能夠回收殘余未轉(zhuǎn)化餾分中的金屬,特別是用作催化劑的那些。該方法包括加氫轉(zhuǎn)化步驟、氣/液分離步驟、至少一個(gè)液/液萃取步驟、燃燒步驟、金屬萃取步驟和制備循環(huán)到加氫轉(zhuǎn)化步驟的催化溶液的步驟。
一種電離-真空測(cè)量單元包括:a)帶有用于待測(cè)量的真空的測(cè)量接口(8)的可抽真空的殼體(10);b)外部的第一電極和內(nèi)部的第二電極(3,4),其以共同地軸線(7)彼此同軸地且相間隔地布置,由此在這兩個(gè)電極之間構(gòu)造有測(cè)量室(20),其與測(cè)量接口(8)連通;c)電壓源(16),其與電極(3,4)相連接;d)電流測(cè)量器件(17),用于評(píng)估在電極(3,4)之間構(gòu)造的放電電流;e)至少一個(gè)永磁體環(huán)(1),其包圍電極(3,4)的同軸組件,帶有徑向于軸線取向的磁化方向(13)且?guī)в邪鼑撚来朋w環(huán)(1)的軟磁軛(2),其中,軛(2)在軸向上在兩側(cè)引導(dǎo)遠(yuǎn)離永磁體環(huán)(1)并且在與永磁體環(huán)(1)的預(yù)設(shè)的間距(d)之后在兩側(cè)上在徑向上朝向軸線(7)和第一電極(3)來(lái)引導(dǎo),這樣使得軛(2)在兩側(cè)、與永磁體環(huán)(1)相間隔地構(gòu)造兩個(gè)環(huán)形的極(9a,b),永磁體環(huán)(1)的場(chǎng)線的至少一部分經(jīng)由其在測(cè)量室(20)內(nèi)穿過(guò)電極(3)地閉合。
本發(fā)明涉及一種向脫水板投入污泥時(shí),通過(guò)液壓缸被高壓壓縮而排出液狀過(guò)濾液的污泥處理裝置,更詳細(xì)而言,涉及一種在與污泥接觸的脫水板形成供高溫水循環(huán)的熱水管,提高脫水性能,在脫水板內(nèi)設(shè)置含水量檢測(cè)傳感器,從而不僅能夠調(diào)整含水量,還能自動(dòng)排放脫水泥餅的具備脫水器的污泥處理裝置。
一種用于EUV投射曝光設(shè)備的照明光學(xué)單元(4),具有光闌(23),光闌包括具有離散對(duì)稱組的輻射透射區(qū)域。光闌(23)的形狀適配于光瞳分面反射鏡(18)的分面形狀或輻射源(3)的形狀。光闌(23)優(yōu)選地布置在中間焦平面的區(qū)域中。
本發(fā)明描述一種離子植入裝置和一種制造一半導(dǎo)體裝置的方法,其中植入電離氫化硼分子簇以形成P型晶體管結(jié)構(gòu)。舉例而言,在制造互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)裝置中,植入該等簇以為源極和漏極結(jié)構(gòu)與多柵極提供P型摻雜,此等摻雜步驟對(duì)于形成PMOS晶體管而言是至關(guān)重要的。該等分子簇離子具有化學(xué)形式BnHx+和BnHx-,其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
一種廢銅箔回收的方法,其是利用化學(xué)溶解、結(jié)晶純化,以含硫酸的溶液回收電鍍一種或一種以上重金屬的廢銅箔的方法;將廢銅箔以硫酸溶液溶解,以產(chǎn)生硫酸銅溶液,并穩(wěn)定其濃度后,再將硫酸銅溶液結(jié)晶,亦即分離成結(jié)晶與母液兩部分,此時(shí),廢銅箔上的重金屬已移至該母液,再通過(guò)清水沖洗,使結(jié)晶與母液分離,所得的硫酸銅結(jié)晶送至電鍍槽中溶解以完成回收銅箔。具有降低回收銅箔費(fèi)用的功效。
本發(fā)明公開(kāi)CO2轉(zhuǎn)化率為100%的尿素合成方法,它包括: (a)反應(yīng)物以逆流形式進(jìn)入蒸餾塔反應(yīng)器中,即NH3從塔底進(jìn)料, CO2從中部進(jìn)料。得到含有尿素、NH3和水的塔底液體物流和NH3與 水組成的塔頂氣體和/或超臨界物流; (b)上述塔底物流經(jīng)過(guò)一步或多步分離,得到含NH3物流和用于造粒的含尿素物流;(c)上述塔頂物流進(jìn)入一蒸餾塔中,從其塔底分離出水,塔頂分離出NH3。
本發(fā)明涉及一種易于制作、且方便使用的熱溶膠容器,特別包含一種該熱溶膠容器的制作方法,其主要是將塑料薄膜加熱軟化,并使其與模具貼合,同時(shí)將塑料薄膜與模具間的空氣抽離,使塑料薄膜完全貼合于模具表面,在經(jīng)過(guò)冷卻后定型,最后使成型的塑料薄膜與模具分離,并經(jīng)自動(dòng)裁切形成熱溶膠容器,這樣可提高熱溶膠容器的生產(chǎn)效率,同時(shí)減少不必要的浪費(fèi),進(jìn)而達(dá)到保護(hù)環(huán)境的效能。
用于過(guò)濾固體的過(guò)濾系統(tǒng)包括用于接收含有待過(guò)濾的固體的漿液的過(guò)濾箱。使用承載過(guò)濾器組件的輸送裝置將包括多個(gè)過(guò)濾單元的過(guò)濾組件下降到過(guò)濾箱中,每個(gè)過(guò)濾單元在外部具有過(guò)濾介質(zhì)并且在內(nèi)部具有腔體。真空傳送系統(tǒng)連接到過(guò)濾組件,以將真空傳遞到各過(guò)濾單元的內(nèi)部。真空傳送系統(tǒng)可操作以執(zhí)行過(guò)濾,并在輸送裝置相對(duì)于過(guò)濾箱移動(dòng)過(guò)濾組件的同時(shí)保持所過(guò)濾的固體。
本發(fā)明描述了用于從鉆屑中分離流體的系統(tǒng)及方法。確切地說(shuō),本發(fā)明涉及包含真空系統(tǒng)及/或分區(qū)的改裝的振蕩器,以及操作此類(lèi)振蕩器來(lái)實(shí)現(xiàn)流體高度分離的方法。所述系統(tǒng)和方法在多種篩孔尺寸、真空流以及真空設(shè)計(jì)中都是有效的。所述系統(tǒng)尤其有助于從鉆井液中分離氣體。
本發(fā)明涉及一種運(yùn)行加熱組子系統(tǒng)(1)的方法,所述加熱組子系統(tǒng)(1)用于制造或者處理纖維材料幅面、尤其紙幅面或者紙板幅面的機(jī)器,其中,所述加熱組子系統(tǒng)(1)包括第一加熱組(HG1)和最末加熱組(HG3)和至少一個(gè)另外的加熱組(HG2),各加熱組都帶有至少一個(gè)以具有蒸氣壓力的加熱蒸氣加熱的裝置(1.1,1.2,1.3,1.4,2.1,2.2,3.1,3.2),尤其干燥筒,用于加熱纖維材料幅面,其中,纖維材料幅面沿機(jī)器的運(yùn)行方向觀察,首先導(dǎo)引通過(guò)第一加熱組(HG1),然后通過(guò)所述至少一個(gè)另外的加熱組(HG2)并且然后通過(guò)最末加熱組(HG3)。按照本發(fā)明規(guī)定,所述至少一個(gè)另外的加熱組(HG2)的加熱蒸氣的蒸氣壓力設(shè)置為低于第一加熱組(HG1)和最末加熱組(HG3)的加熱蒸氣的相應(yīng)蒸氣壓力。
一種用于校正眼睛的視力的眼內(nèi)透鏡系統(tǒng)(30),其包括適于基本沿著主光軸(40)插入到眼睛中的第一透鏡(36),和適于基本沿著該主光軸插入到眼睛中的第二透鏡(38),第二透鏡與第一透鏡間隔并且串聯(lián),使得第一和第二透鏡形成遠(yuǎn)屈光透鏡系統(tǒng)(32)。
本發(fā)明的課題在于提供一種薄膜晶體管,其具有有機(jī)半導(dǎo)體層,所述 有機(jī)半導(dǎo)體層含有具有p型半導(dǎo)體特性的有機(jī)半導(dǎo)體材料,該薄膜晶體管 能夠抑制斷態(tài)電流的增大,且晶體管特性優(yōu)異;還提供具有該晶體管的可 靠性優(yōu)異的電光裝置以及電子設(shè)備。本發(fā)明的薄膜晶體管具有源電極5與 漏電極6、有機(jī)半導(dǎo)體層4、第1絕緣層3、柵電極2、第2絕緣層7,有 機(jī)半導(dǎo)體層4包含具有p型半導(dǎo)體特性的有機(jī)半導(dǎo)體材料,且第2絕緣層 7包含上述通式(1)所示的化合物,從而形成從第2絕緣層7向有機(jī)半導(dǎo) 體層4施加電子的構(gòu)成, 式中,R1及R2各自獨(dú)立地表示取代或未取代的亞烷基,X1、X2、X3 及X4表示氫原子或給電子性基團(tuán),n表示100~100000,其中,X1、X2、 X3及X4中的至少1個(gè)為給電子性基團(tuán)。
本發(fā)明提供了一種圖案形成方法,該方法包括(I)在表面上設(shè)置與基板直接化學(xué)結(jié)合的接枝聚合物,制造基板的接枝聚合物生成步驟、(II)通過(guò)液滴噴出法,按照預(yù)定的圖案形狀,在生成上述接枝聚合物的表面上配置將粒子分散在液體(分散介質(zhì))中形成的分散液液滴的粒子分散液配置步驟和(III)從上述配置的液滴中蒸發(fā)掉液體(分散介質(zhì)),按照預(yù)定的圖案形狀在上述基板上形成由粒子構(gòu)成的層的粒子圖案形成步驟。
一種包含吸收器(103)的設(shè)備,其在氣相超臨界區(qū)域操作并且從進(jìn)料流(9)中以進(jìn)料流(10)的高回收率脫除酸性氣體,同時(shí)生成高純度酸性氣體流(36)。特別優(yōu)選的設(shè)備包括氣體凈化設(shè)備,該氣體凈化設(shè)備接收含至少5摩爾%二氧化碳且壓力至少為3000psi的進(jìn)料氣體。
一種制備適用于在SCR法中去除氮氧化物的尿素水溶液的方法和系統(tǒng),其中將來(lái)自尿素系統(tǒng)回收區(qū)中的尿素溶液經(jīng)過(guò)至少一個(gè)蒸發(fā)處理步驟,分離含有水和氨的蒸氣流,獲得基本上無(wú)氨的濃縮液,將所述濃縮液稀釋至適用于SCR法的尿素濃度。
等離子顯示器面板,具有在背部玻璃板上配置了金屬尋址電極、隔板以及熒光體的后基板,和在與后基板相向配置的前部玻璃板上配置了透明電極、上部金屬電極、介質(zhì)層及保護(hù)層的前基板,采用電子照相法,印出金屬尋址電極以及上部金屬電極。其時(shí),作為調(diào)色劑,使用在粒徑為0.1~20μm的金屬粒子的表面用熱可塑性樹(shù)脂被覆的被覆金屬粒子。通過(guò)采用電子照相法的印刷即可既省材料又高效地制造出等離子顯示器面板等產(chǎn)品。
本發(fā)明公開(kāi)了一種注射成型品,注射成型用模具以及注射成型方法。其中,向成型用樹(shù)脂材料中混合發(fā)泡劑進(jìn)行注射成型,使用至少在成型制成型品時(shí)熔融注射的成型用樹(shù)脂材料在模腔內(nèi)的移動(dòng)速度為1.5米/秒~2000米/秒的部位的移動(dòng)方向前方的模腔表面設(shè)置絕熱材料的模具進(jìn)行成型。
一種熔煉金屬并將金屬澆入鑄模的方法和裝置,其中熔煉是在熔煉坩堝(13)中進(jìn)行的,具有向下的澆口(26)的鑄模(10)在熔煉位置處放在熔煉坩堝上。當(dāng)金屬熔化后,熔煉坩堝(13)和鑄模(10)一起繞水平軸轉(zhuǎn)到翻轉(zhuǎn)位置。熔融金屬在此位置上從熔煉坩堝(13)中流入鑄模(10)。為了使這種方法也可用于反應(yīng)金屬,真空下在熔煉坩堝(13)中對(duì)金屬進(jìn)行熔煉,在真空外圍有感應(yīng)線圈(15),鑄模(10)安裝在真空密封的澆鑄室(6)中。在熔化前,澆鑄室(6)與熔煉坩堝(13)一起被抽真空。在保持真空的狀態(tài)下,通過(guò)使熔煉坩堝(13)、澆鑄室(6)和鑄模(10)一起翻轉(zhuǎn)至少180度而實(shí)現(xiàn)澆鑄。
本發(fā)明提供一種電路基板,是一種不必考慮絕緣層與半導(dǎo)體層之間的電阻關(guān)系等而提高半導(dǎo)體層中的遷移率的電路基板,本發(fā)明的電路基板的特征在于,包括:設(shè)置在基板(2)的一面?zhèn)鹊脑措姌O、漏電極(5)和柵電極(6);使該源電極(5)和漏電極(6)與該柵電極(2)絕緣的第一絕緣層(3);與該第一絕緣層(3)接觸設(shè)置的有機(jī)半導(dǎo)體層(4);與該有機(jī)半導(dǎo)體層(4)接觸設(shè)置的第二絕緣層(7),其中所述第二絕緣層(7)含有由下述通式(1)表示的化合物,【化1】,式中,R1和R2分別獨(dú)立表示可具有取代基的亞烷基,X1、X2、X3和X4表示氫或吸電子型基團(tuán),n表示100~100000,其中,X1、X2、X3和X4全部為氫的情況除外。
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