含W的高強(qiáng)度鑄造Ni3Al基高溫合金及其制備方法與流程 713     

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本發(fā)明涉及高溫合金技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種含W的高強(qiáng)度鑄造Ni3Al基高溫合金及其制備方法。背景技術(shù)目前廣泛使用于煤、天然氣和石油轉(zhuǎn)化利用系統(tǒng)和先進(jìn)熱力發(fā)動(dòng)機(jī)中的結(jié)構(gòu)材料，如奧氏體不銹鋼和高溫合金，通常無法同時(shí)滿足服役條件所需求的強(qiáng)度、韌性和耐蝕性。涂層材料如FeCrAl雖然擁有優(yōu)良的耐蝕性，但其高溫強(qiáng)度較差。因此迫切需要發(fā)展新型合金以滿足高溫結(jié)構(gòu)部件的苛刻服役條件，即具有良好高溫機(jī)械性能和優(yōu)良耐蝕性的合金，而Ni3Al基合金恰好符合上述要求。金屬間化合物Ni3Al具有其獨(dú)特的高溫性能，十分適合應(yīng)

無取向硅鋼的生產(chǎn)方法和無取向硅鋼與流程 813     

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.本申請屬于鋼鐵冶煉技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種無取向硅鋼的生產(chǎn)方法和無取向硅鋼。背景技術(shù).無取向電工鋼，是一種低碳且si含量通常在.％至.％之間的硅鐵軟磁合金，用于家用電器、電力系統(tǒng)、通信系統(tǒng)和軍事工業(yè)等領(lǐng)域。對于硅鋼材料來說，其抗腐蝕能力遠(yuǎn)高于一般低碳鋼。硅鋼生產(chǎn)過程中，通常使用涂布絕緣涂層達(dá)到防腐的目的，但還是會(huì)出現(xiàn)橫截面腐蝕的情況。.鋼鐵材料內(nèi)部成分、組織等不均勻，加上外界濕氣與材料表面形成電解液薄膜，造成了材料內(nèi)部及表面不同組織之間形成了電位差，引發(fā)電化學(xué)腐蝕，其中，點(diǎn)腐蝕造成

新型高性能鉬合金及其制備方法 320     

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.本發(fā)明涉及金屬材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型高性能鉬合金及其制備方法。背景技術(shù).鉬合金是一類具有戰(zhàn)略意義且不可再生的稀有的難熔合金，其具有高熔點(diǎn)、良好的導(dǎo)熱性、低的膨脹系數(shù)、極好的抗熱震性能以及耐熱疲勞性能。因而鉬合金及其合金在航空航天，核工業(yè)、機(jī)械、冶金等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。同時(shí)由于我國的鉬儲(chǔ)量，產(chǎn)量以及消費(fèi)量均居全球第一，因而如何高效的利用鉬及其合金制備高性能產(chǎn)品具有重要的戰(zhàn)略意義，受到國內(nèi)外的廣泛關(guān)注。.目前，由于鉬及鉬合金通常具有高密度、較低的再結(jié)晶溫度、高的韌脆轉(zhuǎn)變溫度、顯

鋁銅復(fù)合材料藥型罩的成形方法與流程 1114     

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本發(fā)明涉及復(fù)合材料制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鋁銅復(fù)合材料藥型罩的成形方法。背景技術(shù)藥型罩是聚能破甲戰(zhàn)斗部的核心元件、是支撐高性能戰(zhàn)斗部研制的重要基礎(chǔ)，藥型罩材料是決定破甲性能的關(guān)鍵因素之一。藥型罩作為聚能裝藥戰(zhàn)斗部的關(guān)鍵構(gòu)件已有50多年的發(fā)展歷史，現(xiàn)役98％的破甲彈戰(zhàn)斗部采用純銅藥型罩，大量彈道試驗(yàn)研究表明，采用軋制板材、擠制的銅棒材制造的藥型罩，平均晶粒尺寸在20μm～45μm，可以侵徹穿透9倍裝藥口徑厚度的鋼靶(45鋼)，但是射流出口孔徑不到φ15mm，最后的剩余射流質(zhì)量不到5％(與藥型罩總

高精度大口徑平面離子束拋光機(jī)的制作方法 596     

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本實(shí)用新型涉及離子束拋光機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高精度大口徑平面離子束拋光機(jī)。背景技術(shù)離子束拋光技術(shù)是利用離子濺射原理，通過在真空狀態(tài)下離子源引束產(chǎn)生等離子體能量束流，束流轟擊工件表面產(chǎn)生原子級(jí)別的材料去除從而實(shí)現(xiàn)光學(xué)元件的高精度加工。傳統(tǒng)的離子束拋光機(jī)在對工件的不同面進(jìn)行拋光采用人工手動(dòng)翻轉(zhuǎn)，這種方式打斷了拋光作業(yè)節(jié)奏，而且費(fèi)時(shí)費(fèi)力，降低拋光效率，且增大了作業(yè)風(fēng)險(xiǎn)。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中離子束拋光機(jī)不便同時(shí)對工件的多個(gè)不同的表面進(jìn)行拋光的問題，而提出的一種高精度大口徑

負(fù)泊松比開孔泡沫鋁材料及其滲流鑄造制備方法與流程 759     

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本發(fā)明涉及一種泡沫鋁材料及其制備方法，尤其涉及一種負(fù)泊松比開孔泡沫鋁材料及其制備方法。背景技術(shù)負(fù)泊松比材料又稱為拉脹材料(Auxetic)，是一類泊松比為負(fù)數(shù)的特殊材料，當(dāng)材料發(fā)生拉伸變形時(shí)，垂直于載荷的方向會(huì)發(fā)生側(cè)向膨脹；而當(dāng)材料發(fā)生壓縮變形時(shí)，垂直于載荷的方向會(huì)發(fā)生側(cè)向收縮。由于負(fù)泊松比材料具有獨(dú)特的負(fù)泊松比特性和材料集中效應(yīng)，使其在剪切模量、抗斷裂韌性、壓痕阻力以及能量吸收和抗沖擊性能方面都比相同組成、相同密度的正泊松比材料更加優(yōu)異。目前用于防護(hù)結(jié)構(gòu)的負(fù)泊松比材料主要為負(fù)泊松比微結(jié)構(gòu)材料，

高溫合金定向凝固的澆注結(jié)構(gòu)和澆注方法與流程 983     

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本發(fā)明涉及的澆注技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，是一種高溫合金定向凝固的澆注結(jié)構(gòu)和澆注方法。背景技術(shù)目前世界上廣泛應(yīng)用的高溫合金定向凝固鑄件制備方法是bridgman法和lmc法。將制備好的陶瓷型殼放置在真空精密鑄造爐的水冷銅盤上，待陶瓷型殼加熱至預(yù)定溫度后，實(shí)施澆注，然后按照一定速度將注入合金液的陶瓷型殼從真空精密鑄造爐的熱區(qū)(陶瓷型殼加熱器)抽拉至冷區(qū)或金屬冷卻液中，使得合金液形成定向凝固，從而獲得定向凝固鑄件。由于通常陶瓷型殼的預(yù)熱溫度及合金液的澆注溫度遠(yuǎn)高于合金的液相線，澆注后合金液的流動(dòng)性能很好。

半軸齒輪內(nèi)花鍵滲碳淬火方法及滲碳淬火設(shè)備與流程 831     

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本發(fā)明涉及一種齒輪內(nèi)花鍵滲碳淬火方法及其淬火設(shè)備，特別是一種半軸齒輪內(nèi)花鍵滲碳淬火方法及其淬火設(shè)備。背景技術(shù)目前，市場上常見的齒輪淬火，都是將齒輪放入內(nèi)部高溫的淬火爐中，并向淬火爐中通入甲烷、丙烷等氣體，使得齒輪表面進(jìn)行滲碳，接著將滲碳完成的齒輪直接浸入淬火油中進(jìn)行降溫淬火，從而使得齒輪表面具有較好的耐磨性和硬度，而齒輪內(nèi)部依舊保持有韌性；但對于有內(nèi)花鍵的半軸齒輪采用此類裝置進(jìn)行淬火，直接向淬火爐內(nèi)充入甲烷等氣體，氣體不易到達(dá)內(nèi)花鍵位置處，使得內(nèi)花鍵位置處的滲碳效果較差；且淬火爐中加熱位置處的一

半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室的制作方法 1075     

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.本申請涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體而言，本申請涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室。背景技術(shù).目前，在半導(dǎo)體工藝后段的鈍化層(passivationlayer)工藝中，鋁墊(alpad)作為集成電路中的重要的一道工序，形成在金屬互連層上端；其作為測試電性連接和封裝的引線端，對后續(xù)的封裝工藝起到承上啟下的作用。在集成電路制造過程中，幾乎所有的半導(dǎo)體器件在其制造過程都要使用鋁墊(alpad)用于其后道金屬互聯(lián)，作為導(dǎo)線傳遞各器件的電信號(hào)，通過后續(xù)封裝引線實(shí)現(xiàn)各器件的連接控制。.現(xiàn)有技術(shù)中采用

具有穩(wěn)定工作狀態(tài)的離子束拋光機(jī)的制作方法 942     

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本實(shí)用新型涉及離子束拋光機(jī)領(lǐng)域，具體涉及具有穩(wěn)定工作狀態(tài)的離子束拋光機(jī)。背景技術(shù)所謂離子束拋光，就是把惰性氣體，如氬、氮等放在密閉空間中，用高頻電磁振蕩或放電等方法對陰極電流加熱，使之電離成為正離子，再用5千至10萬伏高電壓對這些正離子加速，使它們具有一定的能量。利用電子透鏡聚焦，將它們聚焦成一細(xì)束,形成高能量密度離子流，在計(jì)算機(jī)的控制下轟擊放在真空室經(jīng)過精磨的工件表面，從其表面把工件物質(zhì)一個(gè)原子一個(gè)原子地濺射掉。用這種方法實(shí)現(xiàn)對工件表面進(jìn)行深度從100埃到10微米左右的精密加工?，F(xiàn)有的小型離子

在20~150℃范圍內(nèi)熱膨脹系數(shù)近零的鎂基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用 1085     

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一種在～℃范圍內(nèi)熱膨脹系數(shù)近零的鎂基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明屬于金屬復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種在～℃范圍內(nèi)熱膨脹系數(shù)近零的鎂基復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù).鎂合金作為一種新型的綠色結(jié)構(gòu)材料，具有金屬結(jié)構(gòu)材料中最低的密度，僅為.g/cm，其比剛度高、電磁屏蔽性能好、導(dǎo)熱導(dǎo)電性能優(yōu)良且環(huán)境友好，不僅在汽車工業(yè)、航空航天等輕量化進(jìn)程中扮演著重要角色，且在電子器件領(lǐng)域引起了極大的關(guān)注，如led散熱器、筆記本外殼等。.在電子元器件制造領(lǐng)域，

壓鑄用鋁合金以及對其進(jìn)行熱處理的方法與流程 854     

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本發(fā)明涉及可適用于壓鑄的鋁合金組合物及對其進(jìn)行熱處理的方法。具體而言，鋁合金組合物可包括通過熱處理形成的Mg-Zn基強(qiáng)化相沉淀，因此其可具有大大改善的強(qiáng)度。背景技術(shù)由于易于鑄造、與其他金屬高效地形成合金、在空氣中顯示出高耐腐蝕性并具有高導(dǎo)電導(dǎo)熱性，鋁在工業(yè)中已得到廣泛應(yīng)用。具體而言，鋁主要被用于減輕車輛重量并提高燃料效率，且通過將鋁與其他金屬混合而以鋁合金的形式提供，因?yàn)榕c其他金屬例如鐵相比，鋁本身的強(qiáng)度可能不足。通過壓鑄制造鋁合金，其是一種精密的鑄造工藝，其中將熔融金屬注入具有空腔的模具中，由

應(yīng)用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝的制作方法 657     

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本實(shí)用新型涉及一種LED蒸鍍設(shè)備鍍金工藝技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，它涉及一種應(yīng)用于蒸鍍鍍金工藝的坩堝。背景技術(shù)蒸鍍是LED加工過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，即在真空腔體內(nèi)加熱有機(jī)小分子材料，使其升華或者熔融氣化成材料蒸汽，透過金屬光罩的開孔沉積在基板上。在傳統(tǒng)的LED蒸鍍鍍金工藝中，鍍金的坩堝直接放在水冷底座的上方，這樣的方式，具有以下缺點(diǎn)：1、坩堝直接與底座接觸，底座內(nèi)有冷卻水裝置，受水冷影響，電子槍加熱過程需要更高的能量；2、蒸鍍過程，坩堝外壁溫度低，坩堝內(nèi)的黃金在溶化過程，電子槍打坩堝中心位置，黃金在

高導(dǎo)熱表面金屬化金剛石/銅復(fù)合基板制備方法 739     

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.本發(fā)明涉及金屬基復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種高導(dǎo)熱表面金屬化金剛石/銅復(fù)合基板制備方法。背景技術(shù).隨著功能強(qiáng)大、小巧便攜移動(dòng)電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展，電子元器件的尺寸越來越小，電路集成度也越來越高、使用頻率越來越高，相應(yīng)地對電子封裝材料的穩(wěn)定性和可靠性及散熱性能等提出了更高的要求，因此，電子封裝材料要適應(yīng)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展需求，則必須充分兼顧多項(xiàng)參數(shù)如熱導(dǎo)率(tc)、熱膨脹系數(shù)(cte)、密度、強(qiáng)度及合理的封裝工藝等。.傳統(tǒng)的電子封裝材料多釆用易于加工的合金材料，然而多數(shù)情況下合金難以兼具綜

納米多孔金材料及制備方法與流程 1049     

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本發(fā)明屬于納米材料領(lǐng)域，更具體地，涉及一種納米多孔金材料及制備方法。背景技術(shù)納米多孔金屬是指孔徑尺寸在納米范圍內(nèi)的多孔金屬材料，由連續(xù)韌帶和孔組成，形成三維雙連續(xù)的多孔結(jié)構(gòu)。納米多孔金屬具有高孔隙率、具有大的內(nèi)表面積的納米孔，是一種兼具功能和結(jié)構(gòu)雙重屬性的新型功能材料，既有高導(dǎo)電性、可焊性、高導(dǎo)熱性、抗腐蝕、抗疲勞、延展性以及結(jié)構(gòu)強(qiáng)度高、耐高溫等金屬材料的優(yōu)異性能，又具有納米材料的表面效應(yīng)和尺寸效應(yīng)。納米多孔金屬材料可廣泛應(yīng)用于生物、醫(yī)藥、電子、光學(xué)、催化、傳感器及生物分子的隔離和

正電性金納米簇及其制備方法與應(yīng)用 1063     

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.本發(fā)明屬于功能性生物納米材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種正電性金納米簇及其制備方法與應(yīng)用。背景技術(shù).熒光金納米簇因其超微小尺寸、明確的結(jié)構(gòu)組成、化學(xué)惰性、良好的生物安全性和特殊的熒光發(fā)射能力，在化學(xué)、生物和醫(yī)學(xué)領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用價(jià)值。目前用于制備熒光金納米簇的方法主要有兩類：()刻蝕法，即通過合適的刻蝕分子把不發(fā)光、尺寸較大的金納米顆?？涛g成可發(fā)射熒光且粒徑較小的金納米簇；()模板法，即以蛋白質(zhì)、多肽、核酸、小分子等作為穩(wěn)定劑和金離子反應(yīng)，限制金納米顆粒的生長，使金離子主要還原成熒光金納米簇。

高致密度、成分可控的高硅鋁合金材料及制備方法與流程 474     

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.本發(fā)明涉及合金加工技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高致密度、成分可控的高硅鋁合金材料及制備方法。背景技術(shù).高硅鋁合金材料具有熱膨脹系數(shù)低、導(dǎo)熱性好、硬度高、比強(qiáng)度高、耐磨性好、比重小等諸多突出優(yōu)點(diǎn)，在汽車、電子、航空、航天等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用，尤其是在電子封裝材料和汽車發(fā)動(dòng)機(jī)活塞材料等領(lǐng)域，具有廣泛的應(yīng)用潛力。目前常用的幾種制備高硅鋁合金材料的工藝存在以下問題：()采用熔煉鑄造的方法制備高硅鋁合金材料會(huì)使組織中產(chǎn)生粗大的板片狀初晶硅和針狀的共晶硅，嚴(yán)重割裂了基體，尖端處還會(huì)產(chǎn)生應(yīng)力集中，降低了強(qiáng)度、

鋁合金PVD結(jié)構(gòu)、鋁合金裝飾件及電子設(shè)備的制作方法 790     

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鋁合金pvd結(jié)構(gòu)、鋁合金裝飾件及電子設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】.本實(shí)用新型涉及表面處理技術(shù)領(lǐng)域，具體的涉及一種鋁合金pvd結(jié)構(gòu)、鋁合金裝飾件及電子設(shè)備?！颈尘凹夹g(shù)】.電池蓋是一種安裝在手機(jī)背面的手機(jī)外觀配件，主要起保護(hù)、裝飾等功能，因此一般電池蓋上裝有鋁合金裝飾件，以提升美觀度。目前，隨著柔性屏和折疊技術(shù)的發(fā)展，折疊手機(jī)成為未來趨勢，折疊手機(jī)設(shè)有用于折疊的轉(zhuǎn)軸，轉(zhuǎn)軸的表面通常為不銹鋼或者液態(tài)金屬并進(jìn)行pvd鍍膜(pvd，即物理氣相沉積技術(shù)，表示在真空條件下，采用物理方法，將材料蒸發(fā)成氣態(tài)原子、分子或部

葉輪鑄造工藝及葉輪的制作方法 718     

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本發(fā)明涉及鑄造技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種葉輪鑄造工藝及葉輪。背景技術(shù)離心式壓縮機(jī)或離心泵用來為各種流體流動(dòng)提供加壓。這種壓縮機(jī)或離心泵包含葉輪，當(dāng)葉輪旋轉(zhuǎn)時(shí)，流體軸向方向進(jìn)入，然后加速進(jìn)入周向和徑向方向，高流速流體進(jìn)入擴(kuò)壓器，經(jīng)轉(zhuǎn)換速度后輸出高壓流體，對此類壓縮機(jī)或離心泵，所使用的葉輪一般為合金精密鑄造大型薄壁葉輪。普通重力鑄造方式鑄造葉輪時(shí)容易出現(xiàn)充注不足等缺陷，受到型殼結(jié)構(gòu)限制，型殼自身承受壓力有限，葉輪鑄件容易產(chǎn)生氣孔、疏松等問題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種葉輪鑄造工藝及葉輪，其能

硫化亞錫/金納米顆粒復(fù)合物及其制備方法和應(yīng)用與流程 483     

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本發(fā)明涉及的是一種硫化亞錫誘導(dǎo)生長金納米顆粒的自組裝方法，屬于納米材料制備領(lǐng)域。背景技術(shù)硫化亞錫是性能優(yōu)良的P型半導(dǎo)體，在很多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，可用作晶體管、傳感器、太陽能電池、開關(guān)、電池電極等。不同于諸如石墨烯等零隙半導(dǎo)體的是，硫化亞錫有帶隙，且為間接帶隙，并且其帶隙和原子層數(shù)有重要的聯(lián)系，層數(shù)越薄帶隙越大。也不同于過度金屬二維材料如二硫化鉬，硫化亞錫從塊體到單層都是間接帶隙。但目前硫化亞錫和金納米顆粒的復(fù)合物制備方法還鮮有報(bào)道。金納米顆粒的合成一般采用溶液化學(xué)還原的方法，如用乙二醇或是硼氫

超薄碳包覆無定形/晶體異質(zhì)相NiFe合金納米材料及其制備方法和應(yīng)用 479     

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一種超薄碳包覆無定形/晶體異質(zhì)相nife合金納米材料及其制備方法和應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明屬于納米材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種超薄碳包覆無定形/晶體異質(zhì)相nife合金納米材料及其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù).析氧反應(yīng)(oer)在各種可再生能源技術(shù)中起著至關(guān)重要的作用，例如電化學(xué)水分解、可充電金屬?空氣電池以及co還原為化學(xué)品或燃料。然而，oer是一個(gè)復(fù)雜的四電子耦合反應(yīng)，導(dǎo)致緩慢的動(dòng)力學(xué)，限制了其整體能源效率。因此，高性能oer電催化劑的設(shè)計(jì)至關(guān)重要。目前，ruo/iro等貴金屬材料被認(rèn)為是最有

高耐蝕高強(qiáng)韌FeCrNi系多主元合金及其制備方法與流程 1067     

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本發(fā)明屬于合金材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高耐蝕高強(qiáng)韌fecrni系多主元合金及其制備方法。背景技術(shù)高強(qiáng)韌、高耐腐蝕性能及良好加工性能材料是工程結(jié)構(gòu)材料的主要發(fā)展方向，在航空航天、海洋、汽車和石油等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。目前常見的有鈦合金、奧氏體不銹鋼等。鈦合金具有高強(qiáng)韌、耐腐蝕性能好、密度低等特點(diǎn)，目前在航空航天、海洋等高端領(lǐng)域應(yīng)用較多，然而因其活性高，熔煉、塑性加工等都非常困難，導(dǎo)致其價(jià)格昂貴，限制了大規(guī)模應(yīng)用。奧氏體不銹鋼(如304、316鋼等)具有良好的耐腐蝕性能、優(yōu)異的加工性能及相對較低

礦熱電爐、電解短流程聯(lián)合冶煉精錫方法與流程 380     

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本發(fā)明屬于錫冶煉技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種礦熱電爐、電解短流程冶煉精錫方法。背景技術(shù)目前錫行業(yè)大多采用的煉錫方法為錫精礦經(jīng)電爐熔爐得到的粗錫進(jìn)入電解得到焊錫，焊錫再經(jīng)過鉛錫分離得到精錫，由于鉛錫分離過程包括結(jié)晶分離和真空分離等，工藝過于復(fù)雜，投入成本較高，工人勞動(dòng)強(qiáng)度較大，因此，開發(fā)一種礦熱電爐、電解短流程聯(lián)合冶煉精錫方法是非常有必要的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明在于提供一種礦熱電爐、電解短流程聯(lián)合冶煉精錫方法。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種礦熱電爐、電解短流程聯(lián)合冶煉精錫方法，包括配料、熔煉、制作陽極板、制作

高效太陽能電池用大產(chǎn)能爐管式ICP-CVD裝置的制作方法 830     

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一種高效太陽能電池用大產(chǎn)能爐管式icp-cvd裝置技術(shù)領(lǐng)域.本發(fā)明涉及太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備，尤其涉及一種高效太陽能電池用大產(chǎn)能爐管式icp-cvd裝置。背景技術(shù).目前高效太陽能電池主要膜系材料為單質(zhì)硅，晶體結(jié)構(gòu)為非晶或微晶狀態(tài)。而且希望的是更多的微晶狀態(tài)的單質(zhì)硅材料。目前主要的生長方式是采用平行平板式pecvd設(shè)備(ccp-cvd)，在一定真空度和溫度下，使用硅烷氣體分解得到，此方式由于產(chǎn)生的等離子體密度低，生成的單質(zhì)硅薄膜主要是非晶狀態(tài)且氫含量偏高。較好的方法是采用高密度等離子體放電技術(shù)比如

高純無氧銅生產(chǎn)工藝的制作方法 771     

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.本發(fā)明涉及高純無氧銅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種高純無氧銅生產(chǎn)工藝。背景技術(shù).銅及其合金在熔煉過程中，銅液具有吸氣性，這是銅及其合金熔煉的主要特性之一，也是生產(chǎn)高純無氧銅的技術(shù)難點(diǎn)；同時(shí)銅液中氧和氫的關(guān)系為：當(dāng)銅液中氧含量增加時(shí)，氫的含量減少；反之，當(dāng)銅液中氫含量增加時(shí)，氧含量將減少；因此當(dāng)高純無氧銅在還原精煉時(shí)，隨著銅液中氧的含量降低到一定極限時(shí)，銅液再次從熔煉氣氛中吸收氫氣，造成氫的含量會(huì)急劇增加，因此如何保證高純無氧銅中同時(shí)具有極低的氫含量，則是高純無氧銅生產(chǎn)的技術(shù)難點(diǎn)。.現(xiàn)有高純無

長壽命銅錳合金靶材的加工方法與流程 424     

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本發(fā)明屬于靶材制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種長壽命銅錳合金靶材的加工方法。背景技術(shù)濺射靶材是半導(dǎo)體集成電路制備過程中重要的原材料之一，靶材的材質(zhì)主要包括Al、Cu、Ti、WTi、NiV、NiPt等，主要用于集成電路中接觸、通孔、互連線、阻擋層、封裝等物理氣相沉積薄膜的制備。濺射過程中，用加速的離子轟擊靶材表面，使表面的原子沉積在基底表面。為了降低集成電路制造成本，最簡單有效的方法是提高靶材壽命，常規(guī)提高靶材壽命的方法為增加濺射區(qū)域厚度。專利CN204097558U、CN201793723U、CN20

鋁熱法熔融還原含鋅物料的工藝及裝置的制作方法 1169     

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.本發(fā)明屬于冶金固危廢處置技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種鋁熱法熔融還原含鋅物料的工藝及裝置。背景技術(shù).煉鋼過程或鉛、鋅冶煉過程通常會(huì)產(chǎn)生含多種金屬的高溫蒸氣，經(jīng)常規(guī)冷卻除塵后會(huì)生成含pb、zn、cd等重金屬粉塵或污泥，依據(jù)發(fā)改委年月公布的《國家危險(xiǎn)廢物名錄》(年版)中，該類粉塵已正式被劃分為hw危險(xiǎn)廢棄物。同時(shí)，在鋁電解、鋁加工及再生鋁生產(chǎn)加工過程中，會(huì)產(chǎn)生諸多含鋁副產(chǎn)品，且隨著國內(nèi)金屬鋁及鋁合金生產(chǎn)規(guī)模不斷擴(kuò)大，工業(yè)鋁灰(含一次鋁灰和二次鋁灰)、電解浮渣、鍍鋅渣的產(chǎn)生量也成比例增

可量產(chǎn)化的電解鉻片脫氣工藝的制作方法 915     

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本發(fā)明屬于有色金屬高溫冶煉領(lǐng)域，特別涉及一種可以量產(chǎn)化的電解鉻片脫氣的生產(chǎn)工藝。解決了國內(nèi)沒有量產(chǎn)化高純鉻片的問題。背景技術(shù)高純金屬鉻是指主成分鉻大于99.95％，雜質(zhì)含量低，特別是氧、碳、氮、硫含量低的鉻。其中，氧小于0.04％，碳小于0.025％，氮小于0.003％，S小于0.002％。高純金屬鉻主要用作超級(jí)合金添加劑-生產(chǎn)飛機(jī)渦輪機(jī)的葉片，電氣的觸頭、半導(dǎo)體、芯片濺射靶材等領(lǐng)域。其中高端半導(dǎo)體、芯片、精密電子產(chǎn)品、汽車活塞環(huán)以及光學(xué)材料鍍膜的鉻靶，是由高純脫氣鉻片/粒破碎后，熱等靜壓成型。

納米晶合金帶材及其制備方法與流程 847     

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本發(fā)明涉及軟磁材料領(lǐng)域，尤其涉及一種鐵基的納米晶合金帶材，主要包括其成分設(shè)計(jì)、制備方法、帶材質(zhì)量評價(jià)等。背景技術(shù)非晶軟磁合金具有優(yōu)良的軟磁性能，廣泛應(yīng)用于電力電子、電子信息等領(lǐng)域。隨著信息處理和電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，各種電器設(shè)備趨向高頻化、小型化、節(jié)能化。目前使用較多的軟磁合金主要有硅鋼、鐵基非晶合金、鐵基納米晶合金、鐵氧體等。相對于硅鋼而言，鐵基非晶及納米晶合金具有較低的損耗，但其bs(飽和磁感應(yīng)強(qiáng)度)較低，不利于設(shè)備的小型化及輕量化，所以高bs的軟磁合金具有很好的應(yīng)用前景。根據(jù)文獻(xiàn)報(bào)道對于

二硫化鉬/石墨烯復(fù)合異質(zhì)結(jié)及其制備方法與流程 561     

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.本發(fā)明屬于碳基材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種二硫化鉬/石墨烯復(fù)合異質(zhì)結(jié)及其制備方法。背景技術(shù).二次電子發(fā)射也稱為電子倍增效應(yīng)，二次電子的發(fā)射過程主要包括三部分：①初始電子進(jìn)入材料內(nèi)部并激發(fā)內(nèi)二次電子，②被激發(fā)的內(nèi)二次電子向表面運(yùn)動(dòng)，③運(yùn)動(dòng)到表面的內(nèi)二次電子克服表面勢壘并出射成為真二次電子。.近年來，雖然我國在通信、航天領(lǐng)域和衛(wèi)星大功率部件的設(shè)計(jì)方面取得明顯地進(jìn)步，但是電子倍增效應(yīng)仍然是制約微波部件功率容量提升的一項(xiàng)瓶頸，也是影響高功率微波部件穩(wěn)定性的重要原因。微放電效應(yīng)的發(fā)生會(huì)容易造成嚴(yán)重后