一種砷化鎵太陽電池的制備方法,工藝步驟為(1)對(duì)外延片預(yù)烘后進(jìn)行涂膠,然后進(jìn)行腐蝕、去膠(2)圖形光刻(3)蒸鍍電池上電極和下電極(4)蒸鍍電池下電極(5)對(duì)電池進(jìn)行熱處理(6)產(chǎn)品標(biāo)記(7)腐蝕CAP層(8)蒸鍍減反射膜。本發(fā)明具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:本發(fā)明實(shí)施例中電池邊緣有源區(qū)的截面均通過腐蝕得到,可以有效解決電池邊緣由于劃片的機(jī)械缺陷造成的邊緣漏電問題,同時(shí)能夠解決邊緣非直線型砷化鎵太陽電池的制備問題。
本發(fā)明涉及一種適用于HEV汽車的低內(nèi)阻高功率放電鎳氫電池。它包括電池蓋、電池殼體和由正極片、隔膜、負(fù)極片卷繞為一體的電池極組,還包括連接環(huán)、上焊片、固定環(huán)和下焊片,其中上焊片的下端面與正極片的上端焊接;下焊片的上端面與負(fù)極片的下端焊接;下焊片的下端面與電池殼體的內(nèi)底部焊接;固定環(huán)套在由正極片、隔膜、負(fù)極片卷繞為一體的電池極組上端;連接環(huán)的下端面與上焊片的上端面焊接;電池蓋嵌裝在連接環(huán)中,且與連接環(huán)的上端面封接。本發(fā)明的有益效果是:經(jīng)測試,比功率>1100W/KG、內(nèi)阻<1.5MΩ,能夠連續(xù)三次持續(xù)放電30秒,溫度小于50℃,電池?cái)R置一個(gè)月后,荷電保持能力達(dá)70%以上。以上性能指標(biāo)完全超過國內(nèi)外車用動(dòng)力電池的測試標(biāo)準(zhǔn),因此,具有廣闊的市場前景。
本發(fā)明公開一種可視化氣?液直接接觸式冷凝器,包括有中間為圓筒形通道的有機(jī)玻璃材料的殼體,所述有機(jī)玻璃殼體的上下兩端分別與兩個(gè)不銹鋼殼體用法蘭以及螺栓連接,兩個(gè)法蘭之間加有密封墊;所述的圓形通道內(nèi)裝有增加氣液接觸面積的填料裝置;液體進(jìn)口和進(jìn)氣管分別位于一個(gè)不銹鋼殼體的側(cè)壁,冷凝液出口位于另一個(gè)不銹鋼殼體的側(cè)壁;所述進(jìn)氣管末端裝有氣體分布器。本發(fā)明提高了冷凝器的換熱效率,流體進(jìn)出口設(shè)置在承壓能力更高的不銹鋼殼體上,避免了在有機(jī)玻璃上開孔導(dǎo)致裝置承壓能力不夠的問題,還能有效地減少蒸汽凝結(jié)時(shí)產(chǎn)生的振動(dòng)與噪音。
本發(fā)明碳納米管增強(qiáng)介孔羥基磷灰石復(fù)合材料的制備方法,涉及用于假體材料的復(fù)合材料,是一種通過原位合成法制備碳納米管-羥基磷灰石復(fù)合粉末基礎(chǔ)上,利用均勻沉淀法與水凝膠法相結(jié)合的工藝在碳納米管表面原位包覆介孔結(jié)構(gòu)的羥基磷灰石層,進(jìn)而制備碳納米管增強(qiáng)介孔羥基磷灰石復(fù)合材料的制備方法,克服了現(xiàn)有技術(shù)中制得的碳納米管增強(qiáng)羥基磷灰石復(fù)合材料生物活性低、生物相容性差、綜合力學(xué)性能不佳的缺陷。
本發(fā)明一種低壓電器用銅基電觸頭材料及其制備方法,涉及銅作為基底材料的觸點(diǎn),該材料是由以下質(zhì)量百分比的成分組成:Ce?0.05~0.5%,TiO2摻雜SnO2納米顆粒0.1~1.0%,其余為Cu;其中以TiO2摻雜SnO2納米顆粒為主增強(qiáng)相,同時(shí)添加稀土元素Ce以提高力學(xué)、抗氧化及電接觸性能,采用無水乙醇防護(hù)下的濕磨混粉和粉末冶金工藝制備,克服了用現(xiàn)有技術(shù)所制得的Cu基復(fù)合材料作為觸頭材料使用時(shí)電導(dǎo)率低、接觸電阻高、抗氧化及抗電弧燒損能差,以及其中增強(qiáng)相的彌散分布程度不夠的缺點(diǎn)。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件玻璃鈍化層所用漿料,按重量計(jì),包括以下組分:丁基卡必醇:30?35%;乙基纖維素:1.2?4%;潤滑劑:0.05?0.5%;觸變劑:0.6?1.4%;玻璃粉:60?65%;所述玻璃粉為SiO2顆粒,其大小為2?30μm。還包括其制備方法,該漿料是通過將乙基纖維素和潤滑劑溶于含有丁基卡必醇的醇液中加熱混合攪拌,然后依次加入觸變劑和玻璃粉,經(jīng)恒溫?cái)嚢杌旌虾笾瞥?。本發(fā)明利用該漿料印刷的玻璃鈍化保護(hù)層具有良好的完整性、厚度均勻性,同時(shí)亦可保證電極面上的電壓合格。
本發(fā)明提供了一種耐蝕性燒結(jié)釹鐵硼永磁體的制造方法,所述制造方法包括利用真空感應(yīng)速凝鑄片爐將釹鐵硼永磁體制備成速凝薄片,將速凝薄片進(jìn)行氫爆破碎并進(jìn)行脫氫處理方法再經(jīng)過在氣流磨中利用高速惰性氣體氣流將氫爆破碎后的粉體破碎,制成平均粒度為1-5μm的微粉,將微粉取向壓型后經(jīng)過燒結(jié)得到高性能釹鐵硼永磁材料,然后將將產(chǎn)品進(jìn)行加工,制造成需求的小規(guī)格磁體。最后對(duì)永磁體進(jìn)行封孔處理,得到一種耐蝕性的釹鐵硼永磁材料。本發(fā)明的制造方法可以有效的提高釹鐵硼永磁體的耐蝕性能,可以提高釹鐵硼永磁體的使用壽命。
一種硅化物合金-碳化鈦金屬陶瓷是以一種新型硅化物合金為燒結(jié)相與碳化鈦復(fù)合制成金屬陶瓷;材料成分:以質(zhì)量的百分?jǐn)?shù)計(jì):硅化物合金粉:20-70%,碳化鈦粉:30-80%。其中硅化物合金的化學(xué)成分質(zhì)量百分?jǐn)?shù)范圍為:Ni:10-80%,Fe:10-70%,Si:2-40%,Cr:3-40%,C:0-3%,Al:0.05-10%,Re稀土元素:0-10%。;硅化物預(yù)合金粉不易氧化,便于生產(chǎn)管理。這種硅化物合金-碳化鈦金屬陶瓷的性能比現(xiàn)有的碳化鈦金屬陶瓷有更高的耐高溫氧化抗熔鹽熱腐蝕性能??梢詽M足現(xiàn)代科技與工業(yè)對(duì)同時(shí)具有高硬度高耐磨性又耐高溫氧化抗熔鹽熱腐蝕材料的需求。
本發(fā)明公開了一種氧化鋁基復(fù)合材料的制備方法,屬于氧化鋁基復(fù)合材料的制備技術(shù)。該方法過程包括:首先將氫氧化鈉或氨水滴加到混有六水硝酸鎳和鋁粉的溶液中反應(yīng)生成Ni(OH)2/Al/Al(OH)3,再將所制得的三元膠體于脫水煅燒得到NiO/Al/Al2O3;然后利用氫氣將所得NiO/Al/Al2O3還原為Ni/Al/Al2O3,停止通入氫氣,通入甲烷與氮?dú)饣旌蠚庠谝欢囟认麓呋磻?yīng)數(shù)小時(shí),從而得到碳納米管含量可控的碳納米管/Ni/Al/Al2O3復(fù)合粉末;最后分別采用粉末冶金與熱擠壓兩種方法制備碳納米管/Ni/Al/Al2O3復(fù)合材料。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于,所得復(fù)合粉末能很好地控制鎳、鋁與氧化鋁的比例,并能很好地解決鋁及碳納米管在復(fù)合材料中的分散問題,并且碳納米管與基體結(jié)合強(qiáng)度高,形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),因此復(fù)合材料的綜合性能得到大幅度的提高。
一種溶解乙炔氣瓶的減壓器,其結(jié)構(gòu)特征是在減壓器的空心螺桿內(nèi)裝有墊圈、彈簧、滑閥、密封墊圈、閥痤、過濾器、過濾器盒、調(diào)節(jié)螺釘及緊固螺釘。通過彈簧及滑閥的移動(dòng)作用,可以保證使用后的乙炔氣瓶留有合理的剩余壓力,因此減少了充灌前的處理工作,并降低了乙炔氣的生產(chǎn)成本,本減壓器主要用在溶解乙炔氣瓶上。
本發(fā)明涉一種釹鐵硼重稀土滲透方法及其裝置,包括主體、中頻電源、冷卻液循環(huán)裝置、補(bǔ)氣裝置與抽真空裝置,主體為密閉結(jié)構(gòu),中頻電源固定在主體外部,中頻電源通過電源線分別連接有左銅極板和右銅極板,基板安裝在主體內(nèi)部,基板接地,冷卻液循環(huán)裝置、補(bǔ)氣裝置和抽真空裝置均固定在主體外部,并通過各自的管路與主體連接,左靶材固定在左銅極板上,右靶材固定在右銅極板上。本發(fā)明采用中頻孿生靶濺射技術(shù),沉積速率非常快,是直流單靶的數(shù)倍;膜內(nèi)缺陷低,本發(fā)明裝置采用滾筒式結(jié)構(gòu),可以讓工件表面沉積的鍍膜更均勻,多靶頭以及可旋轉(zhuǎn)靶頭的設(shè)計(jì),不但可以充分利用裝置內(nèi)部空間,還可實(shí)現(xiàn)靶源的快速切換,減少靶材的更換頻率,提高生產(chǎn)效率。
本發(fā)明涉及一種原位制備具有泥/磚疊層結(jié)構(gòu)的石墨烯納米片/銅/鋁復(fù)合材料的方法,包括:球磨法制備銅/鋁復(fù)合基體粉末;銅/鋁復(fù)合基體粉末包裹固體碳源:將制得的銅/鋁復(fù)合基體粉末與無水葡萄糖溶解于乙醇水溶液中,水浴加熱攪拌蒸干后,真空加熱干燥,獲得包裹葡萄糖的銅/鋁復(fù)合粉末;進(jìn)行煅燒還原處理,制備石墨烯納米片/銅/鋁復(fù)合粉末;制備石墨烯納米片/銅/鋁復(fù)合材料塊體。采用該方法制備的石墨烯納米片/銅/鋁復(fù)合材料,其工藝路線和拉伸性能均優(yōu)于傳統(tǒng)方法。實(shí)現(xiàn)了通過對(duì)鋁基復(fù)合材料組織結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),協(xié)同提升強(qiáng)韌性的目的,在結(jié)構(gòu)材料實(shí)際應(yīng)用方面展現(xiàn)出較好的前景。
本發(fā)明涉及一種微型超薄氮化鋁陶瓷電路板及制備方法,本發(fā)明選用高強(qiáng)度高散熱的氮化鋁陶瓷為基板,改進(jìn)現(xiàn)有的加工和燒結(jié)工藝,采用先進(jìn)氮化鋁陶瓷表面金屬化工藝,生產(chǎn)厚度為0.1~0.25mm、長為1.0~10mm、寬為1.0~10mm的超薄、微型和高導(dǎo)熱電路板。
本發(fā)明提供一種與鍺結(jié)合的空間用砷化鎵太陽電池電極制備方法,包括腐蝕以鍺為襯底的外延片,用真空法在外延片的非有源表面制備金接觸層和銀層,用電鍍法在銀層上制備銀加厚層,最后進(jìn)行將制備好銀加厚層的外延片進(jìn)行熱處理,得到與鍺結(jié)合的空間用砷化鎵太陽電池電極。本發(fā)明的有益效果是:該電極能夠采用真空法(真空蒸鍍法或磁控濺射法等)和非真空法(電鍍法等液相生長薄膜的方法)相結(jié)合進(jìn)行制備,能提高材料利用率、降低生產(chǎn)成本、在不采購大型設(shè)備的前提下提高產(chǎn)能;能夠?qū)崿F(xiàn)電極和襯底材料間形成歐姆接觸,并且接觸面間牢固度滿足空間使用要求;產(chǎn)品可靠性高。
本發(fā)明一種Ti-Nb-O高阻尼鈦合金及其粉末冶金制備方法,其中元素按照原子百分比為Nb?25%、O?1.5%、其余為Ti,該合金為亞穩(wěn)β型高阻尼鈦合金,采用粉末冶金的方法制備,采用球磨、冷壓、燒結(jié)方法,通過調(diào)整粉末冶金工藝獲得阻尼性能和力學(xué)性能優(yōu)良的高阻尼鈦合金。本發(fā)明高阻尼鈦合金可以在200-350℃的溫度范圍內(nèi)使用,具有阻尼值高和力學(xué)性能良好等優(yōu)點(diǎn),可以作為制備高阻尼材料的方法加以開發(fā)利用。
本發(fā)明涉及一種在銅粉表面原位催化固體碳源制備石墨烯/銅復(fù)合材料的方法。將鋼球:銅粉:聚甲基丙烯酸甲酯以按質(zhì)量比150:10:(0.1~0.3)中加入球磨罐中,抽真空后充滿氬氣作為保護(hù)性氣氛;經(jīng)過球磨,制得分散均勻的銅—聚甲基丙烯酸甲酯粉末;然后在管式爐中進(jìn)行還原處理,聚甲基丙烯酸甲酯被催化成石墨烯,得到石墨烯原位生長的石墨烯/銅復(fù)合粉末;然后制備石墨烯銅基復(fù)合材料塊體。采用該方法制備的石墨烯增強(qiáng)銅基復(fù)合材料,其拉伸性能優(yōu)于傳統(tǒng)外加法添加還原氧化石墨烯或者石墨烯片的方法。實(shí)現(xiàn)了對(duì)銅基體材料的強(qiáng)化,對(duì)于高強(qiáng)銅材在電子器件上的應(yīng)用有著較好的前景。
本發(fā)明公開了一種高性能釹鐵硼稀土永磁合金及其制備方法,一種高性能釹鐵硼稀土永磁合金包括8?25%的Tb?Dy?Fe合金、15?30%的Nd、4?15%的Pr、0.5?3%的Dy、0.8?5%的B、0.5?8%的R、0.6?3.8%的TmGn,其余為Fe,所述R選自Co、Cu、Ni、Al中一種或一種以上元素的合金,所述TmGn選自La2O3、Al2O3、BN、Tb2O3中的一種或一種以上組合。本發(fā)明所述的一種高性能釹鐵硼稀土永磁合金及其制備方法以鋱鏑鐵合金替代鏑鐵合金+金屬鋱作為原料,在釹鐵硼燒結(jié)后進(jìn)行兩次回火處理,不僅在制備高性能釹鐵硼磁體的同時(shí),減少貴重的中重稀土的使用量,降低了生產(chǎn)成本,而且提高了矯頑力,并且矯頑力隨著溫度變化幅度小。
本發(fā)明公開了提供一種氮化鋁陶瓷制冷片及其加工方法,第一,對(duì)氮化鋁陶瓷基片按照不同的形狀和要求進(jìn)行激光預(yù)切割獲得標(biāo)準(zhǔn)基片;第二,對(duì)標(biāo)注基片進(jìn)行含銀合金涂層處理過程;對(duì)基片進(jìn)行清洗干燥并通過具有200~350目不銹鋼絲網(wǎng)的專用絲印機(jī)印制銀合金;將含有銀合金涂層基片放在室溫中進(jìn)行5~30min流平;將含有銀合金涂層基片放在110~150度溫度環(huán)境中進(jìn)行10~25min烘干;將含有銀合金涂層基片進(jìn)行排膠處理;采用隧道爐對(duì)排膠后基片進(jìn)行燒結(jié)處理后再清洗干燥等步驟;該發(fā)明利用氮化鋁材料良好的特性制備成制冷片可以對(duì)大規(guī)模集成電路進(jìn)行快速散熱,延長集成電路使用壽命。
本發(fā)明TiNiCu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料的制備方法,涉及阻尼材料的制造,通過制備多孔TiNiCu形狀記憶合金并在其孔洞中填充金屬M(fèi)g制得TiNiCu形狀記憶合金基阻尼復(fù)合材料即Mg/TiNiCu,克服了現(xiàn)有的多孔TiNiCu形狀記憶合金制備方法中孔隙率和孔徑及孔型均難以控制、現(xiàn)有的將Mg引入多孔合金中的技術(shù)不可用于Mg對(duì)多孔TiNiCu合金的填充、以及合金產(chǎn)品的阻尼性能及其他力學(xué)性能尚需提高的缺陷。
本發(fā)明公開一種復(fù)合式微波燒結(jié)爐,主要用于大尺寸納米陶瓷材料的燒結(jié)。由電加熱控制系統(tǒng)、微波控制系統(tǒng)和長方體形加熱爐體三部分構(gòu)成,電加熱控制系統(tǒng)控制爐體的電加熱程序,微波控制系統(tǒng)控制爐體的微波加熱程序,兩套控制系統(tǒng)可以對(duì)爐體進(jìn)行單獨(dú)的電加熱或者微波加熱,也可同時(shí)進(jìn)行復(fù)合燒結(jié),爐體可在常壓下燒結(jié),也可在真空環(huán)境下燒結(jié),從而達(dá)到不同的燒結(jié)效果。
本發(fā)明Sm(Co,Cu,F(xiàn)e,Zr)z型合金薄帶磁體的制備方法,涉及含稀土金屬和磁性過渡 金屬的硬磁材料的磁體,步驟是:把化學(xué)組成式表示為Sm(CoxCuyFeuZrv)z的熔體,通過 熔體快淬爐或真空熔煉快淬連續(xù)爐在以5~40m/s的圓周速度旋轉(zhuǎn)的冷卻鉬輥輪或銅輥 輪上進(jìn)行熔體快淬,由此制得Sm(Co,Cu,F(xiàn)e,Zr)z型熔體薄帶,將該熔體薄帶破碎成粉末, 然后在大于1T的磁場中壓制成塊體,再在冷等靜壓機(jī)中致密化,最后進(jìn)行熱處理,本 發(fā)明方法提供了三種熱處理工藝,由此得到具有不同特性的實(shí)用的塊狀的 Sm(Co,Cu,F(xiàn)e,Zr)z型合金薄帶磁體。
本申請(qǐng)?zhí)峁┯幸环N高強(qiáng)度鎂鋁尖晶石透明陶瓷制備方法,素坯經(jīng)低溫處理、真空無壓燒結(jié)和高溫快速熱等靜壓燒結(jié)后,制備出具有在百微米大晶粒間分布微米級(jí)小晶粒的雙峰結(jié)構(gòu)鎂鋁尖晶石透明陶瓷,經(jīng)拋光后在可見光波段最高透過率>83%,平均抗彎強(qiáng)度>270MPa,平均硬度>13.8GPa,具有透過率高、致密程度高、光學(xué)均勻性高、抗彎強(qiáng)度高的特點(diǎn)。本申請(qǐng)制備的鎂鋁尖晶石透明陶瓷產(chǎn)品不添加燒結(jié)助劑無第二相生成,在保持較高透過率的條件下,強(qiáng)度明顯提高,而且制備周期短,適于大口徑復(fù)雜形狀的鎂鋁尖晶石透明陶瓷產(chǎn)品的批量化生產(chǎn)。
本發(fā)明公開了一種在模具鋼表面制備三元硼化物金屬陶瓷涂層及其工藝,針對(duì)熱作模具鋼在工作過程中的失效形式,采用等離子噴涂工藝。該等離子噴涂工藝采用等離子噴涂設(shè)備和同步自動(dòng)送粉裝置,由直流電驅(qū)動(dòng)的等離子電弧作為熱源,將配制的粉末材料加熱到熔融或半熔融狀態(tài),并以高速噴向經(jīng)過預(yù)處理的工件表面,等離子電弧移開后,在模具鋼表面形成附著牢固的涂層,經(jīng)過后期熱處理,使得涂層具有更好的耐磨性、抗熱疲勞性能,最終使工件使用壽命提高1倍或數(shù)倍以上。
本發(fā)明公開了一種高溫鎳基自潤滑材料及其制備方法,高溫鎳基自潤滑材料由高溫固體潤滑劑氟化鈣、銅、鎳三種粉料組成,其重量比含量是:氟化鈣為5%~15%、銅為40%~60%、鎳為25%~55%。上述三種粉料按比例混合后、經(jīng)制粒、壓制、燒結(jié)和表面處理等工序制成。本發(fā)明的鎳基高溫自潤滑材料具備機(jī)械強(qiáng)度高、摩擦系數(shù)低、耐磨性好、組織均勻、性能穩(wěn)定、重現(xiàn)性好、易機(jī)械加工、成品率高、耐腐蝕性好和可焊性好等優(yōu)點(diǎn)。適用于航空、航天、機(jī)械、電子、汽車、核工業(yè)等眾多領(lǐng)域的高溫、高真空、強(qiáng)輻射和強(qiáng)腐蝕等苛刻條件。
本發(fā)明提供了一種集約型燒結(jié)釹鐵硼永磁體的制造方法,所述制造方法包括利用真空感應(yīng)速凝鑄片爐將釹鐵硼永磁體制備成速凝薄片,將速凝薄片進(jìn)行氫爆破碎并進(jìn)行脫氫處理方法再經(jīng)過在氣流磨中利用高速惰性氣體氣流將氫爆破碎后的粉體破碎,制成平均粒度為1-5μm的微粉,將微粉取向壓型后經(jīng)過燒結(jié)得到高性能釹鐵硼永磁材料。然后通過兩次磁控濺射的方法,可以有效的提高釹鐵硼永磁體的磁性能和耐蝕性能,可以提高釹鐵硼永磁體的使用壽命。
本發(fā)明涉及永磁材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高性能燒結(jié)Re?Fe?B系的制備方法,本發(fā)明采取分段磁場取向自動(dòng)壓制的方式,可明顯提高取向度,從而提高Br,不需要等靜壓,易于控制氧含量,不會(huì)使金屬模具明顯發(fā)熱,可實(shí)現(xiàn)連續(xù)批量生產(chǎn),而且由于高Br的磁體Hcj低,采取擴(kuò)散工藝可明顯提高Hcj,同時(shí)Br基本不降低,本發(fā)明的制備方法中在制粉后到裝爐燒結(jié)前全程零氧控制,可以有效避免毛坯局部或邊角氧化。
本發(fā)明涉及永磁材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高性能低B高Ga燒結(jié)Re?Fe?B的制備方法,通過本發(fā)明所提供的制備方法,制粉后到裝爐燒結(jié)前全程零氧控制,可以避免毛坯局部或邊角氧化,而且由于高Br的磁體Hcj低,本發(fā)明采取擴(kuò)散工藝可明顯提高Hcj,同時(shí)Br基本不降,本發(fā)明采取分段磁場取向自動(dòng)壓制的方式,可明顯提高取向度,從而提高Br,不需要等靜壓,易于控制氧含量,不會(huì)使金屬模具明顯發(fā)熱,可實(shí)現(xiàn)連續(xù)批量生產(chǎn)。
本申請(qǐng)屬于膜分離技術(shù)領(lǐng)域,公開一種具有高耐酸性能的甲烷/氮?dú)夥蛛x的混合基質(zhì)膜及制備方法和應(yīng)用。所述具有高耐酸性能的甲烷/氮?dú)夥蛛x的混合基質(zhì)膜為層狀結(jié)構(gòu),自下而上依次由PSf膜層、親水層和PAA?ZIF?8@VR層組成,所述親水層為聚二甲基硅氧烷和聚乙烯醇涂覆在PSf膜層的表面干燥得到,所述PAA?ZIF?8@VR層是將聚丙烯酸水溶液與表面具有碳化層的ZIF?8@VR納米顆?;旌虾笸扛苍谟H水層的表面進(jìn)行界面自組裝后干燥而得。該混合基質(zhì)膜,其耐酸性能為pH2?5,在pH3、25℃和1bar條件下測試,其對(duì)CH4滲透速率為1179?2900GPU,CH4/N2選擇性為2.20?3.12。
本實(shí)用新型屬于油氣井井下作業(yè)技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種多級(jí)循環(huán)脫氣裝置,其包括緩沖罐,緩沖罐一端設(shè)有進(jìn)液管、另一端上部設(shè)有主氣管,還包括攪拌罐,攪拌罐和緩沖罐之間通過循環(huán)入口管和循環(huán)出口管連通設(shè)置以實(shí)現(xiàn)流體經(jīng)循環(huán)入口管、循環(huán)出口管在攪拌罐和緩沖罐之間的循環(huán),攪拌罐的上部還通過管線與主氣管連通設(shè)置,在循環(huán)出口管上外接有一排液管,在排液管上還設(shè)有一排液泵。本實(shí)用新型包括兩個(gè)氣液分離過程,一個(gè)是緩沖罐內(nèi)自由氣體的分離過程,一個(gè)是攪拌罐內(nèi)液體中氣泡的攪拌分離和真空分離過程,且攪拌分離后的流體可回流至緩沖罐內(nèi)并再次被吸入攪拌罐內(nèi),進(jìn)行多級(jí)的循環(huán)排氣的過程,提高了返排液中氣體的分離效率。
本實(shí)用新型公開了一種真空泄露檢測裝置,包括主管、止回閥、減壓閥和氣源,所述的主管一端可與真空分離提取裝置的接口密封連接,另一端經(jīng)止回閥和減壓閥后連通至氣源,在所述的主管上設(shè)置有氣壓計(jì)。本實(shí)用新型的真空泄露檢測裝置結(jié)構(gòu)簡單,成本低,使用便利,外在配套設(shè)備少,檢測成本低。而本實(shí)用新型的檢測方法采用向真空分離提取裝置內(nèi)充入一定壓強(qiáng)氣體,可使得密封性檢測變得簡單明了,提高了檢測效率,同時(shí)為企業(yè)節(jié)省了生產(chǎn)成本。
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