超大功率白光LED光源模組及封裝方法 1143     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種超大功率白光LED光源模組及封裝方法，屬于LED光源模組及封裝技術(shù)領(lǐng)域，包括基板、藍(lán)光LED芯片組、獨(dú)立散熱支架、固態(tài)熒光片和絕緣導(dǎo)熱透明墊塊，所述藍(lán)光LED芯片組固定在基板上并實(shí)現(xiàn)電氣連接；所述獨(dú)立散熱支架固定在基板上并對(duì)藍(lán)光LED芯片組形成圍壩，所述圍壩內(nèi)沿設(shè)有臺(tái)階；所述固態(tài)熒光片固定在所述臺(tái)階上，并位于藍(lán)光LED芯片組正上方；所述絕緣導(dǎo)熱透明墊塊安裝在固態(tài)熒光片與藍(lán)光LED芯片組之間；所述絕緣導(dǎo)熱透明墊塊通過(guò)共晶焊固定設(shè)于藍(lán)光LED芯片組的間隙之間；絕緣導(dǎo)熱透明墊塊高度高于藍(lán)光LED芯片組高度,其頂部與固態(tài)熒光片底部實(shí)現(xiàn)有效接觸；本發(fā)明有效解決了現(xiàn)有熒光陶瓷片粘接封裝存在熱阻大，影響LED光源封裝可靠性的問(wèn)題。

高可靠抗輻照玻璃鈍化電壓調(diào)整二極管制造方法 925     

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本發(fā)明提供的一種高可靠抗輻照玻璃鈍化電壓調(diào)整二極管制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結(jié)擴(kuò)散工藝，臺(tái)面造型為正斜角造型，該芯片結(jié)構(gòu)降低表面電場(chǎng)，同時(shí)在進(jìn)行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行保護(hù)，然后采用特殊玻璃粉進(jìn)行高溫鈍化封裝成型；本發(fā)明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過(guò)程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產(chǎn)品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時(shí)具有一定的含鉛量使產(chǎn)品能在輻照條件下穩(wěn)定工作。

降低鈮電容器高溫電容量變化率的工藝方法 856     

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本發(fā)明一種降低鈮電容器高溫電容量變化率的工藝方法，涉及電解電容器輔助陰極層制備技術(shù)，是將氧化鈮電容器陽(yáng)極芯塊按傳統(tǒng)工藝完成陰極電解質(zhì)二氧化錳層加工后得到的陰極電解質(zhì)的陽(yáng)極塊經(jīng)碳層制備和制備導(dǎo)電引出層后再按現(xiàn)工藝完成電容器的后面工序。由于本發(fā)明碳層的制備采用浸漬兩次石墨水液，并在兩次浸漬之間浸漬一次表面活化劑，完成碳層制備的陰極電解質(zhì)陽(yáng)極塊又經(jīng)導(dǎo)電漿料的處理，使碳層與陰極電解質(zhì)層、導(dǎo)電引出層間的結(jié)合更緊密，有效的抑制了鈮電容器在溫度升高時(shí)的電容量增加。

改善燒結(jié)鉭塊內(nèi)部孔隙度的方法 1070     

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本發(fā)明提供了一種改善燒結(jié)鉭塊內(nèi)部孔隙度的方法，包括以下步驟：稱量鉭粉?混粉?自動(dòng)成型?脫樟?燒結(jié)?測(cè)試孔隙度。本發(fā)明了有益效果在于：通過(guò)對(duì)比不同粘合劑對(duì)燒結(jié)后鉭塊孔隙度的影響，根據(jù)不同粘合劑脫除后留下的孔隙大小、形貌、比例的區(qū)別，選出最合適的粘合劑及最佳添加比例來(lái)改善鉭塊的孔隙度，有助于更為深入的了解陽(yáng)極鉭塊內(nèi)孔隙的基本結(jié)構(gòu)，此外，鉭塊內(nèi)部合適的孔隙度可以提高后續(xù)陰極二氧化錳的被覆率，從而使電容量得到更大程度引出，其操作簡(jiǎn)單，效率高，無(wú)需復(fù)雜設(shè)備，投入成本低，對(duì)完善被膜工藝及容量引出改善效果明顯。

具有高電導(dǎo)率的固體電解質(zhì)電容器的制備方法 1045     

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本發(fā)明公開(kāi)了具有高電導(dǎo)率的固體電解質(zhì)電容器的制備方法，包含燒結(jié)、形成介質(zhì)氧化膜、制作表面為導(dǎo)電高分子π-共軛聚合物層的陽(yáng)極塊、涂敷石墨層和銀漿層、通過(guò)模壓封裝的步驟形成最終產(chǎn)品。本發(fā)明的有益效果是：通過(guò)具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)聚陰離子基團(tuán)的偶聯(lián)劑在乙醇溶液中通過(guò)有機(jī)磺酸的作用，在100～150℃下一方面導(dǎo)電聚合物單體發(fā)生聚合反應(yīng)形成透明及具有很高彈性的聚合物膜層，另一方面聚陰離子基團(tuán)有機(jī)磺酸的作用下形成交聯(lián)的骨架，從而生成具很高柔性的高分子導(dǎo)電復(fù)合物，在很大程度上緩解電解電容器制作過(guò)程中因模壓樹(shù)封時(shí)環(huán)氧樹(shù)脂熱收縮產(chǎn)生的熱應(yīng)力，大大降低了電容器的ESR，提高了電容器性能的穩(wěn)定性。

高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法 1026     

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本發(fā)明提供的一種高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結(jié)擴(kuò)散工藝，臺(tái)面造型為正斜角造型，該芯片結(jié)構(gòu)降低表面電場(chǎng)，同時(shí)在進(jìn)行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對(duì)芯片臺(tái)面進(jìn)行保護(hù)，然后采用特殊玻璃粉進(jìn)行高溫鈍化封裝成型；本發(fā)明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過(guò)程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產(chǎn)品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時(shí)具有一定的含鉛量使產(chǎn)品能在輻照條件下穩(wěn)定工作。

采用鎢電極制造高可靠瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法 1125     

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本發(fā)明提供的一種采用鎢電極制造高可靠瞬態(tài)電壓抑制二極管的制造方法，包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝，采用了鎢電極作為電極引線制造玻璃鈍化瞬態(tài)電壓抑制二極管，大大提升了器件的瞬態(tài)峰值功率，相同封裝外形尺寸可以提升80％以上的瞬態(tài)峰值功率。

鉭電解電容器陽(yáng)極鉭塊燒結(jié)成型方法 962     

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一種鉭電解電容器陽(yáng)極鉭塊燒結(jié)成型方法，涉及電解電容器領(lǐng)域。所述成型方法是將納米級(jí)粒徑的鉭粉置于設(shè)定形狀和大小的容器內(nèi)，采取分段等靜壓成型工藝，按壓力從小到大、再?gòu)拇蟮叫〉捻樞蚍譃槿舾啥危谠O(shè)定的條件下通過(guò)液體對(duì)置于容器內(nèi)的預(yù)成型體施加各向均勻的壓力，進(jìn)行陽(yáng)極鉭塊等靜壓成型，再進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)成型。解決了現(xiàn)有鉭電解電容器陽(yáng)極鉭塊燒結(jié)成型后容易變形、絕緣可靠性差、坯體密度不均勻的問(wèn)題，以獲得具有一定形狀、密度、內(nèi)部均勻的鉭粉成型素坯。燒結(jié)后的壓坯收縮形變量小，尺寸精度和表面光潔度均優(yōu)于傳統(tǒng)液壓機(jī)干壓成型工藝，為后續(xù)的裝配工藝和規(guī)?；可a(chǎn)帶來(lái)便捷，并有利于提升電容器的電參數(shù)、質(zhì)量一致性和可靠性。

高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法 1153     

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本發(fā)明提供的一種高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法，包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝，芯片分離采用正吹砂切割方式形成正斜角，大大降低了器件的表面電場(chǎng)，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過(guò)程中采用酸腐蝕去除芯片臺(tái)面損傷層、腐蝕工藝去除粘附在芯片表面的重金屬離子、熱鈍化方式中和堿金屬離子并在芯片表面生長(zhǎng)一層二氧化硅鈍化保護(hù)層的工藝，最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的反向性能，提升產(chǎn)品的可靠性；采用主要成分為氧化鋅、三氧化二硼、二氧化硅的鈍化玻璃粉經(jīng)過(guò)高溫成型實(shí)現(xiàn)玻璃粉對(duì)芯片臺(tái)面的鈍化兼封裝作用，產(chǎn)品組件中的電極與芯片和玻璃鈍化層的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)，提高了產(chǎn)品的抗溫度沖擊能力；產(chǎn)品采用專用焊料將電極片和軸向產(chǎn)品進(jìn)行燒結(jié)，實(shí)現(xiàn)了表貼封裝結(jié)構(gòu)。

微型玻璃鈍化封裝整流二極管 711     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種微型玻璃鈍化封裝整流二極管，包括管芯、電極、引線和玻璃封裝外殼。所述管芯為單晶硅制成的PN結(jié)，其P面和N面分別依次與電極和引線連接。所述管芯與電極通過(guò)金屬薄膜層熔焊鍵合在一起，所述電極和引線通過(guò)銅焊片熔融焊接在一起。將玻璃鈍化封裝的整流二極管的外部直徑做到1個(gè)毫米以下，實(shí)現(xiàn)了整流二極管的微型化；同時(shí)，玻璃鈍化封裝與塑料封裝相比，二極管的高溫反向漏電流更小、工作溫度范圍更寬、可靠性更高。

超低等效串聯(lián)電阻的固體電解電容器及其制造方法 878     

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本發(fā)明涉及一種以固體導(dǎo)電高分子聚合物為電解質(zhì),以鉭、鈮、鈦、鋁等閥金屬為陽(yáng)極的固體電解電容器及其制備方法,本發(fā)明對(duì)陽(yáng)極設(shè)計(jì)、賦能、化學(xué)氧化原位聚合、浸涂石墨銀漿以及制作底面引出電極等工藝進(jìn)行了充分的闡釋,采用本發(fā)明的技術(shù)方案,能夠使高分子聚合物層、石墨層、銀漿層之間緊密結(jié)合,制造的電解電容器具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和很高的體積效率,其阻抗頻率特性好,ESR值可在10KHZ～1000KHZ范圍內(nèi)保持穩(wěn)定,能夠很好地滿足現(xiàn)代電子設(shè)備頻化的要求。

用于氣凝膠復(fù)合中空玻璃的密封膠及其制備方法 741     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種用于氣凝膠復(fù)合中空玻璃的密封膠及其制備方法，密封膠由下列重量份的原料組成：聚二甲基硅烷18～20份、聚乙烯14～16份、3?羥基丁腈10～13份、聚二甲基硅氧烷9～12份、白炭黑8～10份、聚氨酯6～9份、丙烯酰胺6～9份、二甲基二甲氧基硅烷5～8份、甲基三氯硅烷3～6份、六甲基二硅氧烷2～5份、丙烯酸鈉4～7份、磷酸銨6～9份、乙醇胺5～8份、環(huán)庚三烯酚酮4～6份、聚硫3～5份、重鉻酸鈉2～3份、尿素3～6份、高錳酸鉀2～5份、二氟乙酸乙酯1～3份、五氯苯胺2～4份、引發(fā)劑1～3份、交聯(lián)劑3～5份和增塑劑2～4份。采用本發(fā)明所述方法制備的密封膠，其耐候性能好，還具防火性能，具有較好的應(yīng)用前景。

高可靠玻璃鈍化表貼封裝電壓調(diào)整二極管及其制備方法 822     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種高可靠玻璃鈍化表貼封裝電壓調(diào)整二極管及其制備方法，涉及二極管制造技術(shù)領(lǐng)域；包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝；本發(fā)明二極管采用U型玻璃鈍化表貼封裝結(jié)構(gòu)，結(jié)合了玻璃鈍化產(chǎn)品可靠性高、抗機(jī)械、溫度沖擊能力強(qiáng)特點(diǎn)，以及表貼封裝器件尺寸小、易安裝的特點(diǎn)，器件具有圓形引出端和方形引出端兩種結(jié)構(gòu)，滿足用戶對(duì)高可靠玻璃鈍化表貼封裝電壓調(diào)整二極管的使用要求。

玻璃鈍化表貼二極管及其制造方法 1101     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種玻璃鈍化表貼二極管及其制造方法，屬于二極管技術(shù)領(lǐng)域。該二極管包括管芯和兩電極片，所述管芯位于兩所述電極片之間，所述電極片通過(guò)蒸鋁層與管芯連接，所述管芯、兩電極片和蒸鋁層均封裝在鈍化玻璃內(nèi)，且所述電極片上遠(yuǎn)離管芯的一端沿管芯的徑向延伸到鈍化玻璃外。二極管的引出電極為鉬片，鉬片厚度為0.1mm～0.2mm，引出電極尺寸更小。二極管的引出電極沿管芯的徑向延伸，管芯尺寸增大時(shí)，只需增大鉬片的焊盤尺寸即可，二級(jí)管的厚度不會(huì)增加，可以制造出外形尺寸小，厚度非常薄的表貼器件。將臺(tái)面腐蝕后的二極管放入灌注模具中，再向灌注模具中注入玻璃粉漿的方式涂覆玻璃漿，可以根據(jù)需要制造不同的封裝外形。

提高非固體電解質(zhì)鉭電容器鉭外殼內(nèi)壁容量的方法 928     

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本發(fā)明屬于提高電容器外殼內(nèi)壁容量技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提高非固體電解質(zhì)鉭電容器鉭外殼內(nèi)壁容量的方法；采用鉭粉壓制的陰極桶為多孔蜂窩結(jié)構(gòu)，可以充當(dāng)二氧化釕的附著對(duì)象，等效于增加鉭外殼的內(nèi)表面，增大二氧化釕的附著量，從而達(dá)到增加鉭外殼內(nèi)壁容量的目的。

玻璃鈍化實(shí)體封裝低壓二極管及其制造方法 661     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種玻璃鈍化實(shí)體封裝低壓二極管及其制造方法，屬于二極管技術(shù)領(lǐng)域。該二極管包括硅片A和兩個(gè)電極引線，所述硅片A位于兩個(gè)所述電極引線之間，其中一個(gè)電極引線通過(guò)焊接金屬A與硅片A連接，另一個(gè)電極引線通過(guò)焊接金屬B與硅片A連接，所述硅片A、焊接金屬A、焊接金屬B和兩電極引線均設(shè)于鈍化玻璃內(nèi)，且電極引線的一端延伸到鈍化玻璃外。二極管的核心PN結(jié)是在電極引線與管芯的燒焊過(guò)程中同步獲得的，避免了PN結(jié)因高溫工藝進(jìn)行了重新分布，最終導(dǎo)致二極管電壓大幅提高的問(wèn)題，避免了傳統(tǒng)二極管因管芯PN結(jié)結(jié)深太淺，燒焊時(shí)焊接金屬穿越PN結(jié)，導(dǎo)致PN結(jié)短路的問(wèn)題，可以制造6V以下的玻璃鈍化實(shí)體封裝二極管。

免清洗混合集成電路焊接方法 1132     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種免清洗混合集成電路焊接方法，該方法是采用不含助焊劑的全固態(tài)預(yù)制合金焊料片取代原先的膏狀焊料，在充滿氮?dú)馇覝囟瓤煽氐沫h(huán)境下，采用兩種不同熔點(diǎn)的合金焊料分步進(jìn)行芯片、基片電路、基座的相互焊接，不會(huì)對(duì)基座、基片電路和芯片造成污染，產(chǎn)品焊接后可直接進(jìn)行鍵合、封裝，實(shí)現(xiàn)免清洗焊接。本方法產(chǎn)品焊接后可直接進(jìn)行鍵合、封裝，避免焊接后的清洗、清洗劑的使用和排放，節(jié)省時(shí)間提高效率。采用這種工藝焊接的產(chǎn)品，焊接強(qiáng)度較膏狀焊料更高，產(chǎn)品能經(jīng)受恒定加速度試驗(yàn)不脫落，遠(yuǎn)高于國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求；適用于焊接面為可焊金屬介質(zhì)的外殼、基片電路和帶背面金屬化半導(dǎo)體芯片、無(wú)源元件的混合集成電路的組裝焊接。

超薄鉭電容器陽(yáng)極鉭芯及其制造方法 910     

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本發(fā)明提供了一種超薄鉭電容器陽(yáng)極鉭芯，包括箔片和鉭層，所述箔片為片狀結(jié)構(gòu)，所述箔片的至少一個(gè)側(cè)面上設(shè)置有鉭層，所述鉭層與箔片連成一體。本發(fā)明采用箔片和鉭層結(jié)合的結(jié)構(gòu)使陽(yáng)極鉭芯可以做成任意形狀的薄片狀，采用印刷工藝制備陽(yáng)極鉭芯，大大減小了陽(yáng)極鉭芯的厚度，對(duì)陽(yáng)極鉭芯進(jìn)行低溫干燥處理、去粘合劑處理、高溫?zé)Y(jié)后使薄片狀的陽(yáng)極鉭芯滿足設(shè)計(jì)要求，陽(yáng)極鉭芯最小厚度可達(dá)到幾十個(gè)微米，使最終制成的鉭電容器的厚度大大縮小，更適合現(xiàn)代元器件對(duì)薄型化的需求。

煉鋼粉塵綜合利用回收鋅的方法 774     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種煉鋼粉塵綜合利用回收鋅的方法，是將煉鋼粉塵與還原劑、添加劑進(jìn)行混合后，壓制成球團(tuán)，送入真空碳管爐中進(jìn)行真空焙燒，獲得氣態(tài)單質(zhì)鋅揮發(fā)物，其經(jīng)過(guò)冷凝收集器后冷凝成固體，收集該固體獲得高純度鋅錠。本申請(qǐng)方法促進(jìn)了煉鋼粉塵中鋅的還原，實(shí)現(xiàn)了對(duì)煉鋼粉塵的回收利用，獲得了高品質(zhì)鋅錠，降低了煉鋼粉塵處理過(guò)程中真空條件控制時(shí)的能耗，且工藝簡(jiǎn)單，操作簡(jiǎn)便，真空還原能夠有效蒸發(fā)煉鋼粉塵中的鋅，達(dá)到冷凝收集單質(zhì)鋅的目的，使得煉鋼粉塵中鋅的回收率高達(dá)97.76％，并有效解決了現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)含鋅煉鋼粉塵處理時(shí)存在的成本較高、污染重、能耗高、三廢產(chǎn)出量大的問(wèn)題，最終實(shí)現(xiàn)了廢料循環(huán)利用的目的。

含鋅鋼鐵冶金粉塵的綜合回收方法 844     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種含鋅鋼鐵冶金粉塵的綜合回收方法，它是首先將各種含鋅鋼鐵冶金粉塵磨細(xì)后與還原劑焦炭粉混合配料至混合物料中含鋅達(dá)到10％以上，然后用紙漿或粘土作粘結(jié)劑將混合物料制成球團(tuán)狀或磚塊狀，最后將其加入帶微波輻射的真空爐中進(jìn)行真空還原冶煉，分別獲得金屬鋅和主要含鐵和炭的金屬化球團(tuán)或塊狀的蒸餾殘余物。本發(fā)明方法以含鋅鋼鐵冶金粉塵為原料，配合本發(fā)明工藝步驟綜合回收鋅、鐵和炭，綜合回收效果好、能耗低、效率高、工藝流程短、成本低，并且整個(gè)過(guò)程中無(wú)廢渣、廢液產(chǎn)生，對(duì)環(huán)境友好。

環(huán)保型多功能高效真空濾油機(jī) 798     

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一種環(huán)保型多功能高效真空濾油機(jī),屬于真空濾油機(jī),在腳輪(18)支承的底板(26)上安裝儲(chǔ)油箱(8)、真空泵及電機(jī)(9)、冷凝器(12)、油泵及電機(jī)(17)、初濾器(19)、二級(jí)過(guò)濾器(20)、精濾器(21)和電氣控制箱(22),在電氣控制箱上安裝溫控器(3)、指示燈(4)和控制按鈕(5),在儲(chǔ)油箱(8)上安裝真空分離器(2),溢流閥(6)、進(jìn)油閥(7)、吸油閥(25)和加熱器(13)與初濾器(19)相連,電接點(diǎn)壓力表(10)裝在真空分離器(2)上并和二級(jí)過(guò)濾器(20)相連,真空表(11)裝在冷凝器(12)上并與真空分離器相連,本實(shí)用新型能解決現(xiàn)有真空濾油機(jī)漏油、噴油對(duì)環(huán)境造成的污染和浪費(fèi)資源問(wèn)題,并能實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用,降低運(yùn)行維護(hù)費(fèi)用,提高經(jīng)濟(jì)效益和工作效率,適于變壓器油、透平油、潤(rùn)滑油、液壓油等工業(yè)用油的處理。

壁流式蜂窩陶瓷載體高溫?zé)Y(jié)爐 1138     

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本實(shí)用新型涉及一種既耐高溫，又能在真空和保護(hù)性氣體的環(huán)境下，電流通過(guò)石墨電阻且石墨電阻發(fā)熱加熱燒結(jié)爐內(nèi)dpf生坯的壁流式蜂窩陶瓷載體高溫?zé)Y(jié)爐，它包括高溫?zé)Y(jié)爐，所述高溫?zé)Y(jié)爐的殼體呈圓筒狀結(jié)構(gòu)，爐殼末端與弧形封頭焊接，爐門為弧形頭狀結(jié)構(gòu)，高溫爐殼腔內(nèi)設(shè)有石墨一區(qū)和石墨二區(qū)且位于石墨放料枕上，料盤位于石墨放料枕上。優(yōu)點(diǎn)：一是采用石墨電阻發(fā)熱燒結(jié)，不僅燒結(jié)溫度高，而且高溫溫度的穿透性好，確保了燒結(jié)質(zhì)量的穩(wěn)定可靠；二是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)新穎、獨(dú)特、簡(jiǎn)單、耐壓密封性能好，真空燒結(jié)效果好。

SMD-0.5陶貼封裝產(chǎn)品燒結(jié)模具 1028     

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本實(shí)用新型提供了一種SMD?0.5陶貼封裝產(chǎn)品燒結(jié)模具，包括管座；有至少兩條平行的側(cè)擋和至少兩個(gè)位于多條側(cè)擋間的隔塊構(gòu)成平面腔體，管座置于該平面腔體中。本實(shí)用新型裝架時(shí)只需將芯片輕輕放入即可，大大降低了裝架難度，芯片及電極片定位準(zhǔn)確，為拓展自動(dòng)化燒結(jié)、壓焊提供方案；使用方式簡(jiǎn)單、過(guò)程大大簡(jiǎn)化，生產(chǎn)效率提高50％；芯片表面無(wú)需受力，對(duì)芯片表面易損同時(shí)芯片表面質(zhì)量要求很高的產(chǎn)品提高了高可靠性、高成品率的解決方案；配合真空燒結(jié)工藝可以有效解決芯片燒結(jié)空洞問(wèn)題，將芯片燒結(jié)空洞面積降低至5％以下。

降低鉭電容器損耗角正切值的陽(yáng)極鉭塊的制備方法 943     

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本發(fā)明提供了一種降低鉭電容器損耗角正切值的陽(yáng)極鉭塊的制備方法，包括以下步驟：(1)選擇用于陽(yáng)極鉭塊成型的鉭粉；(2)設(shè)計(jì)陽(yáng)極鉭塊的形成電壓或下限壓實(shí)密度，并設(shè)計(jì)其相應(yīng)的規(guī)格參數(shù)；(3)使用步驟(1)所選擇的鉭粉，并按照步驟(2)中的相關(guān)參數(shù)壓制形成陽(yáng)極鉭塊；(4)將成型的陽(yáng)極鉭塊進(jìn)行真空燒結(jié)。本發(fā)明通過(guò)降低相應(yīng)規(guī)格產(chǎn)品的實(shí)際密度或通過(guò)降低產(chǎn)品的燒結(jié)溫度，增加鉭粉顆粒之間的孔隙度，使得鉭粉顆粒之間在高溫下的相互作用降低，使得容量引出更好，從而有效降低了非固體鉭電解電容器的損耗角正切值；增大了其耐紋波電流的能力，為市場(chǎng)對(duì)該類型產(chǎn)品高可靠性要求提供了生產(chǎn)制造保障。

電解電容器的制造方法 1008     

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本申請(qǐng)公開(kāi)了一種電解電容器的制造方法，涉及電容器的技術(shù)領(lǐng)域，本申請(qǐng)的電解電容器的制造方法包括：將閥金屬粉料經(jīng)模壓和真空燒結(jié)成為帶有引線的陽(yáng)極多孔燒結(jié)體；在所述陽(yáng)極多孔燒結(jié)體的表面上形成介質(zhì)氧化膜；在所述介質(zhì)氧化膜上形成二氧化錳層；在所述二氧化錳層上涂敷石墨層；在所述石墨層上涂敷銀漿層；將銀漿層與引線框架粘接，形成中間產(chǎn)物；將鉭絲焊接在所述中間產(chǎn)物的正極端上；在中間產(chǎn)物的表面上形成鎳金屬層；通過(guò)模壓封裝形成電解電容器故本申請(qǐng)能夠大幅提升電解電容器耐外界環(huán)境應(yīng)力的能力，具有性能穩(wěn)定，抗擊穿能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。

陽(yáng)極鉭塊及其制備方法 1067     

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本發(fā)明涉及一種陽(yáng)極鉭塊及其制備方法。該陽(yáng)極鉭塊包括柱狀的鉭塊本體，鉭塊本體的側(cè)壁沿其徑向等距間隔設(shè)有多個(gè)凹槽，每個(gè)凹槽貫穿鉭塊本體沿其軸線方向的兩端，凹槽的深度為鉭塊本體半徑的5％?80％，其有效降低非固體電解質(zhì)鉭電容器ESR值。上述陽(yáng)極鉭塊的制備方法，其包括：將鉭粉壓制形成上述陽(yáng)極鉭塊的坯體，真空燒結(jié)。以制得上述有效降低非固體電解質(zhì)鉭電容器ESR值的陽(yáng)極鉭塊，同時(shí)便于工業(yè)化生產(chǎn)。

電解電容器制造過(guò)程中介質(zhì)氧化膜的處理方法 896     

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本發(fā)明涉及電解電容器制造過(guò)程中介質(zhì)氧化膜的處理方法，特別涉及以在傳統(tǒng)的以鉭、鈮、鈦、鋁等閥金屬為陽(yáng)極，以高分子導(dǎo)電聚合物為陰極電解質(zhì)制造電解電容器過(guò)程中增加的對(duì)介質(zhì)氧化膜的預(yù)處理的方法，其包括以下步驟：將閥金屬粉料經(jīng)模壓和真空燒結(jié)成為帶有引線的陽(yáng)極多孔燒結(jié)體；在陽(yáng)極多孔燒結(jié)體表面采用電化學(xué)的方法形成介質(zhì)氧化膜；陽(yáng)極芯塊介質(zhì)氧化膜預(yù)處理；在帶有介質(zhì)氧化膜的陽(yáng)極多孔燒結(jié)體表面形成導(dǎo)電高分子聚合層；在導(dǎo)電高分子聚合物層外依次涂敷石墨層和銀漿層；通過(guò)模壓封裝形成產(chǎn)成品。此方法制造的電解電容器具有等效串聯(lián)電阻（ESR）低、漏電流小等優(yōu)點(diǎn)。

降低鉭電容器漏電流值的燒結(jié)方法 833     

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本發(fā)明公開(kāi)一種降低鉭電容器漏電流值的燒結(jié)方法，將熔點(diǎn)較低、且其本身或氧化物易與水或酸反應(yīng)的金屬作為脫氧劑和經(jīng)過(guò)壓制和燒結(jié)的鉭塊放在真空燒結(jié)爐中燒結(jié)。在燒結(jié)過(guò)程中，真空度始終大于2×10-3Torr，燒結(jié)溫度介于700~1170℃之間，鉭塊與脫氧劑的重量比為1:0.001~1:0.08，達(dá)到燒結(jié)溫度后的保溫時(shí)間為1~9小時(shí)，采用鎂作為脫氧劑。完成脫氧燒結(jié)并在真空狀態(tài)下降至室溫后，為清除鉭塊表面殘留的金屬脫氧劑以及該脫氧劑的氧化物，將鉭塊放入稀酸中浸泡30分鐘，再用去離子水沖洗3～4次。本發(fā)明通過(guò)對(duì)鉭塊進(jìn)行二次燒結(jié)，在較低溫度燒結(jié)的情況下除去氧雜質(zhì)，有效地提高鉭塊的純度，產(chǎn)品的漏電流值減小30%以上。

微帶濾波器3D打印制造方法 921     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種微帶濾波器3D打印制造方法，包括以下步驟：S1：根據(jù)微帶濾波器的電路圖形設(shè)計(jì)基板打印圖形和金屬線路打印圖形；S2：使用3D打印機(jī)按照所述基板打印圖形，將低溫共燒陶瓷漿料作為打印材料從噴嘴中擠出并沉積在工作臺(tái)上形成低溫共燒陶瓷基板；S3：使用紅外加熱方式對(duì)工作臺(tái)上的低溫共燒陶瓷基板進(jìn)行固化；S4：使用3D打印機(jī)按照所述金屬線路打印圖形，將納米銀金屬墨水作為打印材料噴印在固化的低溫共燒陶瓷基板表面以形成金屬線路；S5：使用真空燒結(jié)爐對(duì)已噴印金屬線路的低溫共燒陶瓷基板進(jìn)行燒結(jié)。本方法簡(jiǎn)單易掌握，同時(shí)也能減少生產(chǎn)成本，為微帶濾波器快速制造和個(gè)性化創(chuàng)造提供了解決方法。

鉭電解電容器的陽(yáng)極燒結(jié)方法 941     

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本發(fā)明公開(kāi)了一種鉭電解電容器的陽(yáng)極燒結(jié)方法，將鉭粉與粘結(jié)劑混合模壓后形成的鉭金屬陽(yáng)極放置入注有脫脂劑的真空干燥箱；然后進(jìn)行低溫濕法催化脫脂；再對(duì)放置入真空干燥箱中的鉭金屬陽(yáng)極進(jìn)行3次以上的循環(huán)脫脂后進(jìn)行真空干燥；最后對(duì)陽(yáng)極進(jìn)行真空燒結(jié)；所述粘合劑選擇不同熔點(diǎn)的石蠟、苯甲酸、樟腦、甘油和硬脂酸；脫脂劑選擇乙醇、乙烷、三氯乙烷和汽油中的一種。采用本發(fā)明所述方法可獲得較高的比表面和較高的孔隙率，并獲得較大的容量和低的漏電流，其碳含量和氧含量分別降低到0.005％～0.010％和0.28％～0.62％。該方法具有跟現(xiàn)在的生產(chǎn)工藝兼容，適合大規(guī)模生產(chǎn)。